本發(fā)明涉及光伏，特別是涉及一種p型太陽能電池的制備方法及p型太陽能電池。

背景技術(shù)：

1、ibc(interdigitated?back?contact)電池是全背電極接觸晶硅太陽能電池的簡稱，ibc電池的特點(diǎn)是向光面無柵線，背光面正負(fù)金屬柵線呈指狀交叉排列，從而，朝向太陽的ibc電池的向光面呈全黑色，看不到金屬柵線。這種結(jié)構(gòu)使得ibc電池向光側(cè)“零遮擋”，從而增加了光的吸收和利用，在同等面積的情況下，帶來更高的發(fā)電效率，并且，外表更加美觀。

2、由于磷與硅相溶性差，導(dǎo)致拉棒時磷分布不均，最終切割得到的n型硅片的品質(zhì)不高，使得采用n型硅片制備得到的ibc電池的質(zhì)量較差。

3、現(xiàn)有技術(shù)中，采用p型硅片制備得到的p型ibc電池的制備過程中，在背光面p型區(qū)域和n型區(qū)域形成之后，需要對向光面進(jìn)行制絨，通常會對p型區(qū)域和向光面一起進(jìn)行制絨，但是制絨的時候，需要考慮對背光面n型區(qū)域的影響，只能在有限的范圍內(nèi)調(diào)整制絨參數(shù)。此外，p型區(qū)域?yàn)榻q面結(jié)構(gòu)，制備電極過程中p型區(qū)域與電極漿料的接觸效果較差，對p型ibc電池的光電轉(zhuǎn)換效率造成影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種p型太陽能電池的制備方法及p型太陽能電池，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中p型ibc電池的制備過程中，制絨的時候，需要考慮對背光面n型區(qū)域的影響，只能在有限的范圍內(nèi)調(diào)整制絨參數(shù)，以及p型區(qū)域?yàn)榻q面結(jié)構(gòu)，制備電極過程中p型區(qū)域與電極漿料的接觸效果較差，對p型ibc電池的光電轉(zhuǎn)換效率造成影響的問題。

2、本發(fā)明的第一方面，提供一種p型太陽能電池的制備方法，所述方法包括：

3、提供p型硅片，所述p型硅片的第一表面包括：p型區(qū)域和n型區(qū)域；在所述p型硅片的第一表面中的n型區(qū)域依次層疊有隧穿氧化層、磷摻雜多晶硅層、磷硅玻璃層；所述p型硅片的第一表面中的p型區(qū)域裸露；

4、以所述n型區(qū)域的所述磷硅玻璃層作為第一掩膜層，對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光，使得所述p型區(qū)域形成拋光結(jié)構(gòu)；在所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層；

5、在所述第二掩膜層的保護(hù)作用下，對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨，使得所述第二表面形成絨面結(jié)構(gòu)；所述第一表面和所述第二表面相對分布。

6、本發(fā)明中，提供p型硅片，所述p型硅片的第一表面包括：p型區(qū)域和n型區(qū)域；在所述p型硅片的第一表面中的n型區(qū)域依次層疊有隧穿氧化層、磷摻雜多晶硅層、磷硅玻璃層；所述p型硅片的第一表面中的p型區(qū)域裸露；以所述n型區(qū)域的所述磷硅玻璃層作為第一掩膜層，對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光，使得所述p型區(qū)域形成拋光結(jié)構(gòu)；所述p型區(qū)域形成拋光結(jié)構(gòu)，便于后期制備電極時，p型區(qū)域與電極漿料形成更好的接觸，可以提升p型太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；n型區(qū)域的所述磷硅玻璃層作為第一掩膜層，可以對n型區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，防止拋光時n型區(qū)域結(jié)構(gòu)受到破壞。在所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層，第二掩膜層可以對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)；在所述第二掩膜層的保護(hù)作用下，對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨，使得所述第二表面形成絨面結(jié)構(gòu)；所述第二表面形成絨面結(jié)構(gòu)可以增強(qiáng)光吸收，提高p型太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；由于所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)有第二掩膜層進(jìn)行保護(hù)，可以使得第二表面制絨參數(shù)的調(diào)節(jié)范圍增大，制絨的工藝窗口變寬。

7、可選的，所述對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光的時間為1min至10min，所述對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光的溫度為50℃至70℃。

8、可選的，所述在所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層包括：

9、對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化，在所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層。

10、可選的，所述對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化的溫度為700℃至900℃，所述對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化的時間為5min至30min。

11、可選的，所述第二掩膜層的厚度為10nm至50nm。

12、可選的，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨的溫度為70℃至85℃，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨的時間為300s至600s。

13、可選的，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨之后，所述方法還包括：

14、去除所述第二掩膜層和所述n型區(qū)域的所述磷硅玻璃層；

15、在所述p型硅片的兩側(cè)依序?qū)盈B形成氧化鋁層及氮化硅層；

16、制備電極。

17、可選的，所述p型區(qū)域和所述n型區(qū)域通過激光消融工藝形成。

18、本發(fā)明的第二方面，提供一種p型太陽能電池，采用如第一方面所述的p型太陽能電池的制備方法制備得到。

19、可選的，所述p型太陽能電池包括p型全背電極接觸晶硅太陽能電池。

技術(shù)特征：

1.一種p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光的時間為1min至10min，所述對所述p型區(qū)域進(jìn)行拋光的溫度為50℃至70℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化的溫度為700℃至900℃，所述對所述磷硅玻璃層以及所述拋光結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化的時間為5min至30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第二掩膜層的厚度為10nm至50nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨的溫度為70℃至85℃，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨的時間為300s至600s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對所述p型硅片的第二表面進(jìn)行制絨之后，所述方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的p型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述p型區(qū)域和所述n型區(qū)域通過激光消融工藝形成。

9.一種p型太陽能電池，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的p型太陽能電池的制備方法制備得到。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的p型太陽能電池，其特征在于，所述p型太陽能電池包括p型全背電極接觸晶硅太陽能電池。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種P型太陽能電池的制備方法及P型太陽能電池，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：提供P型硅片，P型硅片的第一表面包括：P型區(qū)域和N型區(qū)域；N型區(qū)域依次層疊有隧穿氧化層、磷摻雜多晶硅層、磷硅玻璃層；P型區(qū)域裸露；以N型區(qū)域的磷硅玻璃層作為第一掩膜層，對P型區(qū)域進(jìn)行拋光，使得P型區(qū)域形成拋光結(jié)構(gòu)；在磷硅玻璃層以及拋光結(jié)構(gòu)上形成第二掩膜層；在第二掩膜層的保護(hù)作用下，對P型硅片的第二表面進(jìn)行制絨，使得第二表面形成絨面結(jié)構(gòu)。磷硅玻璃層對N型區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，P型區(qū)域形成拋光結(jié)構(gòu)，便于后期與電極漿料形成更好的接觸。磷硅玻璃層以及拋光結(jié)構(gòu)有第二掩膜層進(jìn)行保護(hù)，使得第二表面制絨參數(shù)的調(diào)節(jié)范圍增大。

技術(shù)研發(fā)人員：劉凱,章康平,石劍,蔡敬國,劉培培,王建明,介雷,姚川朋,周靜,李銘偉,金浩,張尋尋,周錦鳳,李家棟,周小寶,劉汪利,胥星星,劉駿,孫亞楠,鄭勝,馮維敏,沈杰,王芬,周雯,吳菲菲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：一道新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2