本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別涉及一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、引線框架作為半導(dǎo)體封裝中芯片的載體，借助金屬材料(如金銅絲、鋁絲、鋁帶、銅帶)實(shí)現(xiàn)芯片與外部引腳的電氣連接，是半導(dǎo)體封裝中關(guān)鍵的結(jié)構(gòu)件和基礎(chǔ)材料。引線框架的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)決定了封裝的技術(shù)水平和產(chǎn)品的可靠性，傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)容易造成引線框架和塑封料之間產(chǎn)生分層現(xiàn)象，影響了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，解決引線框架和塑封料之間產(chǎn)生分層現(xiàn)象的問題。一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)包括邊框，所述邊框內(nèi)設(shè)有若干組相互連接的引線框架單元，所述引線框架單元中包含若干結(jié)構(gòu)相同且陣列式排列的基本單元，相鄰列的所述引線框架單元之間通過縱向連筋連接，相鄰行的所述基本單元之間通過橫向連筋連接；在所述基本單元上設(shè)置有擠壓臺(tái)階。

2、具體的，在所述邊框上均勻開設(shè)若干組圓形和/或橢圓形的第一通孔，且所述第一通孔與所述引線框架單元一一對(duì)應(yīng)；在所述縱向連筋上均勻開設(shè)有橢圓形的第二通孔。

3、具體的，所述基本單元還包括燕尾槽和基島；所述燕尾槽位于所述基島的上方，在所述基島的兩側(cè)設(shè)置v型槽，在所述燕尾槽的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有所述擠壓臺(tái)階。

4、具體的，燕尾槽的深度為厚度的0.25～0.40倍，寬度為0.30～0.40mm。

5、具體的，所述基島的背面設(shè)置有散熱片，在所述散熱片的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有所述擠壓臺(tái)階，所述擠壓臺(tái)階的深度為厚度的0.10～0.30倍。

6、具體的，所述基本單元還包括鍵合平臺(tái)和壓印，所述鍵合平臺(tái)和壓印之間通過引腳連接。

7、具體的，在所述鍵合平臺(tái)上設(shè)有鎖料孔，所述鎖料孔為圓形或半圓形，所述壓印設(shè)置為方形或長(zhǎng)方形。

8、具體的，所述鍵合平臺(tái)為2個(gè)或3個(gè)并排設(shè)置。

9、具體的，所述鍵合平臺(tái)表面設(shè)置銀鍍層或鎳鍍層。

10、具體的，在所述基本單元外部設(shè)置有塑封料。

11、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：采用多組引線框架結(jié)構(gòu)級(jí)聯(lián)，并在每個(gè)引線框架結(jié)構(gòu)中的基本單元上設(shè)計(jì)擠壓臺(tái)階，由于臺(tái)階的擠壓深度存在，可以顯著提高整體引線框架結(jié)構(gòu)與塑封料的結(jié)合力。此外，在級(jí)聯(lián)的縱向連筋上開設(shè)橢圓形通孔，以及在基島上方設(shè)置燕尾槽等結(jié)構(gòu)，都可以進(jìn)一步提高塑封料的結(jié)合力，從而解決框架和塑封料之間產(chǎn)生分層的問題。

技術(shù)特征：

1.一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括邊框(1)，所述邊框(1)內(nèi)設(shè)有若干組相互連接的引線框架單元，所述引線框架單元中包含若干結(jié)構(gòu)相同且陣列式排列的基本單元(2)，相鄰列的所述引線框架單元之間通過縱向連筋(4)連接，相鄰行的所述基本單元(2)之間通過橫向連筋(3)連接；在所述基本單元(2)上設(shè)置有擠壓臺(tái)階(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述邊框(1)上均勻開設(shè)若干組圓形和/或橢圓形的第一通孔(101)，且所述第一通孔(101)與所述引線框架單元一一對(duì)應(yīng)；在所述縱向連筋(4)上均勻開設(shè)有橢圓形的第二通孔(41)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基本單元(2)還包括燕尾槽(5)和基島(7)；所述燕尾槽(5)位于所述基島(7)的上方，在所述基島(7)的兩側(cè)設(shè)置v型槽，在所述燕尾槽(5)的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有所述擠壓臺(tái)階(6)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，燕尾槽(5)的深度為厚度的0.25～0.40倍，寬度為0.30～0.40mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基島(7)的背面設(shè)置有散熱片，在所述散熱片的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有所述擠壓臺(tái)階(6)，所述擠壓臺(tái)階(6)的深度為厚度的0.10～0.30倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基本單元(2)還包括鍵合平臺(tái)(8)和壓印(10)，所述鍵合平臺(tái)(8)和壓印(10)之間通過引腳(9)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述鍵合平臺(tái)(8)上設(shè)有鎖料孔(11)，所述鎖料孔(11)為圓形或半圓形，所述壓印(10)設(shè)置為方形或長(zhǎng)方形。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合平臺(tái)(8)為2個(gè)或3個(gè)并排設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合平臺(tái)(8)表面設(shè)置銀鍍層或鎳鍍層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述基本單元(2)外部設(shè)置有塑封料(12)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種增加結(jié)合性的引線框架結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，在框架邊框內(nèi)設(shè)有若干組相互連接的引線框架單元，引線框架單元中包含若干結(jié)構(gòu)相同且陣列式排列的基本單元，相鄰列的引線框架單元之間通過縱向連筋連接，相鄰行的基本單元之間通過橫向連筋連接；在基本單元上設(shè)置有擠壓臺(tái)階。采用多組引線框架結(jié)構(gòu)級(jí)聯(lián)，并在每個(gè)引線框架結(jié)構(gòu)中的基本單元上設(shè)計(jì)擠壓臺(tái)階，由于臺(tái)階的擠壓深度存在，可以顯著提高整體引線框架結(jié)構(gòu)與塑封料的結(jié)合力。此外，在級(jí)聯(lián)的縱向連筋上開設(shè)橢圓形通孔，以及在基島上設(shè)置燕尾槽等結(jié)構(gòu)，都可以進(jìn)一步提高塑封料的結(jié)合力，從而解決框架和塑封料之間產(chǎn)生分層的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：朱袁正,許記勇,朱久桃,茅譯文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫電基集成科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231229
技術(shù)公布日：2025/1/9