本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種蝕刻方法及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、等離子體處理裝置在對基板的膜進(jìn)行等離子體蝕刻時使用。等離子體處理裝置具備腔室及基板支撐部?；逯尾吭O(shè)置于腔室內(nèi)。在進(jìn)行等離子體蝕刻時，為了生成等離子體而供給源高頻電力。并且，為了將離子引入到基板，向基板支撐部供給偏置高頻電力。下述專利文獻(xiàn)1中公開了在等離子體蝕刻中控制源高頻電力的脈沖波與偏置高頻電力的脈沖波的相位差的內(nèi)容。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-157735號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、本發(fā)明提供一種抑制因蝕刻而導(dǎo)致金屬硬掩模減少的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)課題的手段

4、在一示例性實施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括：工序(a)，在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)，在基板支撐部上準(zhǔn)備基板?；灏ê泄杓把醯碾娊橘|(zhì)膜和設(shè)置于該電介質(zhì)膜上的金屬硬掩模。蝕刻方法還包括：工序(b)，在基板上形成沉積物。沉積物從在腔室內(nèi)由處理氣體生成的等離子體被供給，該處理氣體包含含有氟及碳的氣體成分。蝕刻方法還包括：工序(c)，通過從由處理氣體生成的等離子體向沉積物供給離子，對沉積物進(jìn)行改性。蝕刻方法還包括：工序(d)，在工序(c)之后，使用在腔室內(nèi)生成的等離子體對電介質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻。在工序(c)中為了由處理氣體生成等離子體而使用的源高頻電力的功率水平為在工序(b)中為了由處理氣體生成等離子體而使用的源高頻電力的功率水平以下。在工序(c)中被供給到基板支撐部的電偏壓的水平高于在工序(b)中被供給到基板支撐部的電偏壓的水平，或者在工序(b)中未向基板支撐部供給電偏壓。在工序(d)中被供給到基板支撐部的電偏壓的水平高于在工序(c)中被供給到基板支撐部的電偏壓的水平。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)一示例性實施方式，提供一種抑制因蝕刻而導(dǎo)致的金屬硬掩模減少的技術(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種蝕刻方法，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的蝕刻方法，其還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的蝕刻方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的蝕刻方法，其中，

9.一種等離子體處理裝置，其用于對基板的電介質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻，該基板包括包含硅及氧的所述電介質(zhì)膜和設(shè)置于該電介質(zhì)膜上的金屬硬掩模，

10.一種蝕刻方法，其包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻方法，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻方法，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的蝕刻方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項所述的蝕刻方法，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項所述的蝕刻方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項所述的蝕刻方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項所述的蝕刻方法，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項所述的蝕刻方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
所公開的蝕刻方法包括：工序(a)，在腔室內(nèi)準(zhǔn)備基板；工序(b)，在基板上形成沉積物；工序(c)，通過從由處理氣體生成的等離子體向沉積物供給離子，對沉積物進(jìn)行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等離子體對電介質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻。基板包括電介質(zhì)膜和掩模。沉積物從由處理氣體生成的等離子體被供給，該處理氣體包含含有氟及碳的氣體成分。工序(c)中的源高頻電力的功率水平為工序(b)中的源高頻電力的功率水平以下。工序(c)中的電偏壓的水平高于工序(b)中的電偏壓的水平，或者在工序(b)中不供給電偏壓。工序(d)中的電偏壓的水平高于工序(c)中的電偏壓的水平。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐木凜,細(xì)谷正德,千葉祐毅,伊藤駿,西出大亮,大類貴俊,齋藤悠人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6