本發(fā)明實施例涉及顯示面板，尤其涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)、顯示面板及顯示面板的制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，增強現(xiàn)實(augmented?reality，ar)技術(shù)應(yīng)運而生。ar設(shè)備的顯示器需具備極高的亮度和像素密度，以實現(xiàn)良好的虛擬成像效果。因此，micro-led顯示器由于其具有體積小、亮度高的優(yōu)點，在ar設(shè)備領(lǐng)域展現(xiàn)了極大的應(yīng)用優(yōu)勢。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，主要采用光源器件與光轉(zhuǎn)換量子點結(jié)合的方式，或者采用將各發(fā)光單元空間水平分布式堆疊的方式，或者采用將各發(fā)光單元空間垂直分布式堆疊的方式，以實現(xiàn)全彩顯示。

3、然而，在上述各項技術(shù)中，均存在發(fā)光單元外延結(jié)構(gòu)的利用率較低、實際像素開口率較小的問題，且在發(fā)光結(jié)構(gòu)的制備過程中光刻工藝的難度較大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種發(fā)光結(jié)構(gòu)、顯示面板及顯示面板的制備方法，以提高發(fā)光結(jié)構(gòu)的像素開口率，降低制備過程中光刻工藝的難度。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括：垂直堆疊的至少兩個發(fā)光單元，至少兩個所述發(fā)光單元的發(fā)光顏色不同；

3、所述發(fā)光單元包括發(fā)光部和所述發(fā)光部一側(cè)的電極引出部，所述電極引出部設(shè)置有第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極在沿著所述發(fā)光單元垂直堆疊的方向上，設(shè)置于所述電極引出部相對的兩側(cè)；

4、任一所述發(fā)光單元的電極引出部與其他所述發(fā)光單元在所述發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影不交疊。

5、可選地，所述第一電極設(shè)置于所述電極引出部的第一側(cè)，所述第二電極設(shè)置于所述電極引出部的第二側(cè)；

6、其中，所述電極引出部的第一側(cè)為靠近所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的出光面的一側(cè)，所述電極引出部的第二側(cè)為背離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的出光面的一側(cè)；

7、優(yōu)選的，所述發(fā)光單元包括層疊設(shè)置第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層；所述第一電極與所述第一半導(dǎo)體層電連接，并設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層遠離所述第二半導(dǎo)體層的一側(cè)；所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層電連接，并設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層遠離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)。

8、可選地，各所述發(fā)光單元的所述發(fā)光部在所述發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影至少部分交疊；

9、可選的，各發(fā)光單元的發(fā)光部在發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影完全交疊。

10、可選地，同一所述發(fā)光單元的所述第一電極和所述第二電極在所述發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影至少部分交疊；

11、可選的，同一發(fā)光單元的第一電極和第二電極在發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影完全交疊。

12、可選地，所述發(fā)光部包括中心區(qū)域和圍繞所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域；其中，所述電極引出部與所述邊緣區(qū)域相接。

13、可選地，所述邊緣區(qū)域包括多個子邊緣區(qū)域，不同所述子邊緣區(qū)域位于所述中心區(qū)域的不同方向上；各所述電極引出部與對應(yīng)的所述發(fā)光部的相同所述子邊緣區(qū)域相接；

14、或者，各所述電極引出部與對應(yīng)的所述發(fā)光部的不同所述子邊緣區(qū)域相接；

15、優(yōu)選的，所述發(fā)光部部分圍繞對應(yīng)的所述電極引出部；

16、優(yōu)選的，所述電極引出部位于所述發(fā)光單元的角落，不同所述電極引出部位于所述發(fā)光單元的不同角落。

17、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示面板，包括多個如第一方面中任意實施例所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)。

18、優(yōu)選的，相鄰所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)不透光；

19、優(yōu)選的，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：絕緣層和阻光層；所述絕緣層位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述阻光層之間，所述阻光層用于降低相鄰所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的光串?dāng)_；

20、優(yōu)選的，所述顯示面板還包括：陣列定義層和驅(qū)動電路層；

21、所述陣列定義層設(shè)置于所述第一電極遠離所述第二電極的一側(cè)，所述驅(qū)動電路層設(shè)置于所述陣列定義層遠離所述第一電極的一側(cè)；

22、各所述發(fā)光單元的所述第一電極分別與所述陣列定義層鍵合連接，所述陣列定義層與所述驅(qū)動電路層電連接；各所述發(fā)光單元的所述第二電極之間相互連接。

23、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種顯示面板的制備方法，包括：

24、提供垂直堆疊的至少兩個發(fā)光單元層；至少兩個所述發(fā)光單元層的發(fā)光顏色不同；所述發(fā)光單元層包括多個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括發(fā)光部和所述發(fā)光部一側(cè)的電極引出部；

25、沿著所述發(fā)光單元層垂直堆疊的方向上，各所述電極引出部的相對兩側(cè)分別形成第一電極和第二電極；

26、任一所述發(fā)光單元層中所述發(fā)光單元的電極引出部，與其他所述發(fā)光單元層中所述發(fā)光單元在所述發(fā)光單元層垂直堆疊的方向上的正投影不交疊。

27、可選地，所述提供垂直堆疊的至少兩個發(fā)光單元層，包括：

28、在襯底的一側(cè)提供外延結(jié)構(gòu)；所述外延結(jié)構(gòu)包括垂直堆疊的至少兩個發(fā)光單元層，所述發(fā)光單元層包括層疊設(shè)置第一整層半導(dǎo)體層、整層發(fā)光層和第二整層半導(dǎo)體層，各所述發(fā)光單元層的所述整層發(fā)光層的發(fā)光顏色不同；

29、分別對所述外延結(jié)構(gòu)進行正面圖形化和反面圖形化，在每個所述發(fā)光單元層形成多個發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，以及所述多個發(fā)光單元的發(fā)光部和電極引出部；

30、和/或，

31、所述沿著所述發(fā)光單元層垂直堆疊的方向上，各所述電極引出部的相對兩側(cè)分別形成所述第一電極和所述第二電極，包括：

32、在正面圖形化后，在所述電極引出部的所述第一半導(dǎo)體層遠離所述第二半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第一電極；在反面圖形化后，在所述電極引出部的所述第二半導(dǎo)體層遠離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二電極，形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)。

33、可選地，所述分別對所述外延結(jié)構(gòu)進行正面圖形化和反面圖形化，包括：

34、對所述外延結(jié)構(gòu)進行圖形化，形成多個像素定義槽，在每個所述發(fā)光單元層形成多個發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

35、在所述像素定義槽中形成隔離結(jié)構(gòu)；其中，所述隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于相鄰所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間，且所述隔離結(jié)構(gòu)不透光；

36、在所述外延結(jié)構(gòu)的第一表面對所述發(fā)光單元層進行圖形化，以在所述外延結(jié)構(gòu)的第一表面形成對應(yīng)于所述發(fā)光部和所述電極引出部的圖形化結(jié)構(gòu)；

37、在所述外延結(jié)構(gòu)的第二表面對所述發(fā)光單元層進行圖形化，以在所述外延結(jié)構(gòu)的第二表面形成對應(yīng)于所述發(fā)光部和電極引出部的圖形化結(jié)構(gòu)，形成多個所述發(fā)光部和所述電極引出部；其中，所述第一表面與所述第二表面為所述外延結(jié)構(gòu)相對的兩表面；

38、優(yōu)選的，所述在所述像素定義槽中形成隔離結(jié)構(gòu)，包括：

39、在所述外延結(jié)構(gòu)的第一表面以及所述像素定義槽的內(nèi)壁沉積絕緣材料，形成絕緣層；

40、在所述絕緣層遠離所述外延結(jié)構(gòu)的一側(cè)沉積阻光材料，形成阻光層；

41、對所述外延結(jié)構(gòu)形成有所述阻光層的一側(cè)進行平坦化，保留所述像素定義槽中的所述絕緣層和所述阻光層，形成所述隔離結(jié)構(gòu)。

42、本發(fā)明實施例的技術(shù)方案將至少兩個發(fā)光顏色不同的發(fā)光單元垂直堆疊，形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有方案中將各發(fā)光單元水平分布，可有效提高像素密度。各發(fā)光單元設(shè)置有發(fā)光部和發(fā)光部一側(cè)的電極引出部，且各電極引出部在沿著各發(fā)光單元垂直堆疊的方向上的正投影不交疊。將第一電極和第二電極分別設(shè)置于各電極引出部相對的兩表面，相比于將第一電極和第二電極均設(shè)置于發(fā)光單元的同一側(cè)，可減小電極制備區(qū)域在發(fā)光單元的外延結(jié)構(gòu)中的面積占比，從而有效提高像素開口率以及發(fā)光單元的外延結(jié)構(gòu)的利用率。并且將第一電極和第二電極分別設(shè)置于各電極引出部相對的兩表面，相比于將第一電極和第二電極均設(shè)置于發(fā)光單元的同一側(cè)，有利于降低光刻工藝的難度。

43、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識本發(fā)明的實施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。