本公開涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種倒裝發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(led，light?emitting?diode)是一種常用的發(fā)光器件，原理是通過電子與空穴的復(fù)合釋放光子發(fā)光。相關(guān)技術(shù)中，將led晶片固晶在支架上，通過將熒光粉添加到膠體中，并將膠體覆蓋在發(fā)光二極管上，發(fā)光二極管輻射出的光經(jīng)過帶有熒光粉的膠體，被熒光粉吸收并轉(zhuǎn)換成不同波長(zhǎng)的光。由于發(fā)光二極管發(fā)出的光第一次經(jīng)過帶有熒光粉的膠體被吸收轉(zhuǎn)換成其他波長(zhǎng)的光，第二次經(jīng)過帶有這種熒光粉的膠體仍會(huì)被繼續(xù)吸收和轉(zhuǎn)換，多次的吸收和轉(zhuǎn)換會(huì)讓發(fā)光二極管的發(fā)光層發(fā)出的光的能量損耗，這降低了發(fā)光二極管的光效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本公開的目的在于提供一種倒裝發(fā)光二極管，旨在利用具有不同熒光粉體的第一膠體層和第二膠體層，對(duì)發(fā)光層發(fā)出的光在不同波段進(jìn)行兩次波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，減少發(fā)光層發(fā)出的光的能量損耗，提高倒裝發(fā)光二極管的光效。

2、根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種倒裝發(fā)光二極管，包括：

3、襯底；

4、鍵合層，位于所述襯底上，包括從下到上依次堆疊的第二膠體層和第一膠體層，所述第一膠體層和所述第二膠體層中包括不同的熒光粉體；

5、外延層，位于所述鍵合層上，所述外延層包括從下到上依次堆疊的第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第一半導(dǎo)體層，所述外延層的邊緣具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)以暴露出部分所述第二半導(dǎo)體層；

6、第一電極，與所述第二半導(dǎo)體層電連接；

7、第二電極，與所述第一半導(dǎo)體層電連接。

8、可選地，所述第一膠體層和所述第二膠體層包括有機(jī)膠體層。

9、可選地，所述第一膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍在所述發(fā)光層所輻射的光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

10、可選地，所述第二膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍在所述第一膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

11、可選地，所述第一膠體層中包括一種或多種熒光粉體，所述第二膠體層中包括一種或多種熒光粉體。

12、可選地，所述第一膠體層的厚度包括：1μm至50μm，所述第二膠體層的厚度包括：1μm至50μm。

13、可選地，所述有機(jī)膠體層包括：b級(jí)雙苯并環(huán)丁烯層、聚酰亞胺層和過氟環(huán)丁烷層中的一層或多層的組合。

14、可選地，所述第一半導(dǎo)體層包括從下到上依次堆疊的第一型限制層、第一型窗口層和第一型歐姆接觸層，所述第二電極與所述第一型歐姆接觸層電連接；

15、所述第二半導(dǎo)體層包括從下到上依次堆疊的第二型歐姆接觸層、第二型窗口層和第二型限制層，所述外延層的臺(tái)階結(jié)構(gòu)暴露出所述第二型歐姆接觸層，所述第一電極與所述第二型歐姆接觸層電連接。

16、可選地，所述倒裝發(fā)光二極管還包括：絕緣層，

17、所述絕緣層覆蓋所述外延層，所述絕緣層包括第一開口和第二開口，所述第一電極和所述第二電極位于所述絕緣層上，所述第一電極通過所述第一開口與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極通過所述第二開口與所述第一半導(dǎo)體層電連接。

18、可選地，所述倒裝發(fā)光二極管還包括：第一金屬層和第二金屬層，

19、所述第一金屬層位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)暴露的所述第二半導(dǎo)體層上，所述第二金屬層位于所述第一半導(dǎo)體層上，所述第一電極通過所述第一開口與所述第一金屬層電連接，所述第二電極通過所述第二開口與所述第二金屬層電連接。

20、根據(jù)本公開實(shí)施例提供的倒裝發(fā)光二極管，位于襯底上的鍵合層包括從下到上依次堆疊第二膠體層和第一膠體層，發(fā)光層發(fā)出的光經(jīng)過第一膠體層被吸收并轉(zhuǎn)換為第一峰值波長(zhǎng)范圍的熒光，第一峰值波長(zhǎng)范圍的熒光經(jīng)過第二膠體層被吸收并轉(zhuǎn)換為第二峰值波長(zhǎng)范圍的熒光，這樣，利用具有不同熒光粉體的第一膠體層和第二膠體層，對(duì)發(fā)光層發(fā)出的光在不同波段進(jìn)行多次波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，避免了發(fā)光層發(fā)出的光在同一波段被多次吸收，減少了發(fā)光層發(fā)出的光的能量損耗，提高了倒裝發(fā)光二極管的光效。

21、進(jìn)一步地，通過在第一膠體層和第二膠體層中設(shè)置不同的熒光粉體，可以將第一膠體層和第二膠體層設(shè)計(jì)成發(fā)出不同峰值波長(zhǎng)的熒光，無需調(diào)配熒光膠，減少了倒裝發(fā)光二極管的封裝成本。

22、進(jìn)一步地，與傳統(tǒng)的點(diǎn)膠封裝形式相比，采用第一膠體層和第二膠體層鍵合封裝，可降低倒裝發(fā)光二極管的封裝厚度，做到超薄發(fā)光二極管。

技術(shù)特征：

1.一種倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一膠體層和所述第二膠體層包括有機(jī)膠體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍在所述發(fā)光層所輻射的光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍在所述第一膠體層受激發(fā)所輻射的熒光的峰值波長(zhǎng)范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一膠體層中包括一種或多種熒光粉體，所述第二膠體層中包括一種或多種熒光粉體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一膠體層的厚度包括：1μm至50μm，所述第二膠體層的厚度包括：1μm至50μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)膠體層包括：b級(jí)雙苯并環(huán)丁烯層、聚酰亞胺層和過氟環(huán)丁烷層中的一層或多層的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層包括從下到上依次堆疊的第一型限制層、第一型窗口層和第一型歐姆接觸層，所述第二電極與所述第一型歐姆接觸層電連接；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述倒裝發(fā)光二極管還包括：絕緣層，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的倒裝發(fā)光二極管，其特征在于，所述倒裝發(fā)光二極管還包括：第一金屬層和第二金屬層，

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種倒裝發(fā)光二極管，包括：襯底；鍵合層，位于襯底上，包括從下到上依次堆疊的第二膠體層和第一膠體層，第一膠體層和第二膠體層中包括不同的熒光粉體；外延層，位于鍵合層上，外延層包括從下到上依次堆疊的第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第一半導(dǎo)體層，外延層的邊緣具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)以暴露出部分第二半導(dǎo)體層；第一電極，與第二半導(dǎo)體層電連接；第二電極，與第一半導(dǎo)體層電連接。本公開實(shí)施例利用具有不同熒光粉體的第一膠體層和第二膠體層，對(duì)發(fā)光層發(fā)出的光在不同波段進(jìn)行兩次波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，減少發(fā)光層發(fā)出的光的能量損耗，提高倒裝發(fā)光二極管的光效。

技術(shù)研發(fā)人員：林坤彬,楊美佳,畢京鋒,李森林,梁志陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231219
技術(shù)公布日：2025/1/2