本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，并且更具體地，涉及包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置可以包括集成電路，該集成電路可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)。為了滿(mǎn)足對(duì)具有小圖案尺寸和減小設(shè)計(jì)規(guī)則的半導(dǎo)體裝置的日益增長(zhǎng)的需求，正在按比例縮小mosfet。mosfet的按比例縮小會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的操作性質(zhì)劣化。正在進(jìn)行各種研究以克服與半導(dǎo)體裝置的按比例縮小相關(guān)的技術(shù)限制并實(shí)現(xiàn)高性能半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)思可以提供具有改善的可靠性和電特性的半導(dǎo)體裝置。

2、根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：基底，包括有源圖案；溝道圖案，在有源圖案上，其中，溝道圖案包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)半導(dǎo)體圖案；源極/漏極圖案，電連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；柵電極，在溝道圖案上沿第一方向延伸，其中，柵電極包括在所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案之中的第一半導(dǎo)體圖案與第二半導(dǎo)體圖案之間的內(nèi)柵電極；以及內(nèi)柵極間隔件，在內(nèi)柵電極與源極/漏極圖案之間，其中，內(nèi)柵極間隔件包括中心部分和在第一方向上與中心部分的第一側(cè)相鄰的邊緣部分，其中，中心部分在第二方向上具有第一厚度，其中，邊緣部分在第二方向上具有第二厚度，其中，第一厚度大于第二厚度，其中，第一半導(dǎo)體圖案和第二半導(dǎo)體圖案在第三方向上彼此相鄰，其中，第一方向與基底的上表面平行，其中，第二方向與基底的上表面平行并與第一方向交叉，并且其中，第三方向與基底的上表面垂直。

3、根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：基底，包括有源圖案；溝道圖案，在有源圖案上，其中，溝道圖案包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)半導(dǎo)體圖案；源極/漏極圖案，電連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；柵電極，在溝道圖案上沿第一方向延伸，其中，柵電極包括在所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案之中的第一半導(dǎo)體圖案與第二半導(dǎo)體圖案之間的內(nèi)柵電極；內(nèi)柵極間隔件，在內(nèi)柵電極與源極/漏極圖案之間；以及內(nèi)高k介電層，在內(nèi)柵電極與內(nèi)柵極間隔件之間，其中，內(nèi)柵極間隔件包括第一部分和在第一方向上與第一部分的第一側(cè)相鄰的第二部分，其中，第一部分包括與內(nèi)高k介電層接觸的第一外表面，其中，第二部分包括與內(nèi)高k介電層接觸的第二外表面，其中，第一外表面比第二外表面靠近內(nèi)柵電極的中心部分，并且其中，第一方向與基底的上表面平行。

4、根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：基底，包括有源區(qū)域；有源圖案，在有源區(qū)域上；器件隔離層，與有源圖案相鄰；溝道圖案和源極/漏極圖案，在有源圖案上，其中，溝道圖案包括彼此間隔開(kāi)并在第二方向上堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體圖案，并且其中，源極/漏極圖案電連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；柵電極，在溝道圖案上沿第一方向延伸，其中，柵電極包括位于所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案之中的第一半導(dǎo)體圖案與第二半導(dǎo)體圖案之間的內(nèi)柵電極；柵極絕緣層，在第一半導(dǎo)體圖案和第二半導(dǎo)體圖案與內(nèi)柵電極之間，其中，柵極絕緣層包括在內(nèi)柵電極與源極/漏極圖案之間的內(nèi)柵極間隔件；內(nèi)高k介電層，在內(nèi)柵電極與內(nèi)柵極間隔件之間；以及柵極間隔件，在柵電極的側(cè)壁上，其中，第一半導(dǎo)體圖案和第二半導(dǎo)體圖案在第二方向上彼此相鄰，其中，內(nèi)柵極間隔件包括第一邊緣部分、在第一方向上與第一邊緣部分間隔開(kāi)的第二邊緣部分以及在第一邊緣部分與第二邊緣部分之間的中心部分，其中，內(nèi)柵極間隔件在第三方向上的厚度從第一邊緣部分朝向中心部分增大，在中心部分處達(dá)到最大值，并且從中心部分朝向第二邊緣部分減小，其中，第二方向與基底的上表面垂直，其中，第一方向與基底的上表面平行，并且其中，第三方向與基底的上表面平行并與第一方向交叉。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二厚度與第一厚度的比率為0.2至0.8。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件在第二方向上的厚度從中心部分到邊緣部分減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：高k介電層，在內(nèi)柵極間隔件與內(nèi)柵電極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括朝向內(nèi)柵電極凸出的第一側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括與源極/漏極圖案接觸并且朝向內(nèi)柵電極凹陷的第二側(cè)壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一側(cè)壁的曲率大于第二側(cè)壁的曲率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵電極包括在內(nèi)柵極間隔件上的凹入側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括第一外側(cè)壁和第二外側(cè)壁，第一外側(cè)壁與源極/漏極圖案接觸并且朝向源極/漏極圖案凸出，第二外側(cè)壁在內(nèi)柵電極上并且朝向源極/漏極圖案凹陷。

10.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件在第二方向上具有厚度，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一部分在第二方向上的第一厚度大于第二部分在第二方向上的第二厚度，并且

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括：第一側(cè)壁，朝向內(nèi)柵電極凸出。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件還包括：第二側(cè)壁，與源極/漏極圖案接觸并且朝向內(nèi)柵電極凹陷，并且

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵電極包括與內(nèi)高k介電層接觸的凹入側(cè)壁。

16.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括朝向內(nèi)柵電極凸出的第一側(cè)壁。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件還包括與源極/漏極圖案接觸的第二側(cè)壁，

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵電極包括與內(nèi)高k介電層接觸的凹入側(cè)壁。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，內(nèi)柵極間隔件包括朝向源極/漏極圖案凸出的第一外側(cè)壁，以及與內(nèi)高k介電層接觸并且朝向源極/漏極圖案凹陷的第二外側(cè)壁。

技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括有源圖案；溝道圖案，在有源圖案上，其中，溝道圖案包括多個(gè)半導(dǎo)體圖案；源極/漏極圖案，連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；柵電極，在溝道圖案上沿第一方向延伸，其中，柵電極包括在所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案之中的第一半導(dǎo)體圖案與第二半導(dǎo)體圖案之間的內(nèi)柵電極；以及內(nèi)柵極間隔件，在內(nèi)柵電極與源極/漏極圖案之間，其中，內(nèi)柵極間隔件包括中心部分和邊緣部分，中心部分在第二方向上具有第一厚度，邊緣部分在第二方向上具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度，第一半導(dǎo)體圖案和第二半導(dǎo)體圖案在第三方向上彼此相鄰。

技術(shù)研發(fā)人員：金成玟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2