本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備的晶圓處理設(shè)備，特別涉及一種用于晶圓處理設(shè)備的氣體分配裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體晶圓處理設(shè)備是處理晶圓的裝置，可以對(duì)晶圓表面進(jìn)行刻蝕、薄膜沉積、清潔等處理，上述晶圓處理設(shè)備均需要在工藝過(guò)程中通入工藝氣體，然而工藝氣體的控制(如流量、流速)對(duì)工藝結(jié)果至關(guān)重要，現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)在氣體管路中安裝質(zhì)量流量控制器(mfc)來(lái)控制工藝氣體。

2、但是，工藝過(guò)程中，在調(diào)節(jié)工藝氣體流量時(shí)，由于突然的流量變化，會(huì)導(dǎo)致工藝氣體產(chǎn)生不穩(wěn)，這種現(xiàn)象在進(jìn)氣端具有多個(gè)區(qū)時(shí)，由于各區(qū)之間的相互影響，導(dǎo)致這一問(wèn)題更為嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種氣體分配裝置及晶圓處理設(shè)備，用于解決氣流穩(wěn)定控制的問(wèn)題。

2、為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

3、本實(shí)用新型提供了一種氣體分配裝置，包括：

4、主管路，其與工藝氣體的源連接；

5、支路管路，所述支路管路為至少兩個(gè)，每一所述支路管路的一端與所述主管路連接，每一所述支路管路的另一端分別與所述晶圓處理設(shè)備的腔室的進(jìn)氣件的一個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)連接；所述支路管路包括閥，所述閥設(shè)置于所述支路管路；

6、壓力計(jì)，所述壓力計(jì)設(shè)置于所述閥的上游，用于檢測(cè)所述閥上游的壓力值，所述壓力計(jì)至少為兩個(gè)，分別設(shè)置于每一所述支路管路上；

7、控制器，所述控制器分別與所述壓力計(jì)和所述閥連接，用于根據(jù)所述壓力計(jì)的所述壓力值的變化控制所述閥的開(kāi)度值。

8、進(jìn)一步，所述支路管路還包括流量計(jì)，所述流量計(jì)設(shè)置于所述閥的上游，所述壓力計(jì)設(shè)置于所述流量計(jì)的上游。

9、進(jìn)一步，還包括：分配管路，所述主管路通過(guò)分配管路分別與所述支路管路連接。

10、進(jìn)一步，所述閥為壓電陶瓷閥。

11、進(jìn)一步，所述支路管路為三個(gè)。

12、進(jìn)一步，所述主管路包括質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器設(shè)置于所述主管路。

13、進(jìn)一步，所述主管路還包括上游壓力計(jì)，所述上游壓力計(jì)設(shè)置于所述質(zhì)量流量控制器的上游。

14、進(jìn)一步，所述控制器與所述上游壓力計(jì)連接，所述壓力值的變化為所述壓力計(jì)相對(duì)于所述上游壓力計(jì)的變化。

15、本實(shí)用新型還提供了一種晶圓處理設(shè)備，包括：

16、源，所述源存儲(chǔ)工藝氣體；

17、腔室，用于對(duì)晶圓進(jìn)行處理；

18、氣體分配裝置，所述氣體分配裝置為如上述的氣體分配裝置，所述源通過(guò)所述氣體分配裝置與腔室連接。

19、進(jìn)一步，所述腔室包括進(jìn)氣件，所述進(jìn)氣件被分隔成至少兩個(gè)區(qū)。

20、進(jìn)一步，所述腔室為外延腔室。

21、進(jìn)一步，還包括泵，所述泵與所述腔室連接，用于控制所述腔室內(nèi)晶圓處理的壓力。

22、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)：

23、本實(shí)用新型通過(guò)在支路管路設(shè)置閥，在閥的上游設(shè)置壓力計(jì)，用壓力計(jì)監(jiān)測(cè)壓力是否變化，當(dāng)壓力變化時(shí)，通過(guò)控制閥的開(kāi)度值，從而快速穩(wěn)定壓力，最終穩(wěn)定支路管路中的工藝氣體的流量，穩(wěn)定了工藝氣體。

技術(shù)特征：

1.一種氣體分配裝置，應(yīng)用于晶圓處理設(shè)備，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述支路管路還包括流量計(jì)，所述流量計(jì)設(shè)置于所述閥的上游，所述壓力計(jì)設(shè)置于所述流量計(jì)的上游。

3.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，還包括：分配管路，所述主管路通過(guò)分配管路分別與所述支路管路連接。

4.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述閥為壓電陶瓷閥。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述支路管路為三個(gè)。

6.如權(quán)利要求1-4任一所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述主管路包括質(zhì)量流量控制器，所述質(zhì)量流量控制器設(shè)置于所述主管路。

7.如權(quán)利要求6所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述主管路還包括上游壓力計(jì)，所述上游壓力計(jì)設(shè)置于所述質(zhì)量流量控制器的上游。

8.如權(quán)利要求7所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述控制器與所述上游壓力計(jì)連接，所述壓力值的變化為所述壓力計(jì)相對(duì)于所述上游壓力計(jì)的變化。

9.一種晶圓處理設(shè)備，其特征在于，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述腔室包括進(jìn)氣件，所述進(jìn)氣件被分隔成至少兩個(gè)區(qū)。

11.如權(quán)利要求9所述的晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述腔室為外延腔室。

12.如權(quán)利要求9所述的晶圓處理設(shè)備，其特征在于，還包括泵，所述泵與所述腔室連接，用于控制所述腔室內(nèi)晶圓處理的壓力。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種氣體分配裝置，應(yīng)用于晶圓處理設(shè)備，包括：主管路，其與工藝氣體的源連接；支路管路，所述支路管路為至少兩個(gè)，每一所述支路管路的一端與所述主管路連接，每一所述支路管路的另一端分別與所述晶圓處理設(shè)備的腔室的進(jìn)氣件的一個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)連接；所述支路管路包括閥，所述閥設(shè)置于所述支路管路；壓力計(jì)，所述壓力計(jì)設(shè)置于所述閥的上游，用于檢測(cè)所述閥上游的壓力值，所述壓力計(jì)至少為兩個(gè)，分別設(shè)置于每一所述支路管路上；控制器，所述控制器分別與所述壓力計(jì)和所述閥連接，用于根據(jù)所述壓力計(jì)的所述壓力值的變化控制所述閥的開(kāi)度值。本技術(shù)的氣體分配裝置可以提供穩(wěn)定的流量。

技術(shù)研發(fā)人員：陳佳偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇天芯微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231127
技術(shù)公布日：2025/1/9