1.一種光電子裝置(1)，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子裝置，其中所構(gòu)成的腔體(6)的底部(6a)在所述光發(fā)射面(4a)的俯視圖中大于所述光發(fā)射面(4a)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子裝置，其中從所述腔體(6)的第一側(cè)面(6b)到所述光發(fā)射面(4a)的與所述第一側(cè)面(6b)最近的第一邊緣的距離大于從所述腔體(6)的第二側(cè)面(6c)到所述光發(fā)射面(4a)的與所述第二側(cè)面(6c)最近的第二邊緣的距離。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子裝置，其中所述腔體(6)的對置的側(cè)面(6b，6c)之間的距離從所述反射性封裝部(5)的與所述載體襯底(2)對置的側(cè)到所述腔體(6)的底部(6a)逐漸減小。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子裝置，
6.根據(jù)前述權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電子裝置，
7.根據(jù)前述權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光電子裝置，
8.根據(jù)前述權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光電子裝置，其中所述發(fā)光器件(4)借助接合線(10)與所述第二接觸區(qū)域(3b)電耦合，并且所述接合線(10)完全由所述反射性封裝部(5)包圍。
9.一種用于制造光電子裝置(1)的方法，包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：在用所述反射性封裝材料(5)封裝了所述載體襯底(2)上的所述至少一個(gè)發(fā)光器件(4)后，移除所述光敏材料(11)，其中產(chǎn)生所述光轉(zhuǎn)換層(7)的步驟在移除所述光敏材料(11)的步驟之后進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中布置和結(jié)構(gòu)化所述光敏材料(11)的步驟在封裝了所構(gòu)成的腔體(6)中的所述至少一個(gè)發(fā)光器件(4)的步驟之后進(jìn)行，并且其中在所述開口(12)中產(chǎn)生所述光轉(zhuǎn)換層(7)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所構(gòu)成的腔體(6)具有側(cè)面(6b，6c)，所述側(cè)面與所述光轉(zhuǎn)換層(7)至少部分有間隔地布置，并且用所述光敏材料(11)填充所述光轉(zhuǎn)換層(7)與所述反射性封裝材料(5)之間的間隙(8)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：移除所述間隙(8)中的光敏材料(11)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：將灌封材料(9)，尤其是反射灌封材料引入所述間隙(8)中。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：至少將所述光轉(zhuǎn)換層(7)平坦化。
16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中產(chǎn)生所述光轉(zhuǎn)換層(7)的步驟包括：在所述光轉(zhuǎn)換層(7)內(nèi)沉積光轉(zhuǎn)換顆粒，使得所述光轉(zhuǎn)換層(7)從所述光轉(zhuǎn)換層的上側(cè)到所述發(fā)光器件(4)具有濃度梯度逐漸增加的布置在所述光轉(zhuǎn)換層中的光轉(zhuǎn)換顆粒。