本公開的例示性的實施方式涉及一種基板處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在對基板的基板處理中使用基板處理裝置?；逄幚硌b置具備腔室、配置在腔室內(nèi)的基臺、以及配置在基臺上的靜電保持盤。在下述的專利文獻1中，在靜電保持盤內(nèi)配置有加熱器。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2021-163902號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開提供一種確定靜電保持盤的溫度的技術(shù)。

3、用于解決問題的方案

4、在一個例示性的實施方式中，提供一種基板處理裝置?；逄幚硌b置具備腔室、基臺、靜電保持盤、控制電路以及探測電路。腔室在其內(nèi)部提供處理空間。基臺配置在處理空間內(nèi)?；_在其內(nèi)部提供內(nèi)部空間。靜電保持盤配置在基臺上。靜電保持盤包括電介質(zhì)構(gòu)件、至少一個加熱器電極層以及至少一個電阻層。電介質(zhì)構(gòu)件具有支承面。支承面包括基板支承面。至少一個加熱器電極層配置在電介質(zhì)構(gòu)件中。至少一個加熱器電極層由第一材料形成。至少一個電阻層配置在電介質(zhì)構(gòu)件中。至少一個電阻層由第二材料形成。至少一個電阻層是具有300μm以下的厚度的至少一個電阻層。第二材料的電阻溫度系數(shù)為第一材料的電阻溫度系數(shù)以上?？刂齐娐放渲迷趦?nèi)部空間內(nèi)?？刂齐娐窐?gòu)成為控制對至少一個加熱器電極層施加的施加電力。探測電路配置在內(nèi)部空間內(nèi)。探測電路構(gòu)成為對施加于至少一個電阻層的電壓進行探測。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)一個例示性的實施方式，提供一種確定靜電保持盤的溫度的技術(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供一種基板處理裝置。基板處理裝置具備腔室、基臺、靜電保持盤、控制電路以及探測電路。靜電保持盤配置在基臺上。靜電保持盤包括電介質(zhì)構(gòu)件、至少一個加熱器電極層以及至少一個電阻層。電介質(zhì)構(gòu)件具有基板支承面。至少一個加熱器電極層由第一材料形成。至少一個電阻層由第二材料形成。至少一個電阻層是具有300μm以下的厚度的至少一個電阻層。第二材料的電阻溫度系數(shù)為第一材料的電阻溫度系數(shù)以上。

技術(shù)研發(fā)人員：山本能吏,山田和人,高橋雅典,石川真矢,江崎匠大
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30