本發(fā)明涉及溫度檢測器,更具體而言,涉及包括熱敏電阻芯片、與熱敏電阻芯片連接的一對引線、以及覆蓋熱敏電阻芯片和各引線的連接端部的絕緣性被覆層的溫度檢測器。
背景技術:
1、下面的專利文獻1公開了包括熱敏電阻芯片、與熱敏電阻芯片連接的一對引線、以及覆蓋熱敏電阻芯片和各引線的連接端部的絕緣性被覆層的溫度檢測器。絕緣性被覆層包括普通的(即,非高粘合性的)由有機硅系樹脂構成的內(nèi)側(cè)層和由環(huán)氧系樹脂構成的外側(cè)層。熱敏電阻芯片、一對引線的連接端部,和絕緣性被覆層收納在一端封閉并且另一端開放的圓筒形狀的金屬殼體內(nèi)。殼體內(nèi)填充有高導熱性環(huán)氧樹脂。
2、現(xiàn)有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1:wo2019/159221
技術實現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問題
2、本發(fā)明人根據(jù)經(jīng)驗發(fā)現(xiàn),專利文獻1中記載的溫度檢測器的熱敏電阻芯片和/或引線的連接端部存在問題。更具體地,尤其是當溫度檢測器經(jīng)受相對大的溫度變化和/或相對長時間浸漬在水中時,熱敏電阻芯片和/或連接端部由于遷移(即,短路的發(fā)生)而傾向于劣化。
3、本發(fā)明正是鑒于上述事實而做出的,并且其主要技術目的是提供即使當溫度檢測器經(jīng)受相對大的溫度變化和/或相對長時間浸漬在水中也能防止熱敏電阻芯片和/或引線的連接端部由于遷移而劣化的新型且改進的溫度檢測器。
4、用于解決問題的方案
5、作為本發(fā)明人等通過深入研究和實驗的結果,本發(fā)明人認識到了上述現(xiàn)有的溫度檢測器的以下問題:由于絕緣性被覆層的內(nèi)側(cè)層和外側(cè)層之間的剝離強度不足,當溫度檢測器經(jīng)受相對大的溫度變化和/或相對長時間浸漬在水中時,尤其是在絕緣性被覆層的內(nèi)側(cè)層和外側(cè)層之間發(fā)生局部剝離,在其間形成間隙,由此熱敏電阻芯片和/或引線的連接端部由于遷移而劣化?;谠撜J識,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),對于絕緣性被覆層的內(nèi)側(cè)層,使用高粘合性樹脂代替普通的(即,非高粘合性的)有機硅系樹脂是實現(xiàn)上述主要技術目的的關鍵,因為高粘合性樹脂不僅對熱敏電阻芯片而且對絕緣性被覆層的外側(cè)層都具有充分的剝離強度,而普通的有機硅系樹脂僅對熱敏電阻芯片的剝離強度高,對絕緣性被覆層的外側(cè)層的剝離強度低(約0.08~0.09mpa)。
6、因此,作為能夠?qū)崿F(xiàn)上述主要技術目的的溫度檢測器,本發(fā)明提供包括熱敏電阻芯片、與熱敏電阻芯片連接的一對引線、以及覆蓋熱敏電阻芯片和各引線的連接端部的絕緣性被覆層的溫度檢測器。絕緣性被覆層包括高粘合性樹脂制的內(nèi)側(cè)層和環(huán)氧系樹脂制的外側(cè)層。
7、高粘合性樹脂優(yōu)選為加成反應型有機硅系樹脂,特別是以含乙烯基的有機聚硅氧烷作為主要成分的加成反應型有機硅系樹脂。內(nèi)側(cè)層適合具有0.5μm以上的厚度。內(nèi)側(cè)層對于熱敏電阻芯片和外側(cè)層的剝離強度適合為0.20mpa以上,特別是0.30mpa以上,還特別是0.50mpa以上。期望的是,熱敏電阻芯片、一對引線的連接端部以及絕緣性被覆層收納在一端封閉并且另一端開放的金屬或合成樹脂制的圓筒狀殼體內(nèi),殼體內(nèi)填充有合成樹脂。
8、發(fā)明的效果
9、從下面描述的實施例等可以清楚地理解,根據(jù)本發(fā)明構造的溫度檢測器的絕緣性被覆層的內(nèi)側(cè)層由對熱敏電阻芯片和絕緣性被覆層的外側(cè)層具有高剝離強度的高粘合性樹脂制成。因此,即使當溫度檢測器經(jīng)受相對大的溫度變化和/或相對長時間浸漬在水中時,絕緣性被覆層的內(nèi)側(cè)層和外側(cè)層也不會彼此局部剝離。結果,熱敏電阻芯片和引線的連接端部可靠地保持絕緣以防止它們由于遷移而劣化。
1.一種溫度檢測器,其包括熱敏電阻芯片、與所述熱敏電阻芯片連接的一對引線、以及覆蓋所述熱敏電阻芯片和各所述引線的連接端部的絕緣性被覆層,
2.根據(jù)權利要求1所述的溫度檢測器,其中所述高粘合性樹脂為加成反應型有機硅系樹脂。
3.根據(jù)權利要求2所述的溫度檢測器,其中所述加成反應型有機硅系樹脂以含乙烯基的有機聚硅氧烷作為主要成分。
4.根據(jù)權利要求1所述的溫度檢測器,其中所述內(nèi)側(cè)層的厚度為0.5μm以上。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的溫度檢測器,其中所述內(nèi)側(cè)層對所述熱敏電阻芯片和所述外側(cè)層的剝離強度為0.20mpa以上。
6.根據(jù)權利要求5所述的溫度檢測器,其中所述內(nèi)側(cè)層對所述熱敏電阻芯片和所述外側(cè)層的剝離強度為0.30mpa以上。
7.根據(jù)權利要求6所述的溫度檢測器,其中所述內(nèi)側(cè)層對所述熱敏電阻芯片和所述外側(cè)層的剝離強度為0.50mpa以上。
8.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的溫度檢測器,其中所述熱敏電阻芯片、所述一對引線的連接端部、以及所述絕緣性被覆層收納在一端封閉并且另一端開放的金屬或合成樹脂制的圓筒狀殼體內(nèi),所述殼體內(nèi)填充有合成樹脂。