本公開涉及一種基板處理系統(tǒng)和基板處理方法。

背景技術：

1、在專利文獻1中公開了以下內容：在表面上形成有剝離氧化膜和半導體元件的半導體基板中，將半導體元件轉印到轉印對象基板。專利文獻1所記載的方法包括以下工序：通過從半導體基板的背面照射光來局部地加熱剝離氧化膜；以及通過在剝離氧化膜中以及/或者剝離氧化膜與半導體基板之間的界面產生剝離，來將半導體元件轉印到轉印對象基板。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2007-220749號公報

技術實現思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開所涉及的技術在以通過照射激光束而形成的分離面為基點將基板分離時，適當地探測在照射激光束之后且進行基板的分離之前該基板是否已被分離。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一個方式是一種基板處理系統(tǒng)，用于對基板進行處理，所述基板處理系統(tǒng)具備：基板保持部，其具有用于保持所述基板的保持面；驅動機構，其用于使所述基板保持部在水平方向上移動；旋轉機構，其用于使所述基板保持部旋轉；激光照射部，其用于對被保持于所述保持面的所述基板照射激光束，來形成作為該基板的分離的基點的分離面；以及探測機構，其用于探測被保持于所述基板保持部的所述基板中以所述分離面為基點的分離。

5、發(fā)明的效果

6、根據本公開，在以通過照射激光束而形成的分離面為基點將基板分離時，能夠適當地探測在照射激光束之后且進行基板的分離之前該基板是否已被分離。

技術特征：

1.一種基板處理系統(tǒng)，對基板進行處理，所述基板處理系統(tǒng)具備：

2.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

3.根據權利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

4.根據權利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

5.根據權利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

6.根據權利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

7.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

8.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

9.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

10.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

11.根據權利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，

12.根據權利要求1至11中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中，還具備：

13.根據權利要求1至11中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中，還具備：

14.根據權利要求1至11中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中，還具備：

15.一種基板處理方法，用于對基板進行處理，所述基板處理方法包括：

16.根據權利要求15所述的基板處理方法，其中，

17.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

18.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

19.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

20.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

21.根據權利要求15所述的基板處理方法，其中，

22.根據權利要求15所述的基板處理方法，其中，

23.根據權利要求15所述的基板處理方法，其中，

技術總結
一種基板處理系統(tǒng)，對基板進行處理，所述基板處理系統(tǒng)具備：基板保持部，其具有用于保持所述基板的保持面；驅動機構，其使所述基板保持部在水平方向上移動；旋轉機構，其使所述基板保持部旋轉；激光照射部，其對被保持于所述保持面的所述基板照射激光束，來形成作為該基板的分離的基點的分離面；以及探測機構，其用于探測被保持于所述基板保持部的所述基板中以所述分離面為基點的分離。

技術研發(fā)人員：森弘明,山脅陽平,山下陽平,中野征二,守屋光彥,田村武,早川晉
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/6