本公開內(nèi)容涉及半導(dǎo)體模塊裝置，尤其涉及包括多個單獨(dú)的襯底的半導(dǎo)體模塊裝置。

背景技術(shù)：

1、功率半導(dǎo)體模塊裝置通常包括布置在殼體中的至少一個半導(dǎo)體襯底。包括多個可控半導(dǎo)體元件(例如，igbt、mosfet、hemt等)的半導(dǎo)體裝置被布置在至少一個襯底中的每個襯底上。每個襯底通常包括襯底層(例如，陶瓷層)、沉積在襯底層的第一側(cè)上的第一金屬化層，以及可選地，每個襯底還包括沉積在襯底層的第二側(cè)上的第二金屬化層?？煽匕雽?dǎo)體元件被安裝在例如第一金屬化層上。第二金屬化層可以可選地附接至基板或散熱器。應(yīng)當(dāng)選擇半導(dǎo)體裝置的布局以使所需的至少一個襯底的尺寸最小化，而同時防止電流密度、電損耗和熱應(yīng)力的不均勻分布。

2、因此，通常需要功率半導(dǎo)體模塊來防止電流密度、電損耗和熱應(yīng)力的不均勻分布。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、半導(dǎo)體模塊裝置包括其上布置有第一多個半導(dǎo)體本體的第一襯底、其上布置有第二多個半導(dǎo)體本體的第二襯底以及其上布置有第三多個半導(dǎo)體本體的第三襯底。第一多個半導(dǎo)體本體、第二多個半導(dǎo)體本體和第三多個半導(dǎo)體本體一起形成半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括被配置成可操作地耦接至第一電位的第一節(jié)點和被配置成可操作地耦接至與第一電位不同的第二電位的第二節(jié)點。其上布置有第三多個半導(dǎo)體本體的第三襯底的布局等于其上布置有第二多個半導(dǎo)體本體的第二襯底的布局。第一襯底被配置成連接至第一節(jié)點和第二節(jié)點，并且第二襯底和第三襯底中的每一個被配置成連接至第三節(jié)點。經(jīng)由第一襯底和第二襯底在第一節(jié)點與第三節(jié)點之間延伸的第一電流路徑提供與經(jīng)由第一襯底和第三襯底在第一節(jié)點與第三節(jié)點之間延伸的第二電流路徑等同的電壓和電流傳輸特性，并且經(jīng)由第一襯底和第二襯底在第二節(jié)點與第三節(jié)點之間延伸的第三電流路徑提供與經(jīng)由第一襯底和第三襯底在第二節(jié)點與第三節(jié)點之間延伸的第四電流路徑等同的電壓和電流傳輸特性。

2、一種半導(dǎo)體模塊裝置包括第一半導(dǎo)體模塊裝置和等同的第二半導(dǎo)體模塊裝置，其中，第一半導(dǎo)體模塊裝置和第二半導(dǎo)體模塊裝置在一個平面中彼此相鄰布置并且關(guān)于對稱軸對稱。

3、參照以下附圖和描述可以更好地理解本發(fā)明。附圖中的部件不一定按比例繪制，而是將重點放在說明本發(fā)明的原理上。在附圖中，貫穿不同的視圖，相似的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體模塊裝置(100)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二多個半導(dǎo)體本體(20)和所述第三多個半導(dǎo)體本體(20)各自形成半橋裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，由所述第一多個半導(dǎo)體本體(20)、所述第二多個半導(dǎo)體本體(20)和所述第三多個半導(dǎo)體本體(20)形成的所述半導(dǎo)體裝置還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求7、8或9所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個還包括所述第一金屬化層(111)的第五部分(11133)，其中，所述第二部分(1112)水平地圍繞所述第五部分(11133)，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第二襯底(1021)和所述第三襯底(1022)中的每一個還包括：

15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，滿足以下中至少之一：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第一對稱軸(s1)、所述第二對稱軸(s2)和所述第三對稱軸(s3)彼此平行。

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊裝置(100)，其中，所述第一襯底、所述第二襯底和所述第三襯底彼此相鄰地布置，其中，所述第一襯底布置在所述第二襯底與所述第三襯底之間。

18.一種半導(dǎo)體模塊裝置，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體模塊裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體模塊裝置(100)和所述第二半導(dǎo)體模塊裝置(100)彼此并聯(lián)電耦接。

技術(shù)總結(jié)
公開了一種半導(dǎo)體模塊裝置，其包括其上布置有第一多個半導(dǎo)體本體的第一襯底、其上布置有第二多個半導(dǎo)體本體的第二襯底以及其上布置有第三多個半導(dǎo)體本體的第三襯底。第一、第二和第三多個半導(dǎo)體本體一起形成半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括被配置成可操作地耦接至第一電位的第一節(jié)點和被配置成可操作地耦接至與第一電位不同的第二電位的第二節(jié)點。第三襯底的布局等于第二襯底的布局。第一襯底被配置成連接至第一和第二節(jié)點，并且第二和第三襯底中的每一個被配置成連接至第三節(jié)點。

技術(shù)研發(fā)人員：克里斯蒂安·米勒,安德烈莎·科爾維羅希特勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26