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用于集成電路器件對準的具有下方虛設金屬化部的標記的制作方法

文檔序號:40545524發(fā)布日期:2025-01-03 11:04閱讀:10來源:國知局
用于集成電路器件對準的具有下方虛設金屬化部的標記的制作方法


背景技術:

1、混合鍵合互連是一種涉及兩個半導體器件之間的電連接和機械連接的封裝技術。為了將兩個半導體器件鍵合在一起,在施加壓力下和/或在升高溫度下將器件的表面結合在一起?;旌湘I合互連使得能夠利用各種鍵合方法(例如,電介質與電介質鍵合和金屬與金屬鍵合)將異構半導體器件(例如,使用不同的技術節(jié)點或材料)集成到單個晶圓或封裝上。

2、混合鍵合工藝中涉及的器件可以包括一個或多個標記(fiducial)(例如,在制造和組裝過程期間用于對準和定位目的的結構)。標記的相對定位可以被檢測,并用于提供器件是否被適當對準的指示。


技術實現思路



技術特征:

1.一種設備,包括:

2.根據權利要求1所述的設備,其中,所述無金屬縫隙彼此平行。

3.根據權利要求1所述的設備,其中,所述無金屬縫隙在相鄰無金屬縫隙之間具有共同間距。

4.根據權利要求1所述的設備,還包括:

5.根據權利要求4所述的設備,其中,所述無金屬縫隙具有沿第一方向的長度,其中,所述第二無金屬縫隙具有沿正交于所述第一方向的第二方向的長度。

6.根據權利要求1所述的設備,其中,所述標記的大部分片段不平行于所述無金屬縫隙。

7.根據權利要求1所述的設備,其中,所述標記的外周邊和內周邊都是菱形形狀的。

8.根據權利要求1所述的設備,其中,所述標記具有環(huán)形形狀。

9.根據權利要求1所述的設備,其中,所述標記的寬度大于所述金屬化部的條的寬度。

10.根據權利要求1-9中的任一項所述的設備,其中,所述第一層是所述集成電路器件的鍵合層。

11.根據權利要求10所述的設備,其中,所述第二層是所述集成電路器件的金屬互連層。

12.根據權利要求1-9中的任一項所述的設備,所述設備還包括附接到所述第一集成電路器件的印刷電路板。

13.根據權利要求12所述的設備,還包括耦接到所述印刷電路板的第二集成電路器件。

14.一種系統,包括:

15.根據權利要求14所述的系統,其中,所述封裝還包括第二集成電路器件,所述第二集成電路器件包括:

16.根據權利要求15所述的系統,其中,所述第一集成電路器件鍵合到所述第二集成電路器件。

17.根據權利要求16所述的系統,還包括耦接到所述印刷電路板的第三集成電路器件。

18.一種設備,包括:

19.根據權利要求18所述的設備,還包括:

20.根據權利要求18-19中的任一項所述的設備,其中,所述標記和所述第二標記具有共同形狀,但具有不同尺寸。

21.一種方法,包括:

22.根據權利要求21所述的方法,其中,所述無金屬縫隙彼此平行。

23.根據權利要求21所述的方法,其中,所述無金屬縫隙在相鄰無金屬縫隙之間具有共同間距。

24.根據權利要求21所述的方法,其中,所述無金屬縫隙具有沿第一方向的長度,其中,第二無金屬縫隙具有沿正交于所述第一方向的第二方向的長度。

25.根據權利要求21-24中的任一項所述的方法,還包括:


技術總結
本公開涉及用于集成電路器件對準的具有下方虛設金屬化部的標記。一種設備包括第一集成電路器件,該第一集成電路器件包括:第一層,第一層具有包括金屬化部和無金屬縫隙的區(qū)域;以及標記,所述標記在所述第一層上方的第二層中,所述標記形成于包括所述金屬化部和無金屬縫隙的所述區(qū)域上方。

技術研發(fā)人員:O·G·卡爾哈德,N·A·德什潘德,F·瑪雅,B·J·克里什納特賴亞,T·阮,董思炎,A·吉爾,K·E·扎瓦茲基
受保護的技術使用者:英特爾公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/2
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