本申請屬于刻蝕加工，具體涉及一種金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法。

背景技術(shù)：

1、金屬刻蝕設(shè)備為刻蝕金屬的設(shè)備，在其使用過程中，亦會隨刻蝕過程的進行產(chǎn)生一些副產(chǎn)物，絕大多數(shù)副產(chǎn)物會隨刻蝕過程的進行被抽離至工藝腔室之外，但是仍有少量的副產(chǎn)物會沉積在工藝腔室的側(cè)壁上。進而，為了防止沉積的副產(chǎn)物會對刻蝕工藝產(chǎn)生不利影響，通常在刻蝕設(shè)備工作一段時間之后，就對刻蝕設(shè)備進行清洗。具體來說，在向工藝腔室通入對應(yīng)種類的氣體之后，通過啟輝，即可實現(xiàn)清除工藝過程中沉積在側(cè)壁上的副產(chǎn)物的目的。

2、但是，由于刻蝕設(shè)備進行清洗過程時，并不會有被刻蝕件放置在靜電卡盤等承載件上，從而導(dǎo)致在清洗過程中，自工藝腔室的側(cè)壁清洗下的副產(chǎn)物可能會堆積在卡盤的氦氣孔內(nèi)，使得靜電卡盤亦需要定期拆下清潔，嚴(yán)重時甚至?xí)?dǎo)致靜電卡盤報廢。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例的目的是提供一種金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法，以解決目前對金屬刻蝕設(shè)備的工藝腔室進行清洗時，副產(chǎn)物可能會堆積在卡盤的氦氣孔內(nèi)，使得靜電卡盤需要定期拆下清潔，嚴(yán)重時甚至?xí)?dǎo)致靜電卡盤報廢的問題。

2、本申請實施例公開一種金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法，所述金屬刻蝕設(shè)備包括工藝腔室和安裝于工藝腔室內(nèi)的承載件，所述承載件設(shè)有至少一個氦氣孔，各所述氦氣孔均通過連通管路分別與吹掃氣源連通；所述清洗方法包括：

3、向所述工藝腔室通入清洗氣體，且控制所述吹掃氣源經(jīng)所述連通管路向各所述氦氣孔通入吹掃氣體；

4、停止向所述工藝腔室通入所述清洗氣體，且控制停止向各所述氦氣孔通入吹掃氣體。

5、本申請實施例公開的金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法中，在向工藝腔室通入清洗氣體以清洗工藝腔室內(nèi)的副產(chǎn)物的過程中，還通過吹掃氣源經(jīng)連通管路一并向各氦氣孔輸送吹掃氣體，從而在正壓力的吹掃氣體的作用下，防止清洗下的副產(chǎn)物沉積在承載件的氦氣孔內(nèi)，進而保證承載件的使用壽命相對較長。對應(yīng)地，在工藝腔室完成清洗過程，進而為了防止吹掃氣體對工藝腔室進行的后續(xù)工作過程產(chǎn)生不利影響，即在停止向工藝腔室通入清洗氣體時，亦控制停止向各氦氣孔通入吹掃氣體。

技術(shù)特征：

1.一種金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法，其特征在于，所述金屬刻蝕設(shè)備包括工藝腔室和安裝于工藝腔室內(nèi)的承載件，所述承載件設(shè)有至少一個氦氣孔，各所述氦氣孔均通過連通管路分別與吹掃氣源連通；所述清洗方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述金屬刻蝕設(shè)備還包括負壓支路，所述負壓支路的一端連通于所述連通管路，所述負壓支路的另一端與抽氣設(shè)備連通；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述連通管路中位于所述氦氣孔與所述負壓支路之間的部分為第二管段，所述第一管段和所述第二管段之間設(shè)有第一閥門；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述在所述抽氣設(shè)備工作第一預(yù)設(shè)時長之后，控制所述吹掃氣源經(jīng)所述連通管路向各所述氦氣孔通入吹掃氣體，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，各所述連通管路上均設(shè)有壓力監(jiān)控件，所述壓力監(jiān)控件用以控制對應(yīng)的所述連通管路內(nèi)氣體的壓力；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述停止向所述工藝腔室通入所述清洗氣體，且控制停止向各所述氦氣孔通入吹掃氣體，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述負壓支路上設(shè)有第二閥門；

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述停止通入所述清洗氣體，控制各所述壓力監(jiān)控件的壓力控制值均為第二預(yù)設(shè)壓力，以控制停止向各所述氦氣孔通入吹掃氣體，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述向所述工藝腔室通入清洗氣體，且控制所述吹掃氣源經(jīng)所述連通管路向各所述氦氣孔通入吹掃氣體，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述吹掃氣體為惰性氣體。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法，所述金屬刻蝕設(shè)備包括工藝腔室和安裝于工藝腔室內(nèi)的承載件，所述承載件設(shè)有至少一個氦氣孔，各所述氦氣孔均通過連通管路分別與吹掃氣源連通；所述清洗方法包括：向所述工藝腔室通入清洗氣體，且控制所述吹掃氣源經(jīng)所述連通管路向各所述氦氣孔通入吹掃氣體；停止向所述工藝腔室通入所述清洗氣體，且控制停止向各所述氦氣孔通入吹掃氣體。上述金屬刻蝕設(shè)備的清洗方法，可以解決目前對金屬刻蝕設(shè)備的工藝腔室進行清洗時，副產(chǎn)物可能會堆積在卡盤的氦氣孔內(nèi)，使得靜電卡盤需要定期拆下清潔，嚴(yán)重時甚至?xí)?dǎo)致靜電卡盤報廢的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：孫運東,孔令帥,唐凱,劉卓遠
受保護的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2