本發(fā)明涉及半導(dǎo)體模塊。

背景技術(shù)：

1、在由硅構(gòu)成的支承基板上層疊有絕緣層以及半導(dǎo)體層的soi基板上形成了高頻電路的半導(dǎo)體裝置中，存在由于半導(dǎo)體層與支承基板之間的寄生電容而產(chǎn)生高次諧波失真的情況。在下述的專利文獻(xiàn)1公開了一種在將由soi基板制成的半導(dǎo)體裝置安裝到安裝基板之后，通過去除由硅構(gòu)成的支承基板來使寄生電容減少的半導(dǎo)體裝置。在去除了支承基板之后的空間配置樹脂。

2、專利文獻(xiàn)1：美國專利申請公開第2019/0326159號說明書。

3、在形成于半導(dǎo)體層的晶體管產(chǎn)生的熱主要經(jīng)由最近的凸塊傳導(dǎo)至安裝基板。然而，根據(jù)本申請發(fā)明人的考察明確了在專利文獻(xiàn)1所公開的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，與殘留了soi基板的由si構(gòu)成的支承基板的構(gòu)成相比，晶體管的溫度容易上升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體模塊，能夠抑制在半導(dǎo)體層產(chǎn)生的寄生電容的增大，并且抑制形成于半導(dǎo)體層的晶體管的溫度上升。

2、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體模塊，具備：

3、安裝基板；

4、半導(dǎo)體裝置，以倒裝芯片方式安裝于上述安裝基板；

5、模塑樹脂，密封上述半導(dǎo)體裝置；以及

6、絕緣性的導(dǎo)熱部件，配置于上述半導(dǎo)體裝置的與上述安裝基板對置的面，且具有比上述模塑樹脂的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)率，

7、上述半導(dǎo)體裝置包含：

8、器件層，形成有晶體管；

9、多個(gè)凸塊，配置于上述器件層的與上述安裝基板對置的面，并與上述安裝基板連接；

10、絕緣層，配置于上述器件層的和與上述安裝基板對置的面為相反側(cè)的面，

11、在俯視上述安裝基板時(shí)，上述晶體管具有與上述多個(gè)凸塊的任一個(gè)都不重疊的非重疊部分，上述導(dǎo)熱部件從與上述非重疊部分重疊的區(qū)域連續(xù)地配置到上述多個(gè)凸塊中的至少一個(gè)凸塊。

12、發(fā)明效果

13、在晶體管的非重疊部分產(chǎn)生的熱經(jīng)由導(dǎo)熱部件傳導(dǎo)到導(dǎo)熱部件連續(xù)的凸塊。因此，能夠抑制晶體管的非重疊部分的溫度上升。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體模塊，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

技術(shù)總結(jié)
在安裝基板以倒裝芯片方式安裝有半導(dǎo)體裝置。模塑樹脂密封半導(dǎo)體裝置。在半導(dǎo)體裝置的與安裝基板對置的面配置有具有比模塑樹脂的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)率的絕緣性的導(dǎo)熱部件。半導(dǎo)體裝置包含：器件層，形成有晶體管；多個(gè)凸塊，配置于器件層的與安裝基板對置的面，并與安裝基板連接；以及絕緣層，配置于器件層的和與安裝基板對置的面相反的一側(cè)的面。在俯視安裝基板時(shí)，晶體管具有與多個(gè)凸塊的任一個(gè)均不重疊的非重疊部分。導(dǎo)熱部件從與非重疊部分重疊的區(qū)域連續(xù)地配置到多個(gè)凸塊中的至少一個(gè)凸塊。

技術(shù)研發(fā)人員：佐治真理
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6