本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、以往，提出有將絕緣柵型雙極晶體管(igbt：insulated?gate?bipolartransistor)和回流用二極管形成于一個(gè)半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體裝置即反向?qū)╥gbt(rc-igbt：reverse?conducting?igbt)。此外，還公開有在半導(dǎo)體裝置的外周區(qū)域設(shè)置被稱為表面降場(chǎng)(resurf)區(qū)域的用于改善耐壓的區(qū)域的例子。

2、專利文獻(xiàn)1：日本特開2022-56498號(hào)公報(bào)

3、專利文獻(xiàn)2：日本特開2018-46187號(hào)公報(bào)

4、專利文獻(xiàn)3：日本特開2004-349556號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、實(shí)施方式要解決的課題在于，提供一種緩和igbt與二極管的邊界區(qū)域處的電場(chǎng)集中并減少了擊穿的半導(dǎo)體裝置。

2、實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體襯底、配置于半導(dǎo)體襯底上的二極管部和在半導(dǎo)體襯底上配置于二極管部的周圍的igbt部。igbt部具備配置于半導(dǎo)體襯底上的第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域、設(shè)置于第1半導(dǎo)體區(qū)域上的第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域和以在深度方向上貫穿第2半導(dǎo)體區(qū)域的方式設(shè)置的第1溝槽。二極管部具備第1半導(dǎo)體區(qū)域、設(shè)置于第1半導(dǎo)體區(qū)域上的第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域和以在深度方向上貫穿第3半導(dǎo)體區(qū)域的方式設(shè)置的第2溝槽。在igbt部的第1溝槽延伸的第1方向的第1端與二極管部的第2溝槽的第1方向的第2端之間具備結(jié)深度比igbt部的第2半導(dǎo)體區(qū)域的結(jié)深度深的第2導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體區(qū)域。

3、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提供一種緩和igbt與二極管的邊界區(qū)域處的電場(chǎng)集中并減少了擊穿的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，該半導(dǎo)體裝置具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置(100)具備配置于半導(dǎo)體襯底(101)上的二極管部(20)和配置于二極管部周圍的IGBT部(10)。IGBT部具備第1導(dǎo)電型第1半導(dǎo)體區(qū)域(6)、設(shè)置于第1半導(dǎo)體區(qū)域上的第2導(dǎo)電型第2半導(dǎo)體區(qū)域(7)和在深度方向上貫穿第2半導(dǎo)體區(qū)域的溝槽(14)。二極管部具備第1半導(dǎo)體區(qū)域、設(shè)置于第1半導(dǎo)體區(qū)域上的第2導(dǎo)電型第3半導(dǎo)體區(qū)域(12)和在深度方向上貫穿第3半導(dǎo)體區(qū)域的第2溝槽(16)。在IGBT部的第1溝槽延伸的第1方向的第1端(14EG)與二極管部的第2溝槽的第1方向的第2端(16EG)之間具備結(jié)深度比IGBT部的第2半導(dǎo)體區(qū)域結(jié)深度深的第2導(dǎo)電型第4半導(dǎo)體區(qū)域(70)。

技術(shù)研發(fā)人員：染矢亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三墾電氣株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2