本公開涉及圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法，更具體地，涉及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)圖像傳感器和制造其的方法。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體裝置。計(jì)算機(jī)行業(yè)和通信行業(yè)的最新進(jìn)展已經(jīng)導(dǎo)致對(duì)各種消費(fèi)電子裝置(諸如數(shù)碼相機(jī)、可攜式攝像機(jī)、pcs(個(gè)人通信系統(tǒng))、游戲裝置、安全相機(jī)、醫(yī)用微型相機(jī)等)中的高性能圖像傳感器的強(qiáng)烈需求。圖像傳感器可以分類為電荷耦合器件(ccd)型或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)型。cmos型圖像傳感器可以縮寫為cis(cmos圖像傳感器)。cis具有多個(gè)二維布置的像素。像素中的每個(gè)包括光電二極管。光電二極管將入射光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。多個(gè)像素由設(shè)置在其間的深隔離圖案限定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一些實(shí)施例提供了一種被構(gòu)造為最小化或抑制暗電流的發(fā)生的圖像傳感器以及制造該圖像傳感器的方法。

2、本公開的一些實(shí)施例提供了一種被構(gòu)造為增加光反射效率并被構(gòu)造為改善靈敏度的圖像傳感器以及制造該圖像傳感器的方法。

3、本公開的一些實(shí)施例提供了一種高度集成的圖像傳感器以及制造該圖像傳感器的方法。

4、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括彼此背對(duì)的第一表面和第二表面，其中，基底包括多個(gè)像素區(qū)域；隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔離圖案位于所述多個(gè)像素區(qū)域之間；以及抗反射層，位于隔離圖案上，其中，隔離圖案包括第一器件隔離圖案和第二器件隔離圖案，第一器件隔離圖案接觸抗反射層，第二器件隔離圖案與抗反射層間隔開，其中，第一器件隔離圖案包括第一介電層和導(dǎo)電反射層，導(dǎo)電反射層位于第一介電層上，其中，導(dǎo)電反射層的頂表面和第一介電層的頂表面距基底的第二表面相同的距離。

5、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括彼此背對(duì)的第一表面和第二表面，其中，基底包括多個(gè)像素區(qū)域；隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔離圖案位于所述多個(gè)像素區(qū)域之間；以及抗反射層，位于隔離圖案上，其中，隔離圖案包括第一器件隔離圖案和第二器件隔離圖案，第一器件隔離圖案接觸抗反射層，第二器件隔離圖案與抗反射層間隔開，其中，第一器件隔離圖案包括第一介電層和導(dǎo)電反射層，導(dǎo)電反射層位于第一介電層上，其中，抗反射層包括平行層部分和豎直層部分，平行層部分在與基底的第一表面平行的方向上延伸，豎直層部分從平行層部分朝向基底的第二表面延伸并且接觸導(dǎo)電反射層。

6、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括彼此背對(duì)的第一表面和第二表面，其中，基底包括多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)微透鏡，位于基底的第一表面上；傳輸柵極，位于基底的第二表面上；隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔離圖案位于所述多個(gè)像素區(qū)域之間；以及抗反射層，位于隔離圖案上，其中，隔離圖案包括第一器件隔離圖案和第二器件隔離圖案，第一器件隔離圖案接觸抗反射層，第二器件隔離圖案與抗反射層間隔開，其中，第一器件隔離圖案包括第一介電層和導(dǎo)電反射層，導(dǎo)電反射層位于第一介電層上，其中，第二器件隔離圖案包括掩埋層、導(dǎo)電襯墊和介電襯墊，導(dǎo)電襯墊位于掩埋層上，介電襯墊位于導(dǎo)電襯墊上，其中，抗反射層包括平行層部分和豎直層部分，平行層部分與基底的第一表面平行，豎直層部分從平行層部分延伸并朝向基底的第二表面延伸，其中，豎直層部分接觸導(dǎo)電反射層。

技術(shù)特征：

1.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，第二器件隔離圖案包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，第一介電層的晶格常數(shù)不同于介電襯墊的晶格常數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，介電襯墊的頂表面包括彎曲表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，介電襯墊和第一介電層包括不同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電反射層包括cu、al、w、ti和ag中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中，豎直層部分的底表面距基底的第二表面第一距離，導(dǎo)電反射層的底表面距基底的第二表面第二距離，并且第一距離大于第二距離。

10.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，豎直層部分的底表面距基底的第二表面第一距離，第一介電層的底表面距基底的第二表面第二距離，并且第一距離大于第二距離。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，平行層部分的底表面接觸第一介電層的頂表面和導(dǎo)電反射層的頂表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，第二器件隔離圖案包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電襯墊的寬度大于豎直層部分的寬度。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電反射層包括cu、al、w、ti和ag中的至少一種。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其中，介電襯墊的頂表面包括彎曲表面和與基底的第一表面平行的平坦表面。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，豎直層部分的側(cè)表面和底表面至少部分地被導(dǎo)電反射層圍繞。

19.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像傳感器，其中：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種圖像傳感器。所述圖像傳感器包括：基底，包括彼此背對(duì)的第一表面和第二表面，其中，基底包括多個(gè)像素區(qū)域；隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔離圖案位于所述多個(gè)像素區(qū)域之間；以及抗反射層，位于隔離圖案上，其中，隔離圖案包括第一器件隔離圖案和第二器件隔離圖案，第一器件隔離圖案接觸抗反射層，第二器件隔離圖案與抗反射層間隔開，其中，第一器件隔離圖案包括第一介電層和導(dǎo)電反射層，導(dǎo)電反射層位于第一介電層上，其中，導(dǎo)電反射層的頂表面和第一介電層的頂表面距基底的第二表面相同的距離。

技術(shù)研發(fā)人員：金局泰,金振均,李珉炅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2