本發(fā)明的實施方式之一涉及層疊構(gòu)造體和其制作方法以及包括層疊構(gòu)造體的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來，利用iii－v族材料或iii族氮化物材料作為半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置的開發(fā)正在活躍地開展。特別是，包含氮化鎵的無機(jī)材料(以下記作氮化鎵類材料)與硅、氧化物半導(dǎo)體等其他半導(dǎo)體材料相比帶隙較大，絕緣擊穿電場、飽和漂移速度也較高。因此，通過將氮化鎵類材料用于有源層，有能夠得到具有優(yōu)異特性的半導(dǎo)體裝置的可能性，對于氮化鎵類材料給予了較多的關(guān)注(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2017/155032號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、本發(fā)明的技術(shù)方案之一，以提供包含iii－v族材料或iii族氮化物材料、特別是氮化鎵類材料的新型層疊構(gòu)造體和其制作方法為課題之一。或者，本發(fā)明的技術(shù)方案之一，以提供構(gòu)造被控制的包含iii－v族材料或iii族氮化物材料、特別是氮化鎵類材料的層疊構(gòu)造體和其制作方法為課題之一?；蛘?，本發(fā)明的技術(shù)方案之一，以提供包含該層疊構(gòu)造體的半導(dǎo)體裝置為課題之一。

3、用來解決課題的手段

4、本發(fā)明的技術(shù)方案之一是一種層疊構(gòu)造體。該層疊構(gòu)造體具備緩沖層、第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層。緩沖層和第1半導(dǎo)體層在上下方向上相互重疊。第2半導(dǎo)體層與第1半導(dǎo)體層的側(cè)面相接，在與上下方向垂直的平面中將第1半導(dǎo)體層的至少一部分包圍。第1半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層分別包含iii－v族材料或iii族氮化物材料。第1半導(dǎo)體層的結(jié)晶性比第2半導(dǎo)體層的結(jié)晶性高。緩沖層在上下方向上從第2半導(dǎo)體層露出。

5、本發(fā)明的技術(shù)方案之一是一種包含層疊構(gòu)造體的半導(dǎo)體裝置。層疊構(gòu)造體具備緩沖層、第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層。緩沖層和第1半導(dǎo)體層在上下方向上相互重疊。第2半導(dǎo)體層與第1半導(dǎo)體層的側(cè)面相接，在與上下方向垂直的平面中將第1半導(dǎo)體層的至少一部分包圍。第1半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層分別包含iii－v族材料或iii族氮化物材料。第1半導(dǎo)體層的結(jié)晶性比第2半導(dǎo)體層的結(jié)晶性高。緩沖層在上下方向上從第2半導(dǎo)體層露出。

6、本發(fā)明的技術(shù)方案之一是一種層疊構(gòu)造體的制作方法。該制作方法包括：在基板上形成緩沖層；在緩沖層上以將緩沖層覆蓋的方式形成包含氮化鎵的半導(dǎo)體層；以及將半導(dǎo)體層蝕刻。以使在上下方向上與緩沖層重疊的第1部分及不重疊的第2部分殘留的方式將半導(dǎo)體層蝕刻。

技術(shù)特征：

1.一種層疊構(gòu)造體，其特征在于，

2.如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

6.如權(quán)利要求5所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

7.如權(quán)利要求5所述的層疊構(gòu)造體，其特征在于，

8.一種半導(dǎo)體裝置，具有層疊構(gòu)造體，其特征在于，

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

16.一種層疊構(gòu)造體的制作方法，其特征在于，

17.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，

18.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，

19.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
層疊構(gòu)造體(100)具備緩沖層(106)、第1半導(dǎo)體層(108)及第2半導(dǎo)體層(110)。緩沖層和第1半導(dǎo)體層在上下方向上相互重疊。第2半導(dǎo)體層與第1半導(dǎo)體層的側(cè)面相接，在與上下方向垂直的平面中將第1半導(dǎo)體層的至少一部分包圍。第1半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層分別包含III－V族材料或III族氮化物材料。第1半導(dǎo)體層的結(jié)晶性比第2半導(dǎo)體層的結(jié)晶性高。緩沖層在上下方向上從第2半導(dǎo)體層露出。

技術(shù)研發(fā)人員：西村真澄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社日本顯示器
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23