實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體器件可以包括多個(gè)半導(dǎo)體元件，并且多個(gè)半導(dǎo)體元件的一部分可以包括用于向其他外部半導(dǎo)體器件發(fā)送信號(hào)的發(fā)送電路和用于從其他外部半導(dǎo)體器件接收信號(hào)的接收電路。接收電路和發(fā)送電路可以連接到用于發(fā)送和接收信號(hào)的焊盤。為了保護(hù)半導(dǎo)體元件免受焊盤中可能發(fā)生的靜電放電(esd)的影響，接收電路、發(fā)送電路等可以連接到esd保護(hù)電路。為了有效地保護(hù)半導(dǎo)體元件，需要實(shí)現(xiàn)在適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電壓下操作的esd保護(hù)電路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)；第一阱區(qū)，形成在襯底中，并且摻雜有與第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)不同的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；多個(gè)第一有源區(qū)域，設(shè)置在第一阱區(qū)中，摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第一互連圖案連接到第一焊盤；多個(gè)第二有源區(qū)域，在襯底中設(shè)置在第一阱區(qū)的外部，摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第二互連圖案分別連接到第二焊盤；多個(gè)第三有源區(qū)域，在第一阱區(qū)中圍繞多個(gè)第一有源區(qū)域設(shè)置，并且摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；以及多個(gè)第四有源區(qū)域，在襯底的第一阱區(qū)外部圍繞多個(gè)第二有源區(qū)域設(shè)置，并且摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)。多個(gè)第三有源區(qū)域中的至少一個(gè)和多個(gè)第四有源區(qū)域中的至少一個(gè)可以通過第三互連圖案彼此電連接。

2、根據(jù)實(shí)施例的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)；第一阱區(qū)和第二阱區(qū)，形成在襯底中，并且摻雜有與第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)不同的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；多個(gè)第一有源區(qū)域，設(shè)置在第一阱區(qū)中，摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第一互連圖案分別連接到第一焊盤；多個(gè)第二有源區(qū)域，設(shè)置在第二阱區(qū)中，摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第二互連圖案連接到第二焊盤；多個(gè)第三有源區(qū)域，在第一阱區(qū)中圍繞多個(gè)第一有源區(qū)域設(shè)置，并且摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；多個(gè)第四有源區(qū)域，在襯底中設(shè)置在第一阱區(qū)和第二阱區(qū)之間，并且摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)；多個(gè)第五有源區(qū)域，在襯底中設(shè)置在第一阱區(qū)和第二阱區(qū)之間，并且摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；以及多個(gè)第六有源區(qū)域，在第二阱區(qū)中圍繞多個(gè)第二有源區(qū)域設(shè)置，并且摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)。多個(gè)第三有源區(qū)域中的至少一個(gè)和多個(gè)第四有源區(qū)域中的至少一個(gè)可以通過第三互連圖案彼此電連接。多個(gè)第五有源區(qū)域中的至少一個(gè)和多個(gè)第六有源區(qū)域中的至少一個(gè)可以通過第四互連圖案彼此電連接。

3、根據(jù)實(shí)施例的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一焊盤，輸入和輸出信號(hào)；第二焊盤，被供應(yīng)參考電壓；pnp晶體管，包括連接到第一焊盤的第一發(fā)射極、第一集電極和第一基極；以及npn晶體管，包括連接到第二焊盤的第二發(fā)射極、連接到第一基極的第二集電極、以及連接到第一集電極的第二基極。第一基極可以連接到第二基極，并且通過第一二極管連接到被供應(yīng)電源電壓的第三焊盤。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括連接在所述第三有源區(qū)域中的至少一個(gè)與第三焊盤之間的第一二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括連接在所述第三焊盤與所述第二焊盤之間的電源鉗位電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二元件隔離膜在與所述襯底的所述上表面垂直的第三方向上具有比所述第一元件隔離膜的長度短的長度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述襯底中的保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)圍繞所述第一阱區(qū)、所述第一有源區(qū)域、所述第二有源區(qū)域、所述第三有源區(qū)域和所述第四有源區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述襯底內(nèi)在所述第一阱區(qū)下方的深阱區(qū)，所述深阱區(qū)至少部分地在由所述保護(hù)環(huán)限定的內(nèi)部區(qū)域中，并且摻雜有所述第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一有源區(qū)域的面積之和等于所述第二有源區(qū)域的面積之和。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一有源區(qū)域的面積之和與所述第二有源區(qū)域的面積之和不同。

14.一種半導(dǎo)體器件，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括連接在所述第三有源區(qū)域中的至少一個(gè)與第三焊盤之間的第一二極管。

17.一種半導(dǎo)體器件，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一二極管包括多個(gè)二極管。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一基極和所述第二基極通過第二二極管彼此連接。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，還包括連接在所述第三焊盤與所述第二焊盤之間的電源鉗位電路。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)；第一阱，摻雜有與第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)不同的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；第一有源區(qū)域，在第一阱中，該第一有源區(qū)域摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第一互連部連接到第一焊盤；第二有源區(qū)域，在第一阱外部，該第二有源區(qū)域摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)，并且通過第二互連部連接到第二焊盤；第三有源區(qū)域，在第一阱中圍繞第一有源區(qū)域，并且摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；以及第四有源區(qū)域，在第一阱外部圍繞第二有源區(qū)域，并且摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)，其中，第三有源區(qū)域中的至少一個(gè)和第四有源區(qū)域中的至少一個(gè)通過第三互連部彼此電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭鎮(zhèn)雨,都擎逸,宋周永,全燦熙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23