背景技術(shù)：

1、電感器可在電流流過其時將能量存儲在磁場中，且可通過對所存儲能量進行放電而提供電流。電感器可具有許多應(yīng)用，諸如接近度感測、能量存儲、致動、電力傳輸和濾波。電感器可耦合到或可為集成電路的一部分，所述集成電路可包含與電感器一起操作以支持那些應(yīng)用的電路系統(tǒng)。在一些實例中，電感器和電路系統(tǒng)可被圍封在集成電路封裝中，這可減小集成電路的占據(jù)面積且縮短電感器與電路系統(tǒng)之間的互連件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一種集成電路包括：襯底、半導(dǎo)體裸片、金屬互連件和電感器，以及磁性材料。半導(dǎo)體裸片經(jīng)由金屬互連件安裝到襯底。電感器安裝到襯底。磁性材料包封半導(dǎo)體裸片、電感器和金屬互連件，磁性材料包含：經(jīng)涂布金屬粒子，其涂布有第一絕緣材料；及第二絕緣材料，其中懸浮有經(jīng)涂布金屬粒子。

2、一種方法包括：將半導(dǎo)體裸片安裝到襯底，以及將電感器安裝到襯底。方法進一步包括將磁性材料沉積在半導(dǎo)體裸片和電感器上，磁性材料包含：經(jīng)涂布金屬粒子，其涂布有第一絕緣材料；及第二絕緣材料，其中懸浮有經(jīng)涂布金屬粒子。方法進一步包括對磁性材料進行模制，以及切割磁性材料和襯底以形成包含相應(yīng)半導(dǎo)體裸片和電感器的集成電路。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第二絕緣材料包含環(huán)氧樹脂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一絕緣材料包含氧化硅材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一絕緣材料包含磷酸鹽材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述磁性材料包含分散于所述經(jīng)涂布金屬粒子中的至少一些當(dāng)中的空腔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述空腔填充有空氣或第三絕緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述電感器包含線圈部分和支柱部分，所述支柱部分耦合到所述襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其中所述線圈部分位于所述半導(dǎo)體裸片上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其進一步包括包封在磁性材料中的電容器，其中所述線圈部分位于所述電容器上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述金屬互連件為第一金屬互連件，且所述襯底包含：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其進一步包括所述第二側(cè)上的阻焊層。

13.一種方法，其包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中混合物為第一混合物，且所述方法進一步包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述試劑包含以下中的至少一種：正硅酸鹽試劑或磷酸。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進一步包括從所述磁性材料的經(jīng)切割表面移除所述經(jīng)涂布金屬粒子中的至少一些。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述磁性材料的所述切割期間從所述經(jīng)切割表面移除所述經(jīng)涂布金屬粒子中的所述至少一些。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二絕緣材料包含環(huán)氧樹脂。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一絕緣材料包含氧化硅材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一絕緣材料包含磷酸鹽材料。

技術(shù)總結(jié)
在一個實例中，一種集成電路(200)包括：襯底(206)；半導(dǎo)體裸片(104)；金屬互連件(130、132、134、136)，所述半導(dǎo)體裸片經(jīng)由所述金屬互連件安裝到所述襯底；電感器(202)，其安裝到所述襯底；及磁性材料(208)，其包封所述半導(dǎo)體裸片、所述電感器和所述金屬互連件，所述磁性材料包含：經(jīng)涂布金屬粒子(510、512、514、520、522、524、526、528、530和532)，其涂布有第一絕緣材料；及第二絕緣材料(533)，其中懸浮有所述經(jīng)涂布金屬粒子。

技術(shù)研發(fā)人員：井上英俊,大竹健二,佐藤由紀(jì),安藤孝文,杰弗里·莫羅尼,A·溫克勒,鄢藝
受保護的技術(shù)使用者：德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30