本公開涉及一種半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、作為用于增加集成電路器件密度的縮放技術(shù)，已經(jīng)提出了多柵極晶體管的概念，在該概念中，在襯底上形成鰭或納米線形式的硅體，并且在硅體的表面上形成柵極。

2、多柵極晶體管利用其三維(3d)溝道，可以輕松按比例放大和縮小。此外，多柵極晶體管可以改進(jìn)對(duì)電流的控制，而無需增加?xùn)艠O長(zhǎng)度。此外，多柵極晶體管有效地減輕了短溝道效應(yīng)(sce)，即溝道區(qū)的電勢(shì)受漏極電壓影響的現(xiàn)象。

3、同時(shí)，隨著半導(dǎo)體器件間距尺寸的減小，需要研究減少接觸部之間的電容并且確保電穩(wěn)定性的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的各方面提供了一種能夠提高器件性能和器件集成度的半導(dǎo)體器件。

2、本公開的各方面還提供一種能夠提高器件性能和器件集成度的半導(dǎo)體器件的制造方法。

3、然而，本公開的各方面不限于本文所闡述的那些。通過參照下面給出的本公開的詳細(xì)描述，本公開的上述和其他方面對(duì)于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得更加清楚。

4、根據(jù)本公開的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一溝道分離結(jié)構(gòu)，沿第一方向延伸；第二溝道分離結(jié)構(gòu)，在第二方向上與第一溝道分離結(jié)構(gòu)間隔開，并且沿第一方向延伸；多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間在第一方向上彼此間隔開，第一柵極結(jié)構(gòu)與第一溝道分離結(jié)構(gòu)和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸，并且包括第一柵電極和第一柵極絕緣膜；第一溝道圖案，包括多個(gè)第一片狀圖案，多個(gè)第一片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第二溝道圖案，包括多個(gè)第二片狀圖案，多個(gè)第二片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第一源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間，并且與第一溝道圖案和第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第二源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間，并且與第二溝道圖案和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；以及第一柵極分離結(jié)構(gòu)，在第一源/漏圖案與第二源/漏圖案之間。

5、根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一溝道分離結(jié)構(gòu)，沿第一方向延伸；第二溝道分離結(jié)構(gòu)，在第二方向上與第一溝道分離結(jié)構(gòu)間隔開，并且沿第一方向延伸；多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間在第一方向上彼此間隔開，第一柵極結(jié)構(gòu)與第一溝道分離結(jié)構(gòu)和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸，并且包括第一柵電極和第一柵極絕緣膜；柵極封蓋圖案，在柵電極上，并且與第一溝道分離結(jié)構(gòu)和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；柵極間隔部，在第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；第一溝道圖案，包括多個(gè)第一片狀圖案，多個(gè)第一片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第二溝道圖案，包括多個(gè)第二片狀圖案，多個(gè)第二片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第一源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間并且與第一溝道圖案接觸；第二源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間，并且與第二溝道圖案和在第一源/漏圖案與第二源/漏圖案之間的第一柵極分離結(jié)構(gòu)接觸，其中，第一溝道分離結(jié)構(gòu)的上表面和第一柵極分離結(jié)構(gòu)的上表面位于相同平面上(即，共面)，并且第一溝道分離結(jié)構(gòu)的上表面和柵極封蓋圖案的上表面位于相同平面上(即，共面)。

6、根據(jù)本公開的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一下部圖案，沿第一方向延伸；第二下部圖案，沿第一方向延伸，并且在第二方向上與第一下部圖案間隔開；場(chǎng)絕緣膜，在第一下部圖案與第二下部圖案之間；第一溝道分離結(jié)構(gòu)，在第一下部圖案上，并且沿第一方向延伸，第一溝道分離結(jié)構(gòu)的一部分在第一下部圖案中；第二溝道分離結(jié)構(gòu)，在第二下部圖案上，并且沿第一方向延伸，第二溝道分離結(jié)構(gòu)的一部分在第二下部圖案中；多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間在第一方向上彼此間隔開，并且與第一溝道分離結(jié)構(gòu)和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸，柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和柵極絕緣膜；第一溝道圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與柵極結(jié)構(gòu)之間，并且包括多個(gè)第一片狀圖案，多個(gè)第一片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第二溝道圖案，在第二溝道分離結(jié)構(gòu)與柵極結(jié)構(gòu)之間，并且包括多個(gè)第二片狀圖案，多個(gè)第二片狀圖案在第三方向上彼此間隔開，并且與第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸；第一源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間，并且與第一溝道圖案接觸；第二源/漏圖案，在第一溝道分離結(jié)構(gòu)與第二溝道分離結(jié)構(gòu)之間，并且與第二溝道圖案接觸；以及柵極分離結(jié)構(gòu)，在第一源/漏圖案與在第二方向上面對(duì)第一源/漏圖案的第二源/漏圖案之間，所述柵極分離結(jié)構(gòu)與所述場(chǎng)絕緣膜接觸。

7、根據(jù)本公開的又一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此間隔開的第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案，第一模制鰭型圖案包括第一下部圖案和第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)，第二模制鰭型圖案包括第二下部圖案和第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)，并且第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)和第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)預(yù)圖案結(jié)構(gòu)包括預(yù)有源圖案和與預(yù)有源圖案交替堆疊的預(yù)犧牲圖案；在第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案上形成虛設(shè)柵電極，虛設(shè)柵電極包括沿第二方向延伸的延伸部，以及沿第一方向延伸的連接部，虛設(shè)柵電極的延伸部與第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案交叉，并且虛設(shè)柵電極的連接部將虛設(shè)柵電極的在第一模制鰭型圖案與第二模制鰭型圖案之間的延伸部連接；使用虛設(shè)柵電極作為掩模，在第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案中分別形成第一預(yù)源/漏凹陷部和第二預(yù)源/漏凹陷部；通過在第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中形成沿第一方向延伸的第一溝道分離結(jié)構(gòu)，在第一下部圖案上形成第一上部圖案結(jié)構(gòu)，第一溝道分離結(jié)構(gòu)將第一預(yù)源/漏凹陷部劃分為兩個(gè)第一源/漏凹陷部；通過在第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中形成沿第一方向延伸的第二溝道分離結(jié)構(gòu)，在第二下部圖案上形成第二上部圖案結(jié)構(gòu)，第二溝道分離結(jié)構(gòu)將第二預(yù)源/漏凹陷部劃分為兩個(gè)第二源/漏凹陷部，并且第一上部圖案結(jié)構(gòu)和第二上部圖案結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)上部圖案結(jié)構(gòu)包括有源圖案和與有源圖案交替堆疊的犧牲圖案；在第一源/漏凹陷部中形成與第一上部圖案結(jié)構(gòu)接觸的第一源/漏圖案；在第二源/漏凹陷部中形成與第二上部圖案結(jié)構(gòu)接觸的第二源/漏圖案；通過去除虛設(shè)柵電極形成暴露第一上部圖案結(jié)構(gòu)和第二上部圖案結(jié)構(gòu)的柵極溝槽，柵極溝槽包括沿第二方向延伸的柵極溝槽延伸部，以及將柵極溝槽延伸部連接的柵極溝槽連接部；通過去除第一上部圖案結(jié)構(gòu)的暴露的犧牲圖案，形成與第一源/漏圖案和第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸的第一片狀圖案；通過去除第二上部圖案結(jié)構(gòu)的暴露的犧牲圖案，形成與第二源/漏圖案和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸的第二片狀圖案；在柵極溝槽中形成預(yù)柵電極，預(yù)柵電極包括與第一片狀圖案和第二片狀圖案交叉的預(yù)柵電極延伸部，以及將預(yù)柵電極延伸部連接的預(yù)柵電極連接部；以及通過形成柵極分離結(jié)構(gòu)來形成柵電極，柵極分離結(jié)構(gòu)將預(yù)柵電極的在第一方向上彼此相鄰的延伸部分離。

8、根據(jù)本公開的又一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此間隔開的第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案，第一模制鰭型圖案包括第一下部圖案和第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)，第二模制鰭型圖案包括第二下部圖案和第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)，并且第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)和第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)包括預(yù)有源圖案和與預(yù)有源圖案交替堆疊的預(yù)犧牲圖案；在第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案上形成與第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案交叉并且沿第二方向延伸的多個(gè)虛設(shè)柵電極；在第一模制鰭型圖案與第二模制鰭型圖案之間形成柵極分離結(jié)構(gòu)，柵極分離結(jié)構(gòu)將在第一方向上彼此相鄰的虛設(shè)柵極電極連接；使用虛設(shè)柵電極作為掩模，分別在第一模制鰭型圖案和第二模制鰭型圖案中形成第一預(yù)源/漏凹陷部和第二預(yù)源/漏凹陷部；通過在第一預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中形成沿第一方向延伸的第一溝道分離結(jié)構(gòu)，在第一下部圖案上形成第一上部圖案結(jié)構(gòu)，第一溝道分離結(jié)構(gòu)將第一預(yù)源/漏凹陷部劃分為兩個(gè)第一源/漏凹陷部；通過在第二預(yù)圖案結(jié)構(gòu)中形成沿第一方向延伸的第二溝道分離結(jié)構(gòu)，在第二下部圖案上形成第二上部圖案結(jié)構(gòu)，第二溝道分離結(jié)構(gòu)將第二預(yù)源/漏凹陷部劃分為兩個(gè)第二源/漏凹陷部，并且第一上部圖案結(jié)構(gòu)和第二上部圖案結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)上部圖案結(jié)構(gòu)包括有源圖案和與有源圖案交替堆疊的犧牲圖案；在第一源/漏凹陷部中形成與第一上部圖案結(jié)構(gòu)接觸的第一源/漏圖案；在第二源/漏凹陷部中形成與第二上部圖案結(jié)構(gòu)接觸的第二源/漏圖案；通過去除虛設(shè)柵電極，形成暴露第一上部圖案結(jié)構(gòu)和第二上部圖案結(jié)構(gòu)的柵極溝槽；通過去除第一上部圖案結(jié)構(gòu)的暴露的犧牲圖案，形成與第一源/漏圖案和第一溝道分離結(jié)構(gòu)接觸的第一片狀圖案；通過去除第二上部圖案結(jié)構(gòu)的暴露的犧牲圖案，形成與第二源/漏圖案和第二溝道分離結(jié)構(gòu)接觸的第二片狀圖案；以及在柵極溝槽中形成與第一片狀圖案和第二片狀圖案交叉的柵電極。

9、應(yīng)當(dāng)注意，本公開的效果不限于上述那些，并且本公開的其他效果將從以下描述中顯而易見。