本技術(shù)涉及射頻模組封裝，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組。

背景技術(shù)：

1、射頻(radio?frequency，rf)模組(module)是一種將濾波器(filter)、雙工/多工器(diplexer/duplexer/multiplexer)、低噪聲放大器(low?noise?amplifier，lna)、功率放大器(power?amplifier，pa)以及射頻開關(guān)(switch)中的兩種或者兩種以上分立器件，集成在同一個模組中的設(shè)計方案，可以提高射頻芯片的集成度并使其進一步小型化。

2、近年來，射頻前端模組中各組件之間的距離越來越小，導(dǎo)致組件之間的相互干擾問題日益嚴重。為了降低封裝模組中各組件/子系統(tǒng)之間的相互干擾，模組制造過程中通常會采用分區(qū)屏蔽的方式實現(xiàn)對敏感組件/子系統(tǒng)的電磁屏蔽。

3、目前封裝結(jié)構(gòu)中，一般通過金屬屏蔽罩或者普通屏蔽線來實現(xiàn)分腔屏蔽。當通過普通屏蔽線對大尺寸芯片進行分腔屏蔽時，將焊線通過球焊方式焊接于基板上的焊墊，使得焊線橫跨芯片。由于橫跨芯片幅度比較大，必須拉高焊線弧度、增加弧長，否則焊線會落于芯片上，可能會造成電性問題。當采用金屬罩進行分腔屏蔽時，金屬罩體積大，造成整個封裝體積大；金屬罩內(nèi)芯片也無法進行塑封保護，可能會造成濕氣滲透入金屬罩內(nèi)，影響產(chǎn)品的可靠性；同時，由于金屬罩體積比較大，在塑封過程中，可能會影響塑封料的流動，造成空洞問題。此外，金屬罩電磁屏蔽的成本會相對較高。

4、因此，如何降低封裝屏蔽結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度，是本技術(shù)方案所要解決的關(guān)鍵問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決背景技術(shù)中提到的至少一個技術(shù)問題，本實用新型的目的在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組，可以降低封裝屏蔽結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本實用新型實施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括

4、基板、射頻器件、金屬屏蔽結(jié)構(gòu)；

5、所述基板上設(shè)置有焊盤，用于將所述射頻器件焊接在所述基板的第一表面；

6、所述射頻器件中包括至少一個待屏蔽器件；

7、所述金屬屏蔽結(jié)構(gòu)包括呈豎直方向排布的金屬陣列和呈水平方向分布的金屬屏蔽層；豎直方向的金屬陣列與水平方向的金屬屏蔽層構(gòu)成金屬屏蔽腔，所述金屬屏蔽腔容納所述待屏蔽器件；

8、其中，所述金屬陣列包括多個焊接在所述基板的第一表面的金屬體，所述金屬陣列包圍所述待屏蔽器件。

9、進一步的，有至少兩層所述金屬陣列包圍在所述待屏蔽器件周圍，每一層所述金屬陣列中的金屬體與相鄰層所述金屬陣列中的金屬體交錯分布。

10、進一步的，所述金屬陣列圍成的圖形與所述待屏蔽器件的俯視圖形相似。

11、進一步的，所述金屬體包括金屬柱和金屬墩中的至少一種。

12、進一步的，還包括填充在所述基板的第一表面和所述射頻器件的表面的第一塑封層；

13、所述金屬體的高度大于所述待屏蔽器件的高度，且所述金屬體裸露于所述第一塑封層的第一表面；

14、所述金屬屏蔽層是通過濺鍍工藝設(shè)置在所述第一塑封層的第一表面的金屬膜，所述金屬屏蔽層與所述金屬體露出的一端連接，且與所述基板連接。

15、進一步的，所述金屬體的高度等于所述第一塑封層的高度。

16、進一步的，所述射頻器件包括第一類器件和/或第二類器件，所述第一類器件為不能底填的器件，所述第二類器件為需要底填的器件。

17、進一步的，還包括填充在所述基板的第一表面和所述射頻器件的表面的第二塑封層；

18、所述金屬屏蔽層包括多個第一屏蔽線弧，所述第一屏蔽線弧的一端與位于所述待屏蔽器件第一側(cè)的金屬體連接，另一端跨越所述待屏蔽器件，并與位于所述待屏蔽器件第二側(cè)的金屬體連接，其中，所述第一側(cè)與所述第二側(cè)相對；

19、所述第二塑封層的高度大于所述金屬屏蔽層的高度。

20、進一步的，所述金屬屏蔽層還包括多個第二屏蔽線弧，所述第二屏蔽線弧的一端與位于所述待屏蔽器件第三側(cè)的金屬體連接，另一端跨越所述待屏蔽器件，并與位于所述待屏蔽器件第四側(cè)的金屬體連接，其中，所述第三側(cè)與所述第四側(cè)相對。

21、進一步的，所述金屬屏蔽層還包括多個第三屏蔽線弧，所述第三屏蔽線弧的一端與位于所述待屏蔽器件的第一側(cè)/第二側(cè)的金屬體連接，另一端與位于所述待屏蔽器件的第三側(cè)/第四側(cè)的金屬體連接。

22、進一步的，有至少兩層所述金屬陣列包圍在所述待屏蔽器件周圍，每一層所述金屬陣列中的金屬體與相鄰層所述金屬陣列中的金屬體交錯分布；

23、針對每一層所述金屬陣列，均采用上述布線方式設(shè)置第一屏蔽線弧。

24、第二方面，本實用新型實施例還提供了一種射頻模組，包括上述任一種封裝結(jié)構(gòu)。

25、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：

26、在待屏蔽器件周圍設(shè)置由金屬體組成的金屬陣列，金屬屏蔽層與金屬體露出第一塑封層的一端連接，且與基板連接，實現(xiàn)了待屏蔽器件的分腔屏蔽，沒有復(fù)雜的內(nèi)部屏蔽結(jié)構(gòu)，沒有特殊工藝流程即可實現(xiàn)所有的芯片之間，或芯片與外部的屏蔽，可以根據(jù)需要屏蔽的位置自由設(shè)置金屬體，不會影響芯片質(zhì)量；

27、在待屏蔽器件周圍設(shè)置由垂直的金屬體組成的金屬陣列，在金屬體上布置屏蔽線弧，屏蔽線弧跨越待屏蔽器件，與金屬陣列形成屏蔽腔，可以減少由弧線造成的空間浪費；

28、增加金屬陣列的層數(shù)，使得相鄰層金屬陣列的金屬體交錯分布，和/或增加屏蔽線弧的分布密度，可以進一步增強電磁屏蔽效果。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、射頻器件、金屬屏蔽結(jié)構(gòu)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，有至少兩層所述金屬陣列包圍在所述待屏蔽器件周圍，每一層所述金屬陣列中的金屬體與相鄰層所述金屬陣列中的金屬體交錯分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬陣列圍成的圖形與所述待屏蔽器件的俯視圖形相似。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬體包括金屬柱和金屬墩中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括填充在所述基板的第一表面和所述射頻器件的表面的第一塑封層；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬體的高度等于所述第一塑封層的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻器件包括第一類器件和/或第二類器件，所述第一類器件為不能底填的器件，所述第二類器件為需要底填的器件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括填充在所述基板的第一表面和所述射頻器件的表面的第二塑封層；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬屏蔽層還包括多個第二屏蔽線弧，所述第二屏蔽線弧的一端與位于所述待屏蔽器件第三側(cè)的金屬體連接，另一端跨越所述待屏蔽器件，并與位于所述待屏蔽器件第四側(cè)的金屬體連接，其中，所述第三側(cè)與所述第四側(cè)相對。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬屏蔽層還包括多個第三屏蔽線弧，所述第三屏蔽線弧的一端與位于所述待屏蔽器件的第一側(cè)/第二側(cè)的金屬體連接，另一端與位于所述待屏蔽器件的第三側(cè)/第四側(cè)的金屬體連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，有至少兩層所述金屬陣列包圍在所述待屏蔽器件周圍，每一層所述金屬陣列中的金屬體與相鄰層所述金屬陣列中的金屬體交錯分布；

12.一種射頻模組，其特征在于，所述射頻模組包括如權(quán)利要求1-11中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種封裝結(jié)構(gòu)及射頻模組，涉及射頻模組封裝技術(shù)領(lǐng)域。在待屏蔽器件周圍設(shè)置由金屬體組成的金屬陣列，金屬屏蔽層與金屬體露出第一塑封層的一端連接，且與基板連接，實現(xiàn)了待屏蔽器件的分腔屏蔽，沒有復(fù)雜的內(nèi)部屏蔽結(jié)構(gòu)，沒有特殊工藝流程即可實現(xiàn)所有的芯片之間，或芯片與外部的屏蔽，可以根據(jù)需要屏蔽的位置自由設(shè)置金屬體，不會影響芯片質(zhì)量；在待屏蔽器件周圍設(shè)置由垂直的金屬體組成的金屬陣列，在金屬體上布置屏蔽線弧，屏蔽線弧跨越待屏蔽器件，與金屬陣列形成屏蔽腔，可以減少由弧線造成的空間浪費；增加金屬陣列的層數(shù)，使得相鄰層金屬陣列的金屬體交錯分布，和/或增加屏蔽線弧的分布密度，可以進一步增強電磁屏蔽效果。

技術(shù)研發(fā)人員：李林峰,姜偉,高安明,鄭磊
受保護的技術(shù)使用者：浙江星曜半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231218
技術(shù)公布日：2025/1/2