本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電路的特征尺寸也在不斷縮小。為了滿足對集成電路的要求，場效應(yīng)晶體管的溝道長度不斷縮短，但是，短溝道效應(yīng)變得愈發(fā)嚴(yán)重，相應(yīng)地，限制了場效應(yīng)管的特征尺寸的進(jìn)一步減小。

2、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，場效應(yīng)管逐漸從平面型向更高效的立體型過渡，如鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)。鰭式場效應(yīng)晶體管中，柵極結(jié)構(gòu)至少可以從兩側(cè)對超薄體(鰭部)進(jìn)行控制，與平面場效應(yīng)管相比，柵極結(jié)構(gòu)對溝道的控制能力更強(qiáng)，能夠很好的抑制短溝道效應(yīng)；且鰭式場效應(yīng)晶體管相對于其他器件，與現(xiàn)有集成電路制造具有更好的兼容性。

3、在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，根據(jù)工藝要求，通常還需要鰭部中不需要的部分去除，以使鰭部的布局滿足設(shè)計(jì)要求。目前一種做法是通過鰭切(fin?cut)工藝來去除部分區(qū)域的鰭部。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，減小因刻蝕速率的差異而帶來的鰭切尺寸差異，從而使半導(dǎo)體形結(jié)構(gòu)的性能得到保證。

2、為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括襯底以及位于所述襯底上的分立的初始鰭部，所述基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，位于所述第一區(qū)域的初始鰭部作為第一初始鰭部，位于所述第二區(qū)域的初始鰭部作為第二初始鰭部，所述第一初始鰭部和第二初始鰭部的材料不同；在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中，同時(shí)對所述初始鰭部中的待刻蝕區(qū)域交替進(jìn)行第一刻蝕和第二刻蝕，以將所述初始鰭部沿其延伸方向分割為多個(gè)鰭部；其中，所述第一刻蝕對所述第一初始鰭部的刻蝕速率小于對所述第二初始鰭部的刻蝕速率，所述第二刻蝕對所述第二初始鰭部的刻蝕速率小于對所述第一初始鰭部的刻蝕速率。

3、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

4、本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，在第一區(qū)域和第二區(qū)域中，同時(shí)對初始鰭部中的待刻蝕區(qū)域交替進(jìn)行第一刻蝕和第二刻蝕，以將所述初始鰭部沿其延伸方向分割為多個(gè)鰭部，且所述第一刻蝕對所述第一初始鰭部的刻蝕速率小于對所述第二初始鰭部的刻蝕速率，所述第二刻蝕對所述第二初始鰭部的刻蝕速率小于對所述第一初始鰭部的刻蝕速率；由于第一初始鰭部和第二初始鰭部的材料不同，因此單一的刻蝕步驟對兩者往往具有刻蝕速率的差異，因此，本發(fā)明實(shí)施例利用第一刻蝕和第二刻蝕各自的刻蝕選擇性，對第一初始鰭部和第二初始鰭部的刻蝕速率差異進(jìn)行互補(bǔ)，因而能有效減小因刻蝕速率的差異而帶來的鰭切尺寸差異，進(jìn)而能夠改善半導(dǎo)體形結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述初始鰭部的材料包括硅、鍺化硅、鍺和ⅲ-ⅴ族半導(dǎo)體材料中的任意兩種，以使所述第一初始鰭部和第二初始鰭部的材料不同。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一初始鰭部的材料為硅，所述第二初始鰭部的材料為鍺化硅；

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕的工藝溫度小于或等于80攝氏度。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕的工藝溫度為20攝氏度至80攝氏度。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕的源功率大于或等于400瓦。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕在預(yù)設(shè)偏置電壓下進(jìn)行，所述預(yù)設(shè)偏置電壓小于或等于200伏。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)偏置電壓為100至200伏。

9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的參數(shù)包括：壓強(qiáng)為3毫托至80毫托，刻蝕氣體的流量為50毫升/分鐘至200毫升/分鐘。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一初始鰭部的材料為硅，所述第二初始鰭部的材料為鍺化硅；

11.如權(quán)利要求1或10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的刻蝕能力大于所述第二刻蝕的刻蝕能力；

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中，同時(shí)對所述初始鰭部中的待刻蝕區(qū)域交替進(jìn)行第一刻蝕和第二刻蝕的步驟中，所述第一刻蝕和第二刻蝕交替循環(huán)的次數(shù)為2次至10次。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述初始鰭部中的待刻蝕區(qū)域進(jìn)行一次或多次刻蝕處理，每一次刻蝕處理包括所述第一刻蝕和第二刻蝕；其中，

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，將所述初始鰭部沿其延伸方向分割為多個(gè)鰭部后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：在所述鰭部側(cè)部的襯底上形成隔離層，所述隔離層的頂部低于所述鰭部的頂部。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步驟中，所述初始鰭部的頂部形成有鰭部掩膜層；

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括襯底以及位于所述襯底上的分立的初始鰭部，所述基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的初始鰭部作為第一初始鰭部，第二區(qū)域的初始鰭部作為第二初始鰭部，所述第一初始鰭部和第二初始鰭部材料不同；同時(shí)對所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的初始鰭部交替進(jìn)行第一刻蝕和第二刻蝕，將所述初始鰭部進(jìn)行分割；其中，所述第一刻蝕對第一初始鰭部的刻蝕速率小于對第二初始鰭部的刻蝕速率，所述第二刻蝕對第二初始鰭部的刻蝕速率小于對第一初始鰭部的刻蝕速率。本發(fā)明實(shí)施例利用第一初始鰭部和第二初始鰭部的刻蝕速率差異進(jìn)行互補(bǔ)，能有效減小鰭切尺寸差異，因而能夠改善半導(dǎo)體形結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張恩寧,于蕾,趙振陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9