本技術(shù)屬于半導(dǎo)體裝備，尤其涉及一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著芯片的器件尺寸減小，在沉積0.8um(8000a)以下的溝槽時(shí)，pecvd不再具備很好的臺(tái)階覆蓋性，經(jīng)常會(huì)形成夾斷，而有空洞。主要是因?yàn)殚g隙開口處和間隙底部的淀積率不同而造成的，為了解決pecvd淀積空洞的問(wèn)題，hdp(高密度等離子體))就應(yīng)用而生了。

2、在初始淀積完成部分填孔洞尚未發(fā)生夾斷時(shí)緊跟著進(jìn)行刻蝕工藝以重新打開間隙入口，之后再次淀積以完成對(duì)整個(gè)間隙的填充。hdp工藝最核心的控制參數(shù)就是d/s，d為沉積速率，s為濺射速率。通過(guò)控制d/s的大小，來(lái)改變填充情況。但是調(diào)節(jié)并改善濺射均勻性成為hdp的一大難點(diǎn)，通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)對(duì)其的改善微不足道，射頻功率通過(guò)射頻線圈(側(cè)線圈)激發(fā)出電磁場(chǎng)，反應(yīng)氣體在耦合電磁場(chǎng)的作用下在腔內(nèi)發(fā)生電離形成等離子體。因此，射頻線圈的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到電磁場(chǎng)的強(qiáng)度和空間分布，進(jìn)而影響到等離子體狀態(tài)和工藝結(jié)果，而傳統(tǒng)設(shè)備無(wú)法調(diào)節(jié)側(cè)線圈位置去改變等離子體分布，因此對(duì)hdp工藝參數(shù)改善不理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)對(duì)其的改善不大，且只有側(cè)線圈的功率以及等離子體的分布對(duì)其影響較大，以及現(xiàn)有設(shè)備無(wú)法調(diào)節(jié)側(cè)線圈位置去改變等離子體分布等問(wèn)題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，包括底座，所述底座上設(shè)有反應(yīng)腔室，所述底座的反應(yīng)腔室上方安裝有陶瓷穹頂，所述陶瓷穹頂?shù)膱A弧面套有側(cè)線圈，所述側(cè)線圈的圓弧面卡接有若干夾持塊，所述夾持塊的一側(cè)卡接有用以調(diào)節(jié)夾持塊位置的調(diào)整環(huán)，所述調(diào)整環(huán)的一側(cè)滑動(dòng)連接有壓緊支架，所述壓緊支架的一端開設(shè)有螺紋孔。

3、上述部件所達(dá)到的效果為：當(dāng)需要對(duì)側(cè)線圈高度進(jìn)行調(diào)整來(lái)改變反應(yīng)腔室中心及四周區(qū)域的電磁場(chǎng)分布來(lái)改善工藝效果時(shí)，可以先上下拉動(dòng)調(diào)整環(huán)，使調(diào)整環(huán)帶動(dòng)夾持塊上下移動(dòng)，同時(shí)帶動(dòng)側(cè)線圈進(jìn)行上下移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)側(cè)線圈高度進(jìn)行調(diào)整的效果，當(dāng)將側(cè)線圈高度調(diào)整合適后，直接推動(dòng)壓緊支架，使側(cè)線圈抵在陶瓷穹頂上，然后借助螺絲對(duì)壓緊支架進(jìn)行固定。

4、優(yōu)選的，所述調(diào)整環(huán)內(nèi)開設(shè)有螺孔，所述調(diào)整環(huán)的螺孔內(nèi)部螺紋連接有頂絲。

5、上述部件所達(dá)到的效果為：達(dá)到了可以直接轉(zhuǎn)動(dòng)頂絲，使頂絲下端抵在底座上，頂絲借助螺紋帶動(dòng)調(diào)整環(huán)上下移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定調(diào)節(jié)側(cè)線圈高度的效果。

6、優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)塊靠近夾持塊的一側(cè)開設(shè)有卡槽，所述夾持塊對(duì)應(yīng)調(diào)節(jié)塊卡槽的位置設(shè)有凸塊，所述夾持塊的凸塊卡在調(diào)節(jié)塊的卡槽中。

7、上述部件所達(dá)到的效果為：達(dá)到了使調(diào)整環(huán)和夾持塊之間連接更加穩(wěn)定。

8、優(yōu)選的，所述調(diào)整環(huán)為聚酰亞胺材質(zhì)。

9、上述部件所達(dá)到的效果為：首先調(diào)整環(huán)采用聚酰亞胺可以使調(diào)整環(huán)耐度高溫，進(jìn)而滿足采用該工藝時(shí)，調(diào)整環(huán)不會(huì)發(fā)生形變，保證工藝能正常使用。

10、優(yōu)選的，所述調(diào)整環(huán)為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且調(diào)整環(huán)的圓心與側(cè)線圈圓心相重合。

11、上述部件所達(dá)到的效果為：調(diào)整環(huán)采用環(huán)形結(jié)構(gòu)可以使側(cè)線圈上下移動(dòng)更加平穩(wěn)。

12、優(yōu)選的，所述壓緊支架的截面呈“l(fā)”形，所述壓緊支架的長(zhǎng)臂端和短臂端均為彎折狀，且壓緊支架的彎折位置做圓角處理。

13、綜上所述，本實(shí)用新型的有益效果為：

14、本實(shí)用新型中，當(dāng)需要調(diào)整側(cè)線圈相對(duì)陶瓷穹頂高度時(shí)，先按壓調(diào)整環(huán)保證調(diào)整環(huán)位置不動(dòng)，然后轉(zhuǎn)動(dòng)頂絲，使頂絲借助螺紋上下移動(dòng)，調(diào)整頂絲位置的同時(shí)，使頂絲下端始終與底座接觸，從而實(shí)現(xiàn)借助調(diào)整頂絲從調(diào)整環(huán)下方露出長(zhǎng)度來(lái)調(diào)整側(cè)線圈相對(duì)陶瓷穹頂高度的效果，在調(diào)整環(huán)移動(dòng)時(shí)，調(diào)整環(huán)會(huì)借助卡槽帶動(dòng)夾持塊連帶凸塊移動(dòng)，當(dāng)將側(cè)線圈高度調(diào)整到合適高度后，直接借助螺絲對(duì)壓緊支架進(jìn)行固定，此時(shí)壓緊支架會(huì)將調(diào)整好高度的側(cè)線圈抵在陶瓷穹頂上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)側(cè)線圈高度進(jìn)行固定的效果，通過(guò)設(shè)置該結(jié)構(gòu)，首先可用改變側(cè)線圈位置來(lái)改變電磁場(chǎng)強(qiáng)度和空間分布進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)整工藝的目的，同時(shí)結(jié)構(gòu)操作簡(jiǎn)單，給操作人員帶來(lái)便捷。

技術(shù)特征：

1.一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其包括底座(7)，其特征在于：所述底座(7)上設(shè)有反應(yīng)腔室，所述底座(7)的反應(yīng)腔室上方安裝有陶瓷穹頂(1)，所述陶瓷穹頂(1)的圓弧面套有側(cè)線圈(2)，所述側(cè)線圈(2)的圓弧面卡接有若干夾持塊(3)，所述夾持塊(3)的一側(cè)卡接有用以調(diào)節(jié)夾持塊(3)位置的調(diào)整環(huán)(4)，所述調(diào)整環(huán)(4)的一側(cè)滑動(dòng)連接有壓緊支架(5)，所述壓緊支架(5)的一端開設(shè)有螺紋孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述調(diào)整環(huán)(4)內(nèi)開設(shè)有螺孔，所述調(diào)整環(huán)(4)的螺孔內(nèi)部螺紋連接有頂絲(6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述調(diào)整環(huán)靠近夾持塊(3)的一側(cè)開設(shè)有卡槽，所述夾持塊(3)對(duì)應(yīng)調(diào)節(jié)塊卡槽的位置設(shè)有凸塊，所述夾持塊(3)的凸塊卡在調(diào)節(jié)塊的卡槽中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述調(diào)整環(huán)(4)為聚酰亞胺材質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述調(diào)整環(huán)(4)為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且調(diào)整環(huán)(4)的圓心與側(cè)線圈(2)圓心相重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述壓緊支架(5)的截面呈“l(fā)”形，所述壓緊支架(5)的長(zhǎng)臂端和短臂端均為彎折狀，且壓緊支架(5)的彎折位置做圓角處理。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種應(yīng)用于高密度等離子體側(cè)線圈的調(diào)整結(jié)構(gòu)，其包括底座，所述底座上設(shè)有反應(yīng)腔室，所述底座的反應(yīng)腔室上方安裝有陶瓷穹頂，所述陶瓷穹頂?shù)膱A弧面套有側(cè)線圈，所述側(cè)線圈的圓弧面卡接有若干夾持塊，所述夾持塊的一側(cè)卡接有用以調(diào)節(jié)夾持塊位置的調(diào)整環(huán)，所述調(diào)整環(huán)的一側(cè)滑動(dòng)連接有壓緊支架，所述壓緊支架的一端開設(shè)有螺紋孔，所述調(diào)整環(huán)內(nèi)開設(shè)有螺孔，所述調(diào)整環(huán)的螺孔內(nèi)部螺紋連接有頂絲。本技術(shù)解決了現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)對(duì)濺射均勻性改善不大，且只有側(cè)線圈的功率以及等離子體的分布對(duì)其影響較大，以及現(xiàn)有設(shè)備無(wú)法調(diào)節(jié)側(cè)線圈位置去改變等離子體分布等問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：潘鐵壯,祁廣杰,初春,李久龍,蘇宇,田才忠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：盛吉盛（寧波）半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231214
技術(shù)公布日：2025/1/2