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具有混合高度和混合納米帶寬度的單元行的制作方法

文檔序號:40571707發(fā)布日期:2025-01-03 11:32閱讀:14來源:國知局
具有混合高度和混合納米帶寬度的單元行的制作方法

本公開涉及集成電路,更具體而言涉及設(shè)計和形成用于集成電路的包括晶體管器件的單元。


背景技術(shù):

1、在設(shè)計和形成集成電路結(jié)構(gòu)時,利用每單位單元給定數(shù)量的晶體管開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)單位單元庫。在關(guān)于晶體管的互連層中還可以使用多個信號軌道,以形成通往各晶體管元件的連接。隨著器件和單位單元變得越來越小,使可用空間最大化并且同時減小寄生效應(yīng)變得困難。因此,為了改進ppa(功率、性能和面積)性能,相對于設(shè)計集成電路結(jié)構(gòu)各個單元的布局仍然有多個不可忽視的挑戰(zhàn)。


技術(shù)實現(xiàn)思路



技術(shù)特征:

1.一種集成電路結(jié)構(gòu),包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第一半導(dǎo)體主體包括一個或多個第一半導(dǎo)體納米帶,并且所述第二半導(dǎo)體主體包括一個或多個第二半導(dǎo)體納米帶。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述一個或多個第一半導(dǎo)體納米帶和所述一個或多個第二半導(dǎo)體納米帶包括鍺、硅、或其任意組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu),還包括沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相鄰行的第一單元和/或第二單元之間的邊界縱向延伸的柵極切口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第一方向與所述第二方向正交。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述至少一個第一單元的所述兩個或更多個晶體管器件的第三晶體管器件包括具有所述第二寬度的第三半導(dǎo)體主體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述至少一個第一單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第一寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體,并且所述至少一個第二單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第二寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu),還包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第一多個導(dǎo)電層由四個導(dǎo)電層構(gòu)成,并且所述第二多個導(dǎo)電層由三個導(dǎo)電層構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,沿所述第一方向的所述第二寬度比所述第一寬度短至少10nm。

11.一種印刷電路板,所述印刷電路板包括根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu)。

12.一種集成電路設(shè)計系統(tǒng),包括:

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路設(shè)計系統(tǒng),其中,所述設(shè)計包括設(shè)計沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相鄰行的第一單元和/或第二單元之間的邊界縱向延伸的柵極切口。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路設(shè)計系統(tǒng),其中,所述至少一個第一單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第一寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體,并且所述至少一個第二單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第二寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體。

15.根據(jù)權(quán)利要求12-14中的任一項所述的集成電路設(shè)計系統(tǒng),其中,所述方法還包括:

16.一種集成電路結(jié)構(gòu),包括:

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第一半導(dǎo)體主體包括一個或多個第一半導(dǎo)體納米帶,并且所述第二半導(dǎo)體主體包括一個或多個第二半導(dǎo)體納米帶。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述一個或多個第一半導(dǎo)體納米帶和所述一個或多個第二半導(dǎo)體納米帶包括鍺、硅、或其任意組合。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路結(jié)構(gòu),還包括沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相鄰行的第一單元和/或第二單元之間的邊界縱向延伸的柵極切口。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第一方向與所述第二方向正交。

21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述至少一個第一單元的所述兩個或更多個晶體管器件的第三晶體管器件包括具有所述第二寬度的第三半導(dǎo)體主體。

22.根據(jù)權(quán)利要求16-21中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述至少一個第一單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第一寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體,并且所述至少一個第二單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的每個晶體管器件包括具有基本相同的第二寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路結(jié)構(gòu),還包括多個第三單元,每個第三單元具有沿所述第一方向的基本相同的相應(yīng)高度,其中,每個第三單元具有相應(yīng)兩個或更多個晶體管器件,其中,所述多個第三單元布置成一個或多個第三行,并且其中,至少一個第三單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的至少一個晶體管器件包括具有基本相同的第一寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體,并且所述至少一個第三單元的所述兩個或更多個晶體管器件中的至少一個晶體管器件包括具有基本相同的第二寬度的相應(yīng)半導(dǎo)體主體。

24.根據(jù)權(quán)利要求16-21中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,沿所述第一方向的所述第二寬度比所述第一寬度短至少10nm。

25.一種印刷電路板,所述印刷電路板包括根據(jù)權(quán)利要求16-21中的任一項所述的集成電路結(jié)構(gòu)。


技術(shù)總結(jié)
描述的技術(shù)用于設(shè)計和形成用于集成電路的包括晶體管器件的單元。在示例中,一種集成電路結(jié)構(gòu)包括布置成行的多個單元,其中,一些行與其他行相比具有不同的單元高度。此外,各行的單元可以包含不同行之間具有不同寬度的半導(dǎo)體納米帶。例如,任意數(shù)量的第一行單元可以均具有第一高度,任意數(shù)量的第二行單元可以均具有第二高度,第二高度比第一高度小。第一行單元可以包括具有第一寬度的半導(dǎo)體納米帶的晶體管,并且第二行單元可以包括具有第二寬度的半導(dǎo)體納米帶的晶體管,第二寬度比第一寬度小。在一些情況下,第一行單元的任何單元還可以包括具有第二寬度的半導(dǎo)體納米帶的晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員:S·葉梅尼喬格魯,D·斯托特,T-H·吳,X·王,R·布雷恩,C-H·陳,S·文卡塔拉曼,Q·石,N·R·弗拉狄米羅維奇
受保護的技術(shù)使用者:英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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