本文件的各方面整體涉及襯底，諸如用于半導(dǎo)體器件的襯底。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體器件使用半導(dǎo)體襯底材料來形成。半導(dǎo)體器件使用各種技術(shù)來封裝，旨在確保半導(dǎo)體器件免受濕氣或靜電放電的影響。各種半導(dǎo)體封裝件為半導(dǎo)體器件提供機械支撐。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、襯底的具體實施可包括：電絕緣層，該電絕緣層具有第一最大平面?zhèn)群团c該第一最大平面?zhèn)认鄬Φ牡诙畲笃矫鎮(zhèn)?；第一?dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層耦合到第一最大平面?zhèn)炔⑶野ň哂械谝粓D案的第一扇形邊緣；和第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層耦合到第二最大平面?zhèn)炔⑶野ň哂械诙D案的第二扇形邊緣。第一圖案和第二圖案可分別沿著第一最大平面?zhèn)鹊闹辽僖粋€邊緣和第二最大平面?zhèn)鹊闹辽僖粋€邊緣交替。

2、襯底的具體實施可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

3、第一圖案可以是周期性的。

4、第二圖案可以是周期性的。

5、第一圖案可包括重復(fù)的有角突出部。

6、第二圖案可包括重復(fù)的有角突出部。

7、襯底的具體實施可包括：電絕緣層，該電絕緣層具有第一最大平面?zhèn)群团c該第一最大平面?zhèn)认鄬Φ牡诙畲笃矫鎮(zhèn)?；第一?dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層耦合到第一最大平面?zhèn)炔⑶野ň哂械谝粓D案的第一扇形邊緣；和第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層耦合到第二最大平面?zhèn)炔⑶野ň哂械诙D案的第二扇形邊緣，該第二圖案與第一圖案交替。

8、襯底的具體實施可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

9、第一圖案可以是周期性的。

10、第二圖案可以是周期性的。

11、第一圖案可包括重復(fù)的有角突出部。

12、第二圖案可包括重復(fù)的有角突出部。

13、形成襯底的方法的具體實施可包括：提供電絕緣層，該電絕緣層具有第一最大平面?zhèn)群团c該第一最大平面?zhèn)认鄬Φ牡诙畲笃矫鎮(zhèn)?；將第一?dǎo)電層耦合到第一最大平面?zhèn)龋粚⒌诙?dǎo)電層耦合到第二最大平面?zhèn)?；在第一?dǎo)電層中形成具有第一圖案的第一扇形邊緣；以及在第一導(dǎo)電層中形成具有第二圖案的第二扇形邊緣。

14、形成襯底的方法的具體實施可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

15、形成第一扇形邊緣和形成第二扇形邊緣可以同時發(fā)生。

16、形成第一扇形邊緣和形成第二扇形邊緣可以分開發(fā)生。

17、該方法可包括施加掩模并且在形成第一扇形邊緣之前使該掩模圖案化。

18、該方法可包括施加掩模并且在形成第二扇形邊緣之前使該掩模圖案化。

19、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層包括銅。

20、對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，通過具體實施方式以及附圖并通過權(quán)利要求書，上述以及其他方面、特征和優(yōu)點將會顯而易見。

技術(shù)特征：

1.一種襯底，所述襯底包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述第一圖案是周期性的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述第二圖案是周期性的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述第一圖案包括重復(fù)的有角突出部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述第二圖案包括重復(fù)的有角突出部。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底，其中所述第二圖案是周期性的。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底，其中所述第二圖案包括重復(fù)的有角突出部。

8.一種襯底，所述襯底包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其中所述第一圖案是周期性的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其中所述第二圖案是周期性的。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其中所述第一圖案包括重復(fù)的有角突出部。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其中所述第二圖案包括重復(fù)的有角突出部。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底，其中所述第二圖案是周期性的。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中所述第二圖案包括重復(fù)的有角突出部。

15.一種形成襯底的方法，所述方法包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第一扇形邊緣(28)和形成所述第二扇形邊緣(36)同時發(fā)生。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第一扇形邊緣(28)和形成所述第二扇形邊緣(36)分開發(fā)生。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括：施加掩模并且在形成所述第一扇形邊緣(28)之前使所述掩模圖案化。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括：施加掩模并且在形成所述第二扇形邊緣(36)之前使所述掩模圖案化。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電層(20)和所述第二導(dǎo)電層(22)包括銅。

技術(shù)總結(jié)
襯底的具體實施可包括：電絕緣層(18)，該電絕緣層具有第一最大平面?zhèn)?26)和與該第一最大平面?zhèn)?26)相對的第二最大平面?zhèn)?24)；第一導(dǎo)電層(20)，該第一導(dǎo)電層耦合到第一最大平面?zhèn)?26)并且包括具有第一圖案的第一扇形邊緣(28)；和第二導(dǎo)電層(22)，該第二導(dǎo)電層耦合到第二最大平面?zhèn)?24)并且包括具有第二圖案的第二扇形邊緣(36)。第一圖案和第二圖案可分別沿著第一最大平面?zhèn)?26)的至少一個邊緣和第二最大平面?zhèn)?24)的至少一個邊緣交替。

技術(shù)研發(fā)人員：A·普拉扎卡莫,周志雄,姚玉雙,V·J·H·吳
受保護的技術(shù)使用者：半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30