本申請大體上涉及半導(dǎo)體技術(shù)，且更具體地說，涉及具有多種類型導(dǎo)電元件的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的互連用引線非常細(xì)，其寬度在幾微米或更小的數(shù)量級上。這種引線的形成使得可以制造包含數(shù)百萬個或更多互連組件的半導(dǎo)體芯片。然而，在某些時候，需要在芯片和外部世界之間建立連接，這時難以采用如此小的引線容差。

2、為了將半導(dǎo)體芯片連接到外部設(shè)備或系統(tǒng)，印刷電路板(pcb)、中間層或其他類似基板被廣泛使用來安裝芯片，從而形成具有較大的半導(dǎo)體封裝。pcb上的引線比芯片上的引線粗得多，通常以毫米為單位。將芯片引線直接連接到pcb引線是不切實(shí)際的。因此，需要一種中間結(jié)構(gòu)，其能夠處理這種引線寬度范圍的變化。

3、這種結(jié)構(gòu)的一個實(shí)施例是球柵陣列(bga)。bga封裝技術(shù)是一種應(yīng)用于集成電路的表面貼裝技術(shù)，常用于永久固定如微處理器等器件。bga封裝是封裝基板底部的一個陣列，其中焊球被用作電路的輸入/輸出(i/o)端子，并連接到pcb。

4、焊球具有信號傳導(dǎo)、電氣連接和熱傳導(dǎo)的功能。在現(xiàn)有的bga封裝中，封裝基板上的焊球通常是相同的。焊球越大，熱傳導(dǎo)能力越強(qiáng)。然而與此同時，焊球越大，占據(jù)的基板面積也越大，這與bga的高密度和高引腳輸出相沖突。

5、因此，有必要對半導(dǎo)體封裝進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的目標(biāo)是提供一種具有改進(jìn)的散熱效率的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝。所述半導(dǎo)體封裝包括：封裝基板，其具有正面和背面，其中所述封裝基板包括：多組正面導(dǎo)電圖形，其形成于所述正面；以及多組互連結(jié)構(gòu)，其與所述多組正面導(dǎo)電圖形分別電耦接；多個電子元件，其被安裝在所述封裝基板的所述正面，并且通過多組正面導(dǎo)電元件分別與所述多組正面導(dǎo)電圖形電耦接；其中，所述多組正面導(dǎo)電元件至少包括一組第一類型導(dǎo)電元件和一組第二類型導(dǎo)電元件，所述第一類型導(dǎo)電元件與所述多個電子元件中的第一電子元件連接，而所述第二類型導(dǎo)電元件與所述多個電子元件中的第二電子元件連接；以及其中，所述第一類型導(dǎo)電元件的熱導(dǎo)率高于所述第二類型導(dǎo)電元件，并且所述第一電子元件的功耗高于所述第二電子元件的功耗。

3、根據(jù)本申請的另一方面，還提供了一種半導(dǎo)體封裝。所述半導(dǎo)體封裝包括：封裝基板，其具有正面和背面，其中所述封裝基板包括：多組正面導(dǎo)電圖形，其形成于所述正面；以及多組互連結(jié)構(gòu)，其與所述多組正面導(dǎo)電圖形分別電耦接；電子元件封裝件，其被安裝在所述封裝基板的所述正面，并且通過多組正面導(dǎo)電元件分別與所述多組正面導(dǎo)電圖形電耦接；其中，所述電子元件封裝件包括多個電路功能部分，所述多組正面導(dǎo)電元件至少包括一組第一類型導(dǎo)電元件和一組第二類型導(dǎo)電元件，所述一組第一類型導(dǎo)電元件與所述多個電路功能部分中的第一電路功能部分連接，而所述一組第二類型導(dǎo)電元件與所述多個電路功能部分中的第二電路功能部分連接；以及其中，所述第一類型導(dǎo)電元件的熱導(dǎo)率高于所述第二類型導(dǎo)電元件，并且所述第一電路功能部分的功耗高于所述第二電路功能部分的功耗。

4、應(yīng)理解，以上一般描述和以下詳細(xì)描述兩者僅是示例性和解釋性的并且并不限制本發(fā)明。此外，并入在本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分的附圖說明了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與描述一起用以解釋本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一類型導(dǎo)電元件包括導(dǎo)電銅柱，或者包括具有銅芯和包覆在所述銅芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二類型導(dǎo)電元件包括無銅芯導(dǎo)電焊球。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二類型導(dǎo)電元件包括純錫焊球，或具有樹脂芯和包覆在所述樹脂芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一電子元件包括邏輯電路電子元件或電源電路電子元件，而所述第二電子元件包括控制電路電子元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述封裝基板還包括多組背面導(dǎo)電圖形，其形成于所述背面，并且通過所述多組互連結(jié)構(gòu)與所述多組正面導(dǎo)電圖形電耦接；所述半導(dǎo)體封裝還包括多組背面導(dǎo)電元件，所述多組背面導(dǎo)電元件分別與所述多組背面導(dǎo)電圖形連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述多組背面導(dǎo)電元件包括至少包括多組第二類型導(dǎo)電元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述多組背面導(dǎo)電元件至少包括一組第一類型導(dǎo)電元件和一組第二類型導(dǎo)電元件。

9.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一類型導(dǎo)電元件包括導(dǎo)電銅柱，或者包括具有銅芯和包覆在所述銅芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二類型導(dǎo)電元件包括無銅芯導(dǎo)電焊球。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二類型導(dǎo)電元件包括純錫焊球和具有樹脂芯和包覆在所述樹脂芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一電路功能部分包括邏輯電路或電源電路，而所述第二電路功能部分包括控制電路。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述封裝基板還包括多組背面導(dǎo)電圖形，其形成于所述背面，并且通過所述多組互連結(jié)構(gòu)與所述多組正面導(dǎo)電圖形電耦接；所述半導(dǎo)體封裝還包括多組背面導(dǎo)電元件，所述多組背面導(dǎo)電元件分別與所述多組背面導(dǎo)電圖形連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述多組背面導(dǎo)電元件包括至少包括多組第二類型導(dǎo)電元件。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述多組背面導(dǎo)電元件至少包括一組第一類型導(dǎo)電元件和一組第二類型導(dǎo)電元件。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述電子元件是半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝件。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝包括：封裝基板，其具有正面和背面，所述封裝基板包括：多組正面導(dǎo)電圖形，其形成于所述正面；以及多組互連結(jié)構(gòu)，其與所述多組正面導(dǎo)電圖形分別電耦接；多個電子元件，其被安裝在所述封裝基板的所述正面，并且通過多組正面導(dǎo)電元件分別與所述多組正面導(dǎo)電圖形電耦接；所述多組導(dǎo)電元件至少包括一組第一類型導(dǎo)電元件和一組第二類型導(dǎo)電元件，所述一組第一類型導(dǎo)電元件與所述多個電子元件中的第一電子元件連接，而所述一組第二類型導(dǎo)電元件與所述多個電子元件中的第二電子元件連接；以及，所述第一類型導(dǎo)電元件的熱導(dǎo)率高于所述第二類型導(dǎo)電元件，并且所述第一電子元件的功耗高于所述第二電子元件的功耗。

技術(shù)研發(fā)人員：應(yīng)戰(zhàn),劉愷,王亞琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長電科技管理有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2