1.一種帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述引出口控制裝置包括遮擋組件，所述遮擋組件可活動地設(shè)置于所述帶電粒子束生成腔體之外；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述遮擋組件包括在周向上依次排布的多個遮擋板，多個所述遮擋板的內(nèi)周面合圍構(gòu)成引出控制口，所述引出控制口與所述引出口對應(yīng)設(shè)置；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述引出控制口與所述引出口同軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述引出口控制裝置還包括環(huán)形安裝件，所述環(huán)形安裝件的環(huán)孔與所述引出口同軸設(shè)置；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，每個所述遮擋板伸入至所述環(huán)孔中的部分，與相鄰的兩個所述遮擋板伸入至所述環(huán)孔中的部分在所述環(huán)形安裝件的軸向上部分交疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，每個所述遮擋板與相鄰的兩個所述遮擋板的交疊部分，分別位于相鄰的兩個所述遮擋板的不同側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，在每個所述導(dǎo)向槽的相對于所述開口的側(cè)面形成有沿所述引出控制口的徑向貫通至所述環(huán)形安裝件的外周面的移動通道；
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述引出口控制裝置還包括環(huán)形固定件，所述環(huán)形固定件與所述環(huán)形安裝件固定連接，用于將各所述遮擋板限制在對應(yīng)的所述導(dǎo)向槽中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述環(huán)形固定件與所述環(huán)形安裝件之間設(shè)置有定位結(jié)構(gòu)，用于限定所述環(huán)形固定件與所述環(huán)形安裝件的相對位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述定位結(jié)構(gòu)包括形成于所述環(huán)形安裝件的所述導(dǎo)向槽所在表面上的凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)在所述環(huán)形安裝件上構(gòu)成定位凹槽，用于限定所述環(huán)形固定件在所述環(huán)形安裝件上的相對位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)包括沿所述環(huán)形安裝件的所述導(dǎo)向槽所在表面的外周邊緣設(shè)置的環(huán)形凸起，和設(shè)置于所述環(huán)形安裝件的所述導(dǎo)向槽所在表面的內(nèi)周邊緣，且位于各相鄰的兩個所述導(dǎo)向槽之間的凸塊，所述環(huán)形凸起的內(nèi)周面與所述環(huán)形固定件的外周面相配合；所述凸塊的相對于所述環(huán)形凸起的表面與所述環(huán)形固定件的內(nèi)周面相配合。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，所述引出口控制裝置還包括多個限位桿；
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶電粒子束發(fā)生器，其特征在于，每個所述限位桿的朝向所述通道開口的一端設(shè)置有沿靠近所述遮擋板的方向彎折的彎折部；每個所述遮擋板的相鄰于所述環(huán)形固定件的表面的內(nèi)周邊緣處形成有固定孔；
15.一種離子束刻蝕設(shè)備，包括工藝腔室，和在第一方向上相對設(shè)置于所述工藝腔室內(nèi)的離子源生成裝置和承載裝置，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-14中任意一項所述的帶電粒子束發(fā)生器，所述帶電粒子束發(fā)生器設(shè)置于所述工藝腔室的腔體上，且所述引出口與所述工藝腔室連通，且朝向第二方向，用于向所述工藝腔室內(nèi)引出帶電粒子束，其中，所述第二方向與所述第一方向成角度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的離子束刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括傳感器，所述傳感器用于獲取所述帶電粒子束生成腔體中等離子體密度，所述引出口控制裝置還用于根據(jù)所述傳感器獲取的所述等離子體密度，調(diào)節(jié)所述引出口的引出面積。