本公開涉及功率模塊，尤其涉及一種橋臂、半橋、功率模塊和車輛。

背景技術：

1、功率模塊也叫逆變模塊，是將直流電逆變?yōu)榻涣麟姷钠骷?，其在工業(yè)領域的應用十分廣泛，為了實現高輸出功率，功率模塊需要利用多個半導體開關的并聯(lián)，以適應較大的電流，其中，多個半導體開關之間的并聯(lián)通常采用鍵合線，但采用鍵合線的方式很難通過調整線長實現各半導體開關之間的均流，而各半導體開關之間的不均流會導致?lián)p耗的差異性、電流和電壓應力的差異性以及開關速度的差異性，這種差異會導致單個半導體開關因長時間應力過大而損壞或半導體開關的電流能力無法充分發(fā)揮的問題。

技術實現思路

1、本公開旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。

2、為此，本公開的目的在于提供一種橋臂、半橋、功率模塊和車輛。

3、為達到上述目的，本公開第一方面提供一種橋臂，包括：多個第一半導體開關；多個第二半導體開關，多個所述第一半導體開關和多個所述第二半導體開關沿對稱軸對稱分布；金屬片，所述金屬片的第一端和第二端沿所述對稱軸對稱分布，且所述金屬片的第三端位于所述對稱軸上，所述金屬片的第一端分別與多個所述第一半導體開關的發(fā)射端相連，所述金屬片的第二端分別與多個所述第二半導體開關的發(fā)射端相連。

4、可選的，所述橋臂還包括：第一金屬層，所述第一金屬層沿所述對稱軸對稱分布；第二金屬層，所述第二金屬層沿所述對稱軸對稱分布，所述第一半導體開關和所述第二半導體開關分別設置在所述第二金屬層上，且所述第一半導體開關的集電端和所述第一半導體開關的集電端分別與所述第二金屬層相連；其中，所述第二金屬層位于所述對稱軸處設置有第一避讓口，所述第一金屬層的一端延伸到所述第一避讓口內并與所述金屬片的第三端相連，且所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設置有第一間隙。

5、可選的，所述第二金屬層包括：第一部分，所述第一半導體開關設置在所述第一部分上，且所述第一半導體開關的集電端與所述第一部分相連；第二部分，所述第二半導體開關設置在所述第二部分上，且所述第二半導體開關的集電端與所述第二部分相連；其中，所述第一部分和所述第二部分沿所述對稱軸對稱分布，所述第一部分和所述第二部分之間形成所述第一避讓口。

6、可選的，所述第一金屬層包括：第三部分，所述第三部分沿所述對稱軸對稱分布，所述第三部分設置在所述第一避讓口內并與所述金屬片的第三端相連；第四部分，所述第四部分沿所述對稱軸對稱分布，所述第四部分與所述第三部分相連，且所述第四部分位于所述第二金屬層的一側。

7、可選的，所述第二金屬層遠離所述第二半導體開關的一端設置有第二避讓口，所述第二金屬層遠離所述第一半導體開關的一端設置有第三避讓口；所述橋臂還包括：第三金屬層和第四金屬層，所述第三金屬層設置在所述第二避讓口內，且所述第三金屬層和所述第二金屬層之間設置有第二間隙，所述第三金屬層分別與多個所述第一半導體開關的控制端相連，所述第四金屬層設置在所述第三避讓口內，且所述第四金屬層和所述第二金屬層之間設置有第三間隙，所述第四金屬層分別與多個所述第二半導體開關的控制端相連。

8、可選的，所述橋臂還包括：第一引腳，所述第一引腳設置在所述第三金屬層遠離所述第二金屬層的一端，所述第一引腳與所述第三金屬層相連；第二引腳，所述第二引腳設置在所述第四金屬層遠離所述第二金屬層的一端，所述第二引腳與所述第四金屬層相連；其中，所述第一引腳和所述第二引腳沿所述對稱軸對稱分布。

9、可選的，所述橋臂還包括：多個第一綁定線，所述第一綁定線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第一綁定線的第一端與所述第三金屬層相連，所述第一綁定線的第二端與所述第一半導體開關的控制端相連；多個第二綁定線，所述第二綁定線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第二綁定線的第一端與所述第四金屬層相連，所述第二綁定線的第二端與所述第二半導體開關的控制端相連；第三導線，所述第三導線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第三導線的第一端與所述第三金屬層相連，所述第三導線的第二端與所述第一引腳相連；第四導線，所述第四導線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第四導線的第一端與所述第四金屬層相連，所述第四導線的第二端與所述第二引腳相連。

10、可選的，所述橋臂還包括：絕緣基板，所述絕緣基板沿所述對稱軸對稱分布，所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述第三金屬層和所述第四金屬層分別設置在所述絕緣基板上。

11、可選的，所述橋臂還包括：第三引腳，所述第三引腳設置在所述第二金屬層遠離所述第二半導體開關的一端，所述第三引腳與所述第一半導體開關的發(fā)射端相連；第四引腳，所述第四引腳設置在所述第二金屬層遠離所述第一半導體開關的一端，所述第四引腳與所述第二半導體開關的發(fā)射端相連；其中，所述第三引腳與所述第四引腳沿所述對稱軸對稱分布。

12、可選的，所述橋臂還包括：第五導線，所述第五導線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第五導線的第一端與所述第一半導體開關的發(fā)射端相連，所述第五導線的第二端與所述第三引腳相連；第六導線，所述第六導線沿與所述對稱軸垂直的方向設置，所述第六導線的第一端與所述第二半導體開關的發(fā)射端相連，所述第六導線的第二端與所述第四引腳相連。

13、可選的，所述多個第一半導體開關包括：第一開關，所述第一開關設置在所述第二金屬層上，且所述第一開關的集電端與所述第二金屬層相連，所述第一開關的發(fā)射端與所述金屬片的第一端相連；第二開關，所述第二開關設置在所述第二金屬層上，且所述第二開關的集電端與所述第二金屬層相連，所述第二開關的發(fā)射端與所述金屬片的第一端相連；第三開關，所述第三開關設置在所述第二金屬層上，且所述第三開關的集電端與所述第二金屬層相連，所述第三開關的發(fā)射端與所述金屬片的第一端相連；其中，所述第一開關、所述第二開關和所述第三開關沿所述對稱軸的軸向不平齊。

14、可選的，所述金屬片的第一端包括：第一連接片，所述第一連接片與所述第一開關的發(fā)射端相連；第二連接片，所述第二連接片與所述第二開關的發(fā)射端相連；第三連接片，所述第三連接片與所述第三開關的發(fā)射端相連；其中，所述第一連接片和所述第二連接片之間形成第一缺口，所述第二連接片和所述第三連接片之間形成第二缺口。

15、可選的，所述第一開關和所述對稱軸的間距大于所述第二開關和所述對稱軸的間距，所述第二開關和所述對稱軸的間距大于所述第三開關和所述對稱軸的間距；所述金屬片靠近所述第一開關的一側設置有第三缺口，所述第三缺口內設置有第四缺口，且所述第三缺口和所述第四缺口分別沿所述對稱軸對稱分布；所述第一缺口和所述對稱軸的間距大于所述第二缺口和所述對稱軸的間距。

16、可選的，所述橋臂還包括：第一金屬排，所述第一金屬排沿所述對稱軸的軸向設置，所述第一金屬排的第一端與所述第一金屬層相連；第二金屬排，所述第二金屬排沿所述對稱軸的軸向設置，所述第二金屬排的第一端與所述第二金屬層相連。

17、可選的，所述金屬片在所述第一金屬排和/或所述第二金屬排上具有正投影；所述第一開關和所述對稱軸的間距小于所述第三開關和所述對稱軸的間距，所述第三開關和所述對稱軸的間距小于所述第二開關和所述對稱軸的間距；所述金屬片靠近所述第一開關的一側設置有第五缺口，所述金屬片靠近所述第三開關的一側設置有第六缺口，所述第六缺口內設置有第七缺口，且所述第五缺口、所述有第六缺口和所述第七缺口分別沿所述對稱軸對稱分布；所述第一缺口和所述對稱軸的間距等于所述第二缺口和所述對稱軸的間距。

18、可選的，所述金屬片包括：第一平面片、第二平面片、第三平面片、第一弧形片和第二弧形片，所述第一平面片分別與多個所述第一半導體開關的發(fā)射端相連，所述第二平面片分別與多個所述第二半導體開關的發(fā)射端相連，所述第一平面片和所述第二平面沿所述對稱軸對稱分布，所述第三平面片位于所述對稱軸上，所述第一弧形片設置在所述第三平面片和所述第一平面片之間，所述第二弧形片設置在所述第三平面片和所述第二平面片之間，所述第一弧形片和所述第二弧形片沿所述對稱軸對稱分布。

19、本公開第二方面提供一種半橋，包括：上橋臂，所述上橋臂是如本公開第一方面提供的橋臂；下橋臂，所述下橋臂是如本公開第一方面提供的橋臂；其中，所述上橋臂的金屬片分別與所述下橋臂的第一半導體開關集電端和第二半導體開關集電端相連。

20、可選的，所述上橋臂的第二金屬排與所述下橋臂的第一金屬排相互靠近并平行設置，且所述上橋臂的第二金屬排電流方向與所述下橋臂的第一金屬排電流方向相反。

21、可選的，所述上橋臂的第四缺口與所述下橋臂的第七缺口相對設置，且所述上橋臂的第四缺口尺寸與所述下橋臂的第七缺口尺寸不同。

22、可選的，所述上橋臂的絕緣基板與所述下橋臂的絕緣基板相連，所述上橋臂的第一金屬層與所述下橋臂的第二金屬層相連。

23、本公開第三方面提供一種功率模塊，包括：如本公開第二方面提供的半橋。

24、本公開第四方面提供一種車輛，包括：如本公開第三方面提供的功率模塊。

25、本公開提供一種橋臂。橋臂包括多個第一半導體開關、多個第二半導體開關和金屬片；多個第一半導體開關和多個第二半導體開關沿對稱軸對稱分布；金屬片的第一端和第二端沿對稱軸對稱分布，且金屬片的第三端位于對稱軸上，金屬片的第一端分別與多個第一半導體開關的發(fā)射端相連，金屬片的第二端分別與多個第二半導體開關的發(fā)射端相連。由于金屬片的第一端和第二端沿對稱軸對稱分布，且金屬片的第三端位于對稱軸上，使得沿對稱軸對稱分布的第一半導體開關和第二半導體開關之間，第一半導體開關和金屬片第三端之間的電流路徑長度與第二半導體開關和金屬片第三端之間的電流路徑長度相等。由此，實現了沿對稱軸對稱分布的第一半導體開關和第二半導體開關之間的均流，從而減少了第一半導體開關和第二半導體開關之間出現損耗的差異性、電流和電壓應力的差異性以及開關速度的差異性，進而減少了第一半導體開關或第二半導體開關因長時間應力過大而損壞的問題以及第一半導體開關或第二半導體開關的電流能力無法充分發(fā)揮的問題。

26、本公開附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本公開的實踐了解到。