本發(fā)明構(gòu)思涉及圖像傳感器。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思涉及用于減少光損失的圖像傳感器。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體裝置。圖像傳感器可以例如被分類為電荷耦合器件(ccd)圖像傳感器和以cmos工藝實(shí)現(xiàn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)圖像傳感器。cmos圖像傳感器也可以縮寫(xiě)為cis。

2、cis可以將光能轉(zhuǎn)換成電能并且可以讀取圖像信息。詳細(xì)地，cis可以將通過(guò)透鏡輸入的模擬視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為電視頻信號(hào)，并且可以被開(kāi)發(fā)為傳輸cmos數(shù)字信號(hào)，這與用于傳輸電荷的ccd圖像傳感器不同。

3、更詳細(xì)地，cis包括以二維方式(例如，二維陣列)布置的像素，各個(gè)像素使用晶體管，并且由光電二極管產(chǎn)生的信號(hào)電荷可以在各個(gè)像素中被轉(zhuǎn)換為電壓并且可以被輸出。cis可以通過(guò)商業(yè)cmos方法制造，因此對(duì)容易制造的cis的研究正在積極進(jìn)行。

4、當(dāng)制造cis時(shí)，存在通過(guò)濾色器流入的光被dti(深溝槽隔離)的多晶硅區(qū)域吸收的問(wèn)題，導(dǎo)致其中一個(gè)像素包括兩個(gè)或更多個(gè)光電二極管的結(jié)構(gòu)中的光損失。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例提供了一種用于減少光學(xué)損耗的圖像傳感器。

2、本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例提供了一種用于獲取自動(dòng)聚焦(af)分離比的圖像傳感器。

3、本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例提供了一種圖像傳感器，該圖像傳感器可以包括：基底，包括被構(gòu)造為接收光的第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；像素分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定單位像素；第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；第一分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，第一分離圖案在第一光電轉(zhuǎn)換層與第二光電轉(zhuǎn)換層之間；第一網(wǎng)格圖案，在像素分離圖案上；以及第二網(wǎng)格圖案，在第一分離圖案上并且具有比第一網(wǎng)格圖案低的高度。第二網(wǎng)格圖案的高度可以滿足第一網(wǎng)格圖案的高度的1/10至1/4的范圍。

4、圖像傳感器可以包括在第一網(wǎng)格圖案和第二網(wǎng)格圖案上并且具有比第二網(wǎng)格圖案的折射率大的折射率的第一濾色器。第二網(wǎng)格圖案的折射率與第二網(wǎng)格圖案上的第一濾色器的折射率的之比可以滿足0.40至0.95。

5、第二網(wǎng)格圖案的折射率可以滿足1.0至1.6。第一網(wǎng)格圖案可以包括下部第一網(wǎng)格圖案和在下部第一網(wǎng)格圖案上的上部第一網(wǎng)格圖案。

6、下部第一網(wǎng)格圖案和第二網(wǎng)格圖案可以具有相同的高度。下部第一網(wǎng)格圖案和上部第一網(wǎng)格圖案可以包括不同的材料。

7、圖像傳感器還可以包括：第三光電轉(zhuǎn)換層，在單位像素中在第二方向上接近第一光電轉(zhuǎn)換層；以及第四光電轉(zhuǎn)換層，在第二方向上接近第二光電轉(zhuǎn)換層，其中，第三光電轉(zhuǎn)換層和第四光電轉(zhuǎn)換層至少部分地由第一分離圖案限定。第一分離圖案可以包括以特定(或可選地，預(yù)定)間隔隔開(kāi)的第一子分離圖案和第二子分離圖案。

8、第二網(wǎng)格圖案的面積可以等于或大于第一子分離圖案和第二子分離圖案的面積。像素分離圖案可以被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定附加單位像素，附加單位像素包括：附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；附加第一分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層，附加第一分離圖案在附加第一光電轉(zhuǎn)換層與附加第二光電轉(zhuǎn)換層之間；以及第三網(wǎng)格圖案，在附加單位像素的附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加單位像素的附加第二光電轉(zhuǎn)換層中的至少一個(gè)上。

9、第三網(wǎng)格圖案可以完全覆蓋附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層中的至少一個(gè)。附加第一分離圖案可以包括以特定間隔彼此間隔開(kāi)的第一子分離圖案和第二子分離圖案，并且第三網(wǎng)格圖案可以在第一子分離圖案和第二子分離圖案的至少一部分上。第三網(wǎng)格圖案可以完全覆蓋第一子分離圖案和第二子分離圖案。

10、本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例提供了一種圖像傳感器，該圖像傳感器可以包括：基底，包括被構(gòu)造為接收光的第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；像素分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定單位像素；第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；第一分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，第一分離圖案在第一光電轉(zhuǎn)換層與第二光電轉(zhuǎn)換層之間；以及第一網(wǎng)格圖案，在第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層中的至少一個(gè)上。第一網(wǎng)格圖案可以覆蓋第一分離圖案的至少一部分。第二網(wǎng)格圖案可以在第一分離圖案與第一網(wǎng)格圖案之間。

11、本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例提供了一種圖像傳感器，該圖像傳感器可以包括：基底，包括被構(gòu)造為接收光的第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；像素分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定單位像素；第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；第一分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，第一分離圖案在第一光電轉(zhuǎn)換層與第二光電轉(zhuǎn)換層之間；表面絕緣層，在像素分離圖案、第一光電轉(zhuǎn)換層、第二光電轉(zhuǎn)換層和第一分離圖案中的每個(gè)上；第一網(wǎng)格圖案，在表面絕緣層的在像素分離圖案上的至少第一部分上；第二網(wǎng)格圖案，在表面絕緣層的在第一分離圖案上的至少第二部分上，并且具有比第一網(wǎng)格圖案低的高度；以及濾色器，在第一網(wǎng)格圖案和第二網(wǎng)格圖案中的每個(gè)上，其中，第二網(wǎng)格圖案的高度滿足第一網(wǎng)格圖案的高度的1/10至1/4。

12、像素分離圖案可以被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定附加單位像素，附加單位像素包括：附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；附加第一分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層，附加第一分離圖案在附加第一光電轉(zhuǎn)換層與附加第二光電轉(zhuǎn)換層之間；以及第三網(wǎng)格圖案，在附加第一光電轉(zhuǎn)換層和附加第二光電轉(zhuǎn)換層中的至少一個(gè)上。

13、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的圖像傳感器包括在分離圖案上的第一網(wǎng)格圖案和第二網(wǎng)格圖案，以至少部分地限定像素分離圖案和光電轉(zhuǎn)換層，從而提供具有減少的光損失的圖像傳感器。

14、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的圖像傳感器具有上述優(yōu)點(diǎn)，并且包括其中光電轉(zhuǎn)換層的一部分被阻擋的單位像素，從而提供已經(jīng)獲取了自動(dòng)聚焦(af)分離比的圖像傳感器。

技術(shù)特征：

1.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其中，

16.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖像傳感器，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

19.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像傳感器，其中，

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括：基底，包括被構(gòu)造為接收光的第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；像素分離圖案，被構(gòu)造為在基底中至少部分地限定單位像素；第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層，在像素分離圖案中沿第一方向布置；第一分離圖案，被構(gòu)造為在第一光電轉(zhuǎn)換層與第二光電轉(zhuǎn)換層之間在基底中至少部分地限定第一光電轉(zhuǎn)換層和第二光電轉(zhuǎn)換層；第一網(wǎng)格圖案，在像素分離圖案上；以及第二網(wǎng)格圖案，在第一分離圖案上并且具有比第一網(wǎng)格圖案低的高度。

技術(shù)研發(fā)人員：表正炯,李承桓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26