本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)作為新型的綠色照明光源，具有節(jié)能、高效、低碳、體積小、反應(yīng)快、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可以為用戶(hù)提供環(huán)保、穩(wěn)定、高效和安全的全新照明體驗(yàn)，已經(jīng)逐步發(fā)展成為成熟的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)。

2、倒裝發(fā)光二極管(flip-chip?light?emitting?diode，flip-chip?led)是一種特殊類(lèi)型的發(fā)光二極管。倒裝發(fā)光二極管相對(duì)于傳統(tǒng)正裝發(fā)光二極管具有更好的散熱性和可靠性，并且由于從襯底一側(cè)發(fā)光，避免了焊盤(pán)和引線擋光的問(wèn)題。但是，倒裝發(fā)光二極管存在光電轉(zhuǎn)換效率較低的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種發(fā)光二極管，提升發(fā)光二極管的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管，發(fā)光二極管包括：襯底；外延層，位于襯底上，外延層包括從下到上依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的摻雜類(lèi)型不同，外延層中具有多個(gè)貫穿第二半導(dǎo)體層和有源層并暴露出第一半導(dǎo)體層的通孔，通孔陣列排布；多個(gè)第一電極，分別位于通孔暴露出的第一半導(dǎo)體層的表面；多個(gè)第二電極，陣列排布在第二半導(dǎo)體層上；第一介質(zhì)層，覆蓋外延層、第一電極和第二電極，第一介質(zhì)層具有多個(gè)暴露出第一電極的第一開(kāi)口和多個(gè)暴露出第二電極的第二開(kāi)口；多個(gè)第三電極，位于第一介質(zhì)層上并覆蓋第一開(kāi)口，一個(gè)第三電極覆蓋一行沿第一方向設(shè)置的第一開(kāi)口；以及多個(gè)第四電極，位于第一介質(zhì)層上并覆蓋第二開(kāi)口，一個(gè)第四電極覆蓋一行沿第一方向設(shè)置的第二開(kāi)口；其中，第三電極和第四電極沿第二方向的最小尺寸相同。

3、進(jìn)一步地，多個(gè)第一電極沿第一方向排列為多行，多行第一電極沿第二方向間隔設(shè)置；多個(gè)第二電極沿第一方向排列為多行，多行第二電極沿第二方向間隔設(shè)置；沿第一方向間隔設(shè)置的多個(gè)第二電極組成的行和沿第一方向間隔設(shè)置的多個(gè)第一電極組成的行沿第二方向交替設(shè)置且相鄰兩行的第一電極和第二電極在第一方向上相互錯(cuò)開(kāi)；以及/或者，多個(gè)第一電極沿第二方向排列為多列，多列第一電極沿第一方向間隔設(shè)置；多個(gè)第二電極沿第二方向排列為多列，多列第二電極沿第一方向間隔設(shè)置；沿第二方向間隔設(shè)置的多個(gè)第二電極組成的列和沿第二方向間隔設(shè)置的多個(gè)第一電極組成的列沿第一方向交替設(shè)置且相鄰兩列的第一電極和第二電極在第二方向上相互錯(cuò)開(kāi)。

4、進(jìn)一步地，第三電極與第四電極沿第二方向的尺寸處處相同。

5、進(jìn)一步地，第三電極和第四電極均包括沿第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)、波浪形結(jié)構(gòu)或、折線形結(jié)構(gòu)、具有圓角的條狀結(jié)構(gòu)、在預(yù)定位置具有凸起和/或凹陷的條狀結(jié)構(gòu)，第三電極和第四電極的形狀相同或不同。

6、進(jìn)一步地，第三電極沿第二方向的尺寸大于第一開(kāi)口沿第二方向的尺寸；第四電極沿第二方向的尺寸大于第二開(kāi)口沿第二方向的尺寸。

7、進(jìn)一步地，第三電極沿第二方向的尺寸大于第一電極沿第二方向的尺寸，第四電極沿第二方向的尺寸大于第二電極沿第二方向的尺寸。

8、進(jìn)一步地，第一介質(zhì)層為sio2膜或dbr反射鏡或從下到上堆疊的sio2膜和dbr反射鏡。

9、進(jìn)一步地，發(fā)光二極管還包括：第二介質(zhì)層，覆蓋第一介質(zhì)層、第三電極和第四電極，第二介質(zhì)層具有多個(gè)暴露出第三電極的第三開(kāi)口和多個(gè)暴露出第四電極的第四開(kāi)口；第一焊盤(pán)，位于第二介質(zhì)層上并覆蓋所有的第三開(kāi)口；以及第二焊盤(pán)，位于第二介質(zhì)層上并覆蓋所有的第四開(kāi)口。

10、進(jìn)一步地，第三開(kāi)口與第三電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，多個(gè)第三開(kāi)口沿第二方向排列；第四開(kāi)口與第四電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，多個(gè)第四開(kāi)口沿第二方向排列。

11、進(jìn)一步地，發(fā)光二極管還包括設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的電流擴(kuò)展層，電流擴(kuò)展層向襯底方向的投影的邊界位于第二半導(dǎo)體層向襯底方向的投影的邊界之內(nèi)，第二電極設(shè)置在電流擴(kuò)展層上。

12、進(jìn)一步地，每個(gè)所述第三電極對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述第三開(kāi)口，每個(gè)所述第四電極對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述第四開(kāi)口。

13、本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括襯底、外延層、第一電極、第二電極、第一介質(zhì)層、第三電極和第四電極。外延層從下到上依次堆疊第一半導(dǎo)體層、多量子阱層和第二半導(dǎo)體層，第一電極設(shè)置在通孔中并與第一半導(dǎo)體層電連接，第二電極與第二半導(dǎo)體層電連接，第一電極和第二電極陣列設(shè)置。第三電極沿第一方向設(shè)置并覆蓋一行第一電極，第四電極沿第一方向設(shè)置并覆蓋一行第二電極。本實(shí)用新型實(shí)施例的第三電極和第四電極沿第二方向的最小尺寸相同，保證第三電極和第四電極在尺寸最小處的電流擁堵情況相同，進(jìn)而保證發(fā)光二極管具有較高的可靠性。

14、進(jìn)一步地，使第四電極可以快速將電流注入第二電極從而輸入第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層流出的電流可以經(jīng)過(guò)第一電極快速輸入第三電極，使得發(fā)光二極管不易發(fā)生電流擁堵，具有較高的可靠性和光電轉(zhuǎn)換效率，并且提升發(fā)光二極管承受應(yīng)力的上限。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，多個(gè)所述第一電極沿第一方向排列為多行，多行所述第一電極沿第二方向間隔設(shè)置；多個(gè)所述第二電極沿第一方向排列為多行，多行所述第二電極沿第二方向間隔設(shè)置；沿第一方向間隔設(shè)置的多個(gè)所述第二電極組成的行和沿第一方向間隔設(shè)置的多個(gè)所述第一電極組成的行沿第二方向交替設(shè)置且相鄰兩行的第一電極和第二電極在第一方向上相互錯(cuò)開(kāi)；以及/或者，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第三電極與所述第四電極沿第二方向的尺寸處處相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第三電極和所述第四電極均包括沿所述第一方向延伸的條狀結(jié)構(gòu)、波浪形結(jié)構(gòu)、折線形結(jié)構(gòu)、具有圓角的條狀結(jié)構(gòu)、在預(yù)定位置具有凸起和/或凹陷的條狀結(jié)構(gòu)，所述第三電極和所述第四電極的形狀相同或不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、3或4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第三電極沿第二方向的尺寸大于所述第一開(kāi)口沿第二方向的尺寸；所述第四電極沿第二方向的尺寸大于所述第二開(kāi)口沿第二方向的尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第三電極沿第二方向的尺寸大于所述第一電極沿第二方向的尺寸，所述第四電極沿第二方向的尺寸大于所述第二電極沿第二方向的尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為sio2膜或dbr反射鏡或從下到上堆疊的sio2膜和dbr反射鏡。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第三開(kāi)口與所述第三電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，多個(gè)所述第三開(kāi)口沿第二方向排列；所述第四開(kāi)口與所述第四電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，多個(gè)所述第四開(kāi)口沿所述第二方向排列。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層向所述襯底方向的投影的邊界位于所述第二半導(dǎo)體層向所述襯底方向的投影的邊界之內(nèi)，所述第二電極設(shè)置在所述電流擴(kuò)展層上。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，每個(gè)所述第三電極對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述第三開(kāi)口，每個(gè)所述第四電極對(duì)應(yīng)至少一個(gè)所述第四開(kāi)口。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括襯底、外延層、第一電極、第二電極、第一介質(zhì)層、第三電極和第四電極。外延層從下到上依次堆疊第一半導(dǎo)體層、多量子阱層和第二半導(dǎo)體層，第一電極通過(guò)通孔與第一半導(dǎo)體層電連接，第二電極與第二半導(dǎo)體層電連接，第一電極和第二電極陣列設(shè)置。第三電極沿第一方向設(shè)置并覆蓋一行第一電極，第四電極沿第一方向設(shè)置并覆蓋一行第二電極。本技術(shù)實(shí)施例的第三電極和第四電極沿第二方向的最小尺寸相同，保證第三電極和第四電極在尺寸最小處的電流擁堵情況相同，進(jìn)而保證發(fā)光二極管具有較高的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：王思琦,李士濤,邊福強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231229
技術(shù)公布日：2024/12/26