本發(fā)明是關(guān)于一種電子裝置及其制造方法，特別是關(guān)于一種包括散熱層的電子裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著數(shù)字科技的發(fā)展，電子裝置已被廣泛地應(yīng)用在日常生活的各個(gè)層面中。電子裝置可包括功率組件、封裝組件或其他電子組件。傳統(tǒng)的封裝組件因?yàn)榘▽?dǎo)線(wirebonding)而具有較大的體積以及厚度。因此，當(dāng)傳統(tǒng)的封裝組件與其他電子組件電性連接時(shí)，可能因?yàn)槁窂捷^長(zhǎng)導(dǎo)致電子裝置的可靠性以及電性下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，提供一種電子裝置，其包括：具有第一側(cè)及第二側(cè)的電子單元，其中第一側(cè)與第二側(cè)相對(duì)；圍繞電子單元并具有暴露電子單元的第二側(cè)的多個(gè)開(kāi)口的封裝層；設(shè)置于電子單元的第一側(cè)并電性連接電子單元的第一電路結(jié)構(gòu)；設(shè)置于電子單元的第二側(cè)的第二電路結(jié)構(gòu)；貫穿封裝層且電性連接第一電路結(jié)構(gòu)與第二電路結(jié)構(gòu)的通孔；以及設(shè)置于電子單元的第二側(cè)的散熱層，其中，散熱層透過(guò)多個(gè)開(kāi)口接觸電子單元。

2、根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，提供一種電子裝置的制造方法，其包括：提供電子單元、通孔以及封裝層，其中封裝層圍繞電子單元以及通孔且露出電子單元的第一側(cè)以及通孔的導(dǎo)電組件的頂部；提供第一電路結(jié)構(gòu)于電子單元的第一側(cè)及通孔上；形成多個(gè)開(kāi)口以暴露電子單元的部分的第二側(cè)；以及形成散熱層于電子單元的第二側(cè)及形成第二電路結(jié)構(gòu)于通孔上。第二電路結(jié)構(gòu)透過(guò)通孔電性連接第一電路結(jié)構(gòu)，且散熱層位于第二電路結(jié)構(gòu)及電子單元的第二側(cè)之間。

技術(shù)特征：

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該電子單元包括芯片以及保護(hù)層，該散熱層透過(guò)該多個(gè)開(kāi)口接觸該芯片的背面。

3.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該散熱層與該芯片的背面的接觸寬度總和/該芯片的背面寬度的比值介于0.2～0.7。

4.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該封裝層具有厚度t1，位在該芯片與該第二電路結(jié)構(gòu)之間的該封裝層具有厚度t2，厚度t2/厚度t1介于0.01～0.5。

5.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該散熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于等于10w/mk且小于等于505w/mk。

6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第二保護(hù)層設(shè)置于該封裝層上，其中該第二保護(hù)層圍繞該第二電路結(jié)構(gòu)。

7.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括：

8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，該電子單元包括芯片以及保護(hù)層，該散熱層透過(guò)該多個(gè)第一開(kāi)口接觸該芯片的背面。

9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，該散熱層與該芯片的背面的接觸寬度總和/該芯片的背面寬度的比值介于0.2～0.7。

10.如權(quán)利要求8所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，該封裝層具有厚度t1，位在該芯片與該第二電路結(jié)構(gòu)之間的該封裝層具有厚度t2，厚度t2/厚度t1介于0.01～0.5。

技術(shù)總結(jié)
一種電子裝置包括：具有第一側(cè)及第二側(cè)的電子單元；圍繞電子單元并具有暴露電子單元的第二側(cè)的多個(gè)開(kāi)口的封裝層；設(shè)置于電子單元的第一側(cè)并電性連接電子單元的第一電路結(jié)構(gòu)；設(shè)置于電子單元的第二側(cè)的第二電路結(jié)構(gòu)；貫穿封裝層且電性連接第一電路結(jié)構(gòu)與第二電路結(jié)構(gòu)的通孔；以及設(shè)置于電子單元的第二側(cè)的散熱層，其中，散熱層透過(guò)多個(gè)開(kāi)口接觸電子單元。

技術(shù)研發(fā)人員：高克毅,王茹立,王子中,劉彥甫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：群創(chuàng)光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9