本發(fā)明的實施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、為了實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高密度化、裝置面積的有效利用等，例如對具有存儲單元的半導(dǎo)體襯底與具有cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor，互補金氧半導(dǎo)體)等周邊電路的半導(dǎo)體襯底應(yīng)用貼合制程，即，在將分別設(shè)置于各半導(dǎo)體襯底的金屬墊彼此接合的同時將這兩個半導(dǎo)體襯底貼合。在具備應(yīng)用貼合制程的貼合襯底的半導(dǎo)體裝置中，所貼合的金屬墊(貼合墊)的端部會形成空隙，從而擔(dān)心em(electromigration，電遷移)耐性、sm(stress?migration，應(yīng)力遷移)耐性變差。因此，要求抑制貼合墊端部的空隙的產(chǎn)生。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的課題在于提供一種抑制貼合墊端部的空隙的產(chǎn)生，能夠防止em耐性、sm耐性等變差的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

2、實施方式的半導(dǎo)體裝置具備：第1元件構(gòu)成部，具備設(shè)置在第1半導(dǎo)體襯底的第1金屬墊、及連接于所述第1金屬墊的至少一部分的第1電路；以及第2元件構(gòu)成部，具備以與所述第1金屬墊對應(yīng)的方式設(shè)置且與所述第1金屬墊接合的第2金屬墊、及連接于所述第2金屬墊的至少一部分的第2電路，且貼合在所述第1元件構(gòu)成部。在實施方式的半導(dǎo)體裝置中，所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者具有設(shè)置在所述第1元件構(gòu)成部與所述第2元件構(gòu)成部的貼合面的凹陷部、及填充在所述凹陷部的碳膜。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者具有設(shè)置在與作為接合對象的金屬墊偏離的區(qū)域的至少一部分的第1凹陷部、及填充在所述第1凹陷部的第1碳膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者具有設(shè)置在與作為接合對象的金屬墊對向的區(qū)域的至少一部分的第2凹陷部、及填充在所述第2凹陷部的第2碳膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者在所述貼合面中的其外周側(cè)端部具有所述凹陷部及所述碳膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述貼合面中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊實質(zhì)上具有相同面積，且以相互偏離的狀態(tài)接合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者具有：設(shè)置在與作為接合對象的金屬墊偏離的區(qū)域的至少一部分的第1凹陷部、填充在所述第1凹陷部的第1碳膜、設(shè)置在與作為接合對象的所述金屬墊對向的區(qū)域的至少一部分的第2凹陷部、及填充在所述第2凹陷部的第2碳膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊分別具有設(shè)置在所述貼合面的所述凹陷部、及填充在所述凹陷部的所述碳膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述貼合面中所述第1金屬墊的面積比所述第2金屬墊的面積大，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述凹陷部設(shè)置在所述第2金屬墊與所述第1金屬墊對向的區(qū)域的至少一部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊中僅所述第2金屬墊具有所述碳膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中第1元件構(gòu)成部在所述貼合面還具備第1絕緣層，所述第1金屬墊填埋在第1絕緣層內(nèi)且在所述貼合面露出，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中用于所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的金屬材料的熱膨脹率分別比用于所述第1絕緣層及所述第2絕緣層的絕緣材料的熱膨脹率高。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中用于所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的金屬材料為銅或銅合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1金屬墊及所述第2金屬墊分別具有錐形狀的側(cè)面。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第2元件構(gòu)成部為存儲單元陣列芯片，具有存儲單元及與所述第2金屬墊連接的配線層作為所述第2電路，

16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備以下工序：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述第1金屬墊及所述第2金屬墊的至少一者的所述第1芯片構(gòu)成部件與所述第2芯片構(gòu)成部件的貼合面所設(shè)置的凹陷部，形成所述碳膜或填充來自有機(jī)膜的碳而形成碳膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在將所述第1金屬墊與所述第2金屬墊接合時，在所述貼合面所設(shè)置的所述凹陷部，形成所述碳膜或來自有機(jī)膜的所述碳膜。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第1芯片構(gòu)成部件還具有供所述第1金屬墊填埋的第1絕緣層，所述第1金屬墊以其表面露出在所述第1絕緣層的表面的方式配置，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中準(zhǔn)備所述第1芯片構(gòu)成部件與所述第2芯片構(gòu)成部件的工序具備將所述第1金屬墊與所述第1絕緣層的表面及所述第2金屬墊與所述第2絕緣層的表面分別通過cmp(chemical?mechanical?polishing)加工的工序，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。實施方式提供一種抑制貼合墊端部的空隙的產(chǎn)生，且能夠抑制EM耐性、SM耐性等變差的半導(dǎo)體裝置。實施方式的半導(dǎo)體裝置具備：第1元件構(gòu)成部，具備設(shè)置在第1半導(dǎo)體襯底的第1金屬墊、及連接于第1金屬墊的至少一部分的第1電路；以及第2元件構(gòu)成部，具備以與第1金屬墊對應(yīng)的方式設(shè)置且與第1金屬墊接合的第2金屬墊、及連接于第2金屬墊的至少一部分的第2電路，且貼合在第1元件構(gòu)成部。在實施方式的半導(dǎo)體裝置中，第1金屬墊及第2金屬墊的至少一者具有設(shè)置在第1元件構(gòu)成部與第2元件構(gòu)成部的貼合面的凹陷部、及填充在凹陷部的碳膜。

技術(shù)研發(fā)人員：荒井伸也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鎧俠股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2