本發(fā)明涉及一種制作半導(dǎo)體元件，尤其是涉及一種切割晶片前于切割道內(nèi)填入較高介電常數(shù)的介電層的方法。

背景技術(shù)：

1、隨著科技進(jìn)展，擴(kuò)增實(shí)境(augmented?reality,ar)、虛擬實(shí)境(virtual?reality,vr)等技術(shù)逐漸成熟，在可預(yù)見的將來，擴(kuò)增實(shí)境與虛擬實(shí)境等技術(shù)將普遍應(yīng)用于人類生活，例如應(yīng)用于教育、物流、醫(yī)療和軍事等領(lǐng)域。

2、目前，擴(kuò)增實(shí)境與虛擬實(shí)境主要以頭帶式顯示裝置(head-mounted?display)來實(shí)現(xiàn)。其中現(xiàn)行頭戴式顯示裝置通常是將包含有高壓元件、中壓元件以及/或低壓元件的顯示器驅(qū)動(dòng)集成電路(display?driver?integrated?circuits,ddic)經(jīng)由很長(zhǎng)的導(dǎo)線或金屬內(nèi)連線連接至一顯示模塊(display?module)，而經(jīng)此設(shè)計(jì)所呈現(xiàn)的通常是尺寸較大的產(chǎn)品，不但占據(jù)空間又增加穿戴上的難度。因此，如何通過改良現(xiàn)行制作工藝來提供一種可用于ar或vr環(huán)境的顯示器即為現(xiàn)行一重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明一實(shí)施例揭露一種制作半導(dǎo)體元件的方法，其主要先定義一切割道于一晶片正面，其中晶片包含一金屬間介電層設(shè)于基底上以及一交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)于金屬間介電層上。然后去除部分交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)以于晶片正面形成一凹槽，形成一介電層于該凹槽內(nèi)，再沿著該切割道由晶片背面進(jìn)行一切割制作工藝并由此將晶片分隔為多個(gè)芯片。

2、本發(fā)明另一實(shí)施例揭露一種半導(dǎo)體元件，其主要包含一經(jīng)過切割制作工藝后取得的芯片，其中該芯片又包含一金屬間介電層設(shè)于基底上，一交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)于金屬間介電層上以及一介電層設(shè)于交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)側(cè)壁。

技術(shù)特征：

1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含：

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該晶片包含：

4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包含：

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)包含多個(gè)超低介電常數(shù)介電層以及多個(gè)阻障層相互交錯(cuò)堆疊。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該凹槽寬度小于該切割道寬度。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該介電層包含氧化硅。

8.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，還包含：

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該介電層側(cè)壁切齊該基底側(cè)壁。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)包含多個(gè)超低介電常數(shù)介電層以及多個(gè)阻障層相互交錯(cuò)堆疊。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該介電層包含氧化硅。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，其中該制作半導(dǎo)體元件的方法為，主要先定義一切割道于一晶片正面，其中晶片包含一金屬間介電層設(shè)于基底上以及一交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)于金屬間介電層上。然后去除部分交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)以于晶片正面形成一凹槽，形成一介電層于該凹槽內(nèi)，再沿著該切割道由晶片背面進(jìn)行一切割制作工藝并由此將晶片分隔為多個(gè)芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：林建廷,何凱光,林川嵐,王裕平,林鉅富,徐一峰,林裕杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30