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電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法與流程

文檔序號(hào):40624904發(fā)布日期:2025-01-10 18:30閱讀:3來(lái)源:國(guó)知局
電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法與流程

本公開(kāi)涉及電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。


背景技術(shù):

1、專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)的技術(shù)。該場(chǎng)效應(yīng)晶體管在外殼內(nèi)具備:多個(gè)電力用場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片;阻抗匹配用的電容器,與電力用場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置;輸入用匹配電路基板;以及輸出用匹配電路基板。該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特征在于,通過(guò)電阻膜將多個(gè)電力用場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片之間或電力用場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片與阻抗匹配用電容器之間中的至少一方連接。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專(zhuān)利文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)昭63-86904號(hào)公報(bào)

5、例如,在半導(dǎo)體裝置等電子部件中構(gòu)成利用電阻的電路。在該電路中,由于在電阻中消耗電力,因此在該電阻中產(chǎn)生發(fā)熱。因此,為了散熱,例如使用由氧化鋁構(gòu)成的基體材料。但是,在電阻中的電力消耗大的情況下,在氧化鋁的熱傳導(dǎo)率下散熱不充分。在散熱不充分的情況下,電阻的壽命容易因發(fā)熱而縮短。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的目的在于,提供電阻的壽命不易縮短的電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

2、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件具備:絕緣體;第一電阻,設(shè)于絕緣體上;第一絕緣膜,設(shè)于第一電阻上,與第一電阻接觸;以及第一金屬粘接材料,設(shè)于第一絕緣膜上,與第一絕緣膜接觸,并且與散熱器接觸。

3、通過(guò)第一絕緣膜夾存于第一電阻與第一金屬粘接材料之間,即使在第一絕緣膜上設(shè)置第一金屬粘接材料,也保持第一電阻與第一金屬粘接材料之間的絕緣。第一電阻中的發(fā)熱在傳遞到與第一電阻接觸的第一絕緣膜之后,到達(dá)與第一絕緣膜接觸的第一金屬粘接材料。第一金屬粘接材料也與散熱器接觸。由此,第一電阻中的發(fā)熱除了向絕緣體散熱之外,還經(jīng)由第一金屬粘接材料向散熱器散熱。因此,能實(shí)現(xiàn)散熱效率提高且電阻的壽命不易縮短的電子部件。

4、在上述[1]的電子部件中,絕緣體也可以設(shè)于散熱器上。通過(guò)絕緣體設(shè)于散熱器上,從電阻向絕緣體散熱的熱量傳遞到散熱器。由此,從電阻散熱的熱量不易累積于絕緣體,容易向散熱器散熱。因此,經(jīng)由絕緣體的散熱效率提高。

5、在上述[1]或[2]的電子部件中,第一絕緣膜也可以包含玻璃和陶瓷中的至少一方。第一絕緣膜為玻璃或陶瓷,由此能局部地涂布第一絕緣膜。由此,容易在第一電阻上涂布第一絕緣膜。此外,通常玻璃或陶瓷的耐熱性較高,因此,能耐受熔融的第一金屬粘接材料的熱量。

6、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置也可以是上述[1]的電子部件搭載于散熱器的半導(dǎo)體裝置,具備:半導(dǎo)體芯片,設(shè)于散熱器上;以及電容器,設(shè)于散熱器上。半導(dǎo)體芯片也可以通過(guò)線(xiàn)材與電容器和第一電阻電連接。穿過(guò)半導(dǎo)體芯片和電容器的電流的一部分在第一電阻中被消耗,第一電阻發(fā)熱。因此,能通過(guò)將第一金屬粘接材料設(shè)于第一電阻上來(lái)高效地散熱。

7、在上述[4]的半導(dǎo)體裝置中,半導(dǎo)體芯片也可以是晶體管。第一電阻也可以是低頻通路用的電阻或振蕩防止用的電阻。通常在晶體管這樣的放大器中,電阻中的消耗電力較大。因此,在上述半導(dǎo)體裝置的第一電阻上設(shè)有第一金屬粘接材料。第一電阻中的發(fā)熱除了向絕緣體散熱之外,也經(jīng)由第一金屬粘接材料向散熱器散熱。因此,半導(dǎo)體裝置的散熱效率提高。

8、在上述[4]或[5]的半導(dǎo)體裝置中,半導(dǎo)體芯片也可以具有碳化硅基板。第一金屬粘接材料也可以是銀膏。

9、上述[4]~[6]中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置也可以還具備:第二電阻,設(shè)于絕緣體上;第二絕緣膜,設(shè)于第二電阻上,與第二電阻接觸;以及第二金屬粘接材料,設(shè)于第二絕緣膜上,與第二絕緣膜接觸。第二電阻也可以具有與第一電阻不同的電阻值。通過(guò)預(yù)先設(shè)置具有與第一電阻不同的電阻值的第二電阻,并變更半導(dǎo)體裝置內(nèi)的電阻的連接,能容易地變更電路構(gòu)成。

10、在上述[4]~[7]中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置中,絕緣體也可以是設(shè)于散熱器上的、在內(nèi)部具有開(kāi)口的框體。也可以半導(dǎo)體芯片和電容器配置于開(kāi)口的內(nèi)部??蝮w和散熱器也可以是構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的封裝件的構(gòu)件。為了散熱,與第一電阻接觸地設(shè)置絕緣體。絕緣體作為半導(dǎo)體裝置中的封裝件的框體設(shè)于散熱器上。如此,通過(guò)框體兼作絕緣體來(lái)削減搭載于半導(dǎo)體裝置的部件的數(shù)量。

11、在上述[8]的半導(dǎo)體裝置中,框體也可以在開(kāi)口的內(nèi)側(cè)具有側(cè)面。也可以在側(cè)面設(shè)有半過(guò)孔(half?via)。第一金屬粘接材料中的與第一絕緣膜接觸的部分和與散熱器接觸的部分之間的部分也可以被容納于半過(guò)孔。通過(guò)半過(guò)孔,能將第一金屬粘接材料更可靠地引導(dǎo)至散熱器上的所希望的位置。因此,能將第一金屬粘接材料高精度地涂布于所希望的位置。

12、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備以下工序:準(zhǔn)備由絕緣體構(gòu)成的框體,該框體粘接于散熱器上,在內(nèi)部具有開(kāi)口;在框體上形成電阻;在電阻上形成與該電阻接觸的絕緣膜;以及滴下與絕緣膜和散熱器接觸的金屬粘接材料。

13、通過(guò)絕緣膜與電阻接觸設(shè)置,即使設(shè)置與絕緣膜接觸的金屬粘接材料,也保持電阻的絕緣。電阻中的發(fā)熱在傳遞到與電阻接觸的絕緣膜之后,到達(dá)與絕緣膜接觸的金屬粘接材料。金屬粘接材料也與散熱器接觸。由此,電阻中的發(fā)熱除了向絕緣體散熱之外,也經(jīng)由金屬粘接材料向散熱器散熱。因此,能實(shí)現(xiàn)散熱效率提高且電阻的壽命不易縮短的電子部件的制造方法。

14、上述[10]的半導(dǎo)體裝置的制造方法也可以在滴下的工序之后,還具備在散熱器上安裝半導(dǎo)體芯片和電容器的工序。電子部件的制造方法也可以在滴下的工序中,在散熱器上的搭載半導(dǎo)體芯片和電容器的區(qū)域涂布金屬粘接材料。在同一工序中,在散熱器上的搭載半導(dǎo)體芯片和電容器的部分和絕緣膜上涂布和滴下金屬粘接材料。由此,工序數(shù)減少,作業(yè)效率提高。

15、發(fā)明效果

16、根據(jù)本公開(kāi),能提供電阻的壽命不易縮短的電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。



技術(shù)特征:

1.一種電子部件,具備:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件,其中,

4.一種半導(dǎo)體裝置,是如權(quán)利要求1所述的電子部件搭載于所述散熱器的半導(dǎo)體裝置,具備:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中,

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中,

7.根據(jù)權(quán)利要求4~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,

8.根據(jù)權(quán)利要求4~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中,

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,具備以下工序:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其中,


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供電阻的壽命不易縮短的電子部件、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。電子部件具備:絕緣體;第一電阻,設(shè)于絕緣體上;第一絕緣膜,設(shè)于第一電阻上,與第一電阻接觸;以及第一金屬粘接材料,設(shè)于第一絕緣膜上,與第一絕緣膜接觸,并且與散熱器接觸。

技術(shù)研發(fā)人員:中島郁夫
受保護(hù)的技術(shù)使用者:住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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