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用于鋰離子電池的高含量硅碳陽(yáng)極的陽(yáng)極空隙空間耗盡的制作方法

文檔序號(hào):40558626發(fā)布日期:2025-01-03 11:18閱讀:6來(lái)源:國(guó)知局
用于鋰離子電池的高含量硅碳陽(yáng)極的陽(yáng)極空隙空間耗盡的制作方法

本公開涉及一種包括多孔電極涂層的陽(yáng)極電極及其制備方法,其中,所述多孔電極涂層能夠使膨脹硅顆粒膨脹到孔中。


背景技術(shù):

1、電化學(xué)能量存儲(chǔ)裝置,諸如鋰離子電池,可以用于為諸如玩具、消費(fèi)電子產(chǎn)品和機(jī)動(dòng)車輛的各種物品供電。通常,電池包括兩個(gè)電極,以及電解質(zhì)組件和/或隔膜。兩個(gè)電極中的一個(gè)通常用作正極電極或陰極,而另一個(gè)電極用作負(fù)極電極或陽(yáng)極。電化學(xué)電池單元可大致分為一次電池和二次電池。一次電池,也稱為一次性電池,旨在被使用直到耗盡,之后它們簡(jiǎn)單地用新電池替換。二次電池,更通常地被稱為可再充電電池,采用特定的化學(xué)成分,其允許這樣的電池被重復(fù)地再充電和再使用。

2、可再充電電池可以呈固體形式、液體形式或固體-液體混合形式。隔膜和/或電解質(zhì)可設(shè)置在負(fù)極電極和正極電極之間。在可再充電鋰離子電池中,電解質(zhì)通常用于在電極之間傳導(dǎo)鋰離子。通常,鋰離子電池通過(guò)在負(fù)極電極和正極電極之間可逆地來(lái)回傳遞鋰離子來(lái)工作。例如,鋰離子可在電池的充電期間從正極電極移動(dòng)到負(fù)極電極,而在電池放電時(shí)沿相反方向移動(dòng)。電池電極反復(fù)插入其相應(yīng)結(jié)構(gòu)中和從其中提取鋰離子的能力決定了電池單元的實(shí)際長(zhǎng)期充電容量。

3、能量密度描述了電池包含多少與電池的重量成比例的能量。較高的能量密度反映了電池輸送能量的較高容量。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供了一種用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極,所述陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層。所述陽(yáng)極電極包括:包括集電器的電極基底;以及多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層。電極涂層包括:包括石墨的表面材料,其中所述表面材料包括多個(gè)球形凹陷;碳顆粒;以及多個(gè)硅顆粒,所述多個(gè)硅顆粒附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁。所述球形凹陷被配置用于在所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹。

2、在一些實(shí)施例中,所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括所述多個(gè)硅顆粒的一部分。當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于未鋰化狀態(tài)時(shí),所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括是處于未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的內(nèi)部體積。

3、在一些實(shí)施例中,所述多個(gè)硅顆粒中的每一者永久地結(jié)合到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,使得所述多個(gè)硅顆粒通過(guò)所述鋰化狀態(tài)和所述未鋰化狀態(tài)保持與所述表面材料導(dǎo)電接觸。

4、在一些實(shí)施例中,所述多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層摻雜有氮、磷、銀、錫、鋰合金化材料或?qū)щ娫右詫⒐桢^定到表面材料上。

5、在一些實(shí)施例中,當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí),與當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于未鋰化狀態(tài)時(shí)所述陽(yáng)極電極的體積相比,所述陽(yáng)極電極在體積上膨脹至少5%。

6、根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例,提供了一種電池單元,包括用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極,所述陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層。所述電池單元包括陽(yáng)極電極。陽(yáng)極電極包括:包括集電器的電極基底;以及多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層。電極涂層包括具有石墨的表面材料。所述表面材料包括多個(gè)球形凹陷、碳顆粒、以及多個(gè)硅顆粒,其附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁。所述球形凹陷被配置用于在所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹。所述電池單元還包括陰極電極和電解質(zhì)。

7、在一些實(shí)施例中,所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括所述多個(gè)硅顆粒的一部分。當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于未鋰化狀態(tài)時(shí),所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括是處于未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的內(nèi)部體積。

8、在一些實(shí)施例中,所述多個(gè)硅顆粒中的每一者永久地結(jié)合到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,使得所述多個(gè)硅顆粒通過(guò)鋰化狀態(tài)和未鋰化狀態(tài)保持與所述表面材料導(dǎo)電接觸。

9、在一些實(shí)施例中,多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層摻雜有氮、磷、銀、錫或其它鋰合金化材料或?qū)щ娫右詫⒐桢^定到表面材料上。

10、根據(jù)一個(gè)替代實(shí)施例,提供了一種制造用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極的方法,該陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層。該方法包括:將多個(gè)硅顆粒附著到多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者,所述多個(gè)低溫燃盡顆粒被配置用于由于燃盡過(guò)程(burnoutprocess)而蒸發(fā)。該方法還包括:產(chǎn)生混合物。所述混合物包括:多個(gè)低溫燃盡顆粒,每個(gè)所述低溫燃盡顆粒包括所述多個(gè)硅顆粒;聚合物材料,其被配置用于由于燃盡過(guò)程而產(chǎn)生導(dǎo)電石墨;以及碳顆粒。該方法還包括:將所述混合物作為多個(gè)活性材料顆粒施加到電極基底;以及對(duì)所述多個(gè)活性材料顆粒運(yùn)行燃盡過(guò)程。所述燃盡過(guò)程:將所述聚合物材料轉(zhuǎn)化成所述石墨以形成所述多個(gè)活性材料顆粒的導(dǎo)電表面材料;并且蒸發(fā)多個(gè)低溫燃盡顆粒,從而在表面材料中留下多個(gè)球形凹陷,多個(gè)球形凹陷中的一者用于多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者。所述燃盡過(guò)程還導(dǎo)致所述多個(gè)硅顆粒附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁。所述球形凹陷被配置用于當(dāng)所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹。

11、在一些實(shí)施例中,將所述多個(gè)硅顆粒附著到被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者包括:將所述多個(gè)硅顆粒附著到多個(gè)聚苯乙烯泡沫球。

12、在一些實(shí)施例中,該方法還包括:在配置成使得配置成用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的低溫燃盡顆粒的體積是處于未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的尺寸范圍中,選擇配置成用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的多個(gè)低溫燃盡顆粒。

13、在一些實(shí)施例中,將所述多個(gè)硅顆粒附著到被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者包括:使被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒在硅塵(silicon?dust)中滾動(dòng)。

14、在一些實(shí)施例中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:將所述混合物作為漿料施加。

15、在一些實(shí)施例中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:通過(guò)電沉積工藝施加所述混合物。

16、在一些實(shí)施例中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:在所述電極基底上利用真空鼓裝置以實(shí)現(xiàn)所述活性材料顆粒在所述電極基底上的期望分散并且移除過(guò)量的活性材料顆粒。

17、在一些實(shí)施例中,所述方法還包括:將所述混合物摻雜氮、磷、銀、錫、或鋰合金化原子,均用于將所述硅顆粒錨定到所述內(nèi)壁。

18、在一些實(shí)施例中,所述方法還包括:向混合物中加入粘合劑、炭黑或碳納米管。

19、本發(fā)明還包括如下方案:

20、方案1.一種用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極,所述陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層,所述陽(yáng)極電極包括:

21、包括集電器的電極基底;以及

22、多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層,其包括:

23、包括石墨的表面材料,其中所述表面材料包括多個(gè)球形凹陷;

24、碳顆粒;以及

25、多個(gè)硅顆粒,所述多個(gè)硅顆粒附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,其中所述球形凹陷被配置用于在所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹。

26、方案2.根據(jù)方案1所述的陽(yáng)極電極,其中,所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括所述多個(gè)硅顆粒的一部分;以及

27、其中,當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于未鋰化狀態(tài)時(shí),所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括是處于未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的內(nèi)部體積。

28、方案3.根據(jù)方案1所述的陽(yáng)極電極,其中,所述多個(gè)硅顆粒中的每一者永久地結(jié)合到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,使得所述多個(gè)硅顆粒通過(guò)所述鋰化狀態(tài)和所述未鋰化狀態(tài)保持與所述表面材料處于導(dǎo)電接觸。

29、方案4.根據(jù)方案1所述的陽(yáng)極電極,其中,所述多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層摻雜有氮、磷、銀、錫、鋰合金化材料或?qū)щ娫右詫⑺龉桢^定到所述表面材料上。

30、方案5.根據(jù)方案1所述的陽(yáng)極電極,其中,當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于所述鋰化狀態(tài)時(shí),與當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于所述未鋰化狀態(tài)時(shí)所述陽(yáng)極電極的體積相比,所述陽(yáng)極電極在體積上膨脹在0%至5%的范圍。

31、方案6.一種電池單元,包括用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極,所述陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層,所述電池單元包括:

32、所述陽(yáng)極電極,其包括:

33、包括集電器的電極基底;以及

34、所述多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層,其包括:

35、包括石墨的表面材料,其中所述表面材料包括多個(gè)球形凹陷;

36、碳顆粒;以及

37、多個(gè)硅顆粒,其附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,其中所述球形凹陷被配置用于在所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹;

38、陰極電極;以及

39、電解質(zhì)。

40、方案7.根據(jù)方案6所述的電池單元,其中,所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括所述多個(gè)硅顆粒的一部分;以及

41、其中,當(dāng)所述多個(gè)硅顆粒處于未鋰化狀態(tài)時(shí),所述多個(gè)球形凹陷中的每一者包括是處于所述未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的內(nèi)部體積。

42、方案8.根據(jù)方案6所述的電池單元,其中,所述多個(gè)硅顆粒中的每一者永久地結(jié)合到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁,使得所述多個(gè)硅顆粒通過(guò)鋰化狀態(tài)和未鋰化狀態(tài)保持與所述表面材料處于導(dǎo)電接觸。

43、方案9.根據(jù)方案6所述的電池單元,其中,所述多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層摻雜有氮、磷、銀、錫或鋰合金化原子以將所述硅錨定到表面材料上。

44、方案10.一種制造用于鋰離子電池單元的陽(yáng)極電極的方法,所述陽(yáng)極電極包括硅和多孔碳質(zhì)陽(yáng)極電極涂層,所述方法包括:

45、將多個(gè)硅顆粒附著到多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者,所述多個(gè)低溫燃盡顆粒被配置用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā);

46、產(chǎn)生混合物,所述混合物包括被配置用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒、被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而產(chǎn)生導(dǎo)電石墨的聚合物材料以及碳顆粒,每個(gè)所述低溫燃盡顆粒包括所述多個(gè)硅顆粒;

47、將所述混合物作為多個(gè)活性材料顆粒施加到電極基底;

48、對(duì)所述多個(gè)活性材料顆粒運(yùn)行燃盡過(guò)程,其中所述燃盡過(guò)程:

49、將所述聚合物材料轉(zhuǎn)化成所述石墨以形成所述多個(gè)活性材料顆粒的導(dǎo)電表面材料;

50、蒸發(fā)被配置用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的多個(gè)低溫燃盡顆粒,從而在所述表面材料中留下多個(gè)球形凹陷,用于所述多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者的多個(gè)球形凹陷中的一者被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā);以及

51、導(dǎo)致所述多個(gè)硅顆粒附著到所述多個(gè)球形凹陷的內(nèi)壁;以及

52、其中所述球形凹陷被配置用于當(dāng)所述硅顆粒處于鋰化狀態(tài)時(shí)接收所述多個(gè)硅顆粒的膨脹。

53、方案11.根據(jù)方案10所述的方法,其中,將所述多個(gè)硅顆粒附著到被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者包括:將所述多個(gè)硅顆粒附著到多個(gè)聚苯乙烯泡沫球。

54、方案12.根據(jù)方案10所述的方法,還包括:在配置成使得配置成用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的低溫燃盡顆粒的體積是處于未鋰化狀態(tài)的硅顆粒的體積的至少三倍的尺寸范圍中,選擇配置成用于由于燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的多個(gè)低溫燃盡顆粒。

55、方案13.根據(jù)方案10所述的方法,其中,將所述多個(gè)硅顆粒附著到被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒中的每一者包括:使被配置用于由于所述燃盡過(guò)程而蒸發(fā)的所述多個(gè)低溫燃盡顆粒在硅塵中滾動(dòng)。

56、方案14.根據(jù)方案10所述的方法,其中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:將所述混合物作為漿料施加。

57、方案15.根據(jù)方案10所述的方法,其中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:通過(guò)電沉積工藝施加所述混合物。

58、方案16.根據(jù)方案10所述的方法,其中,將所述混合物施加到所述電極基底包括:在所述電極基底上利用真空鼓裝置以實(shí)現(xiàn)所述活性材料顆粒在所述電極基底上的期望分散。

59、方案17.根據(jù)方案10所述的方法,還包括:將所述混合物摻雜氮、磷、銀、錫、鋰合金化材料或?qū)щ娫右詫⑺龉桀w粒錨定到所述內(nèi)壁。

60、方案18.根據(jù)方案10所述的方法,還包括:向混合物中加入粘合劑、炭黑或碳納米管。

61、本公開的上述特征和優(yōu)點(diǎn)以及其他特征和優(yōu)點(diǎn)從對(duì)用于執(zhí)行本公開的最佳模式的以下詳細(xì)描述結(jié)合附圖將變得顯而易見。

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