本公開涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術：

1、已知在具有指狀的源電極、柵電極以及漏電極的場效應晶體管(fet：fieldeffect?transistor)中，在電極的延伸方向配置多個具有源電極、柵電極以及漏電極的單位fet(例如專利文獻1、專利文獻2)。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2002－299351號公報

5、專利文獻2：美國專利第9786660號說明書

6、在專利文獻1和專利文獻2中，通過在電極的延伸方向上配置多個單位fet，能縮短單位fet中的柵電極的寬度。因此，能抑制柵極電阻。但是，將柵極焊盤與離柵極焊盤遠的柵電極電連接的柵極布線設于單位fet的上方。由此，柵極布線與漏電極之間的寄生電容變大，增益等特性會劣化。另一方面，若將柵極布線配置為不與單位fet重疊，則半導體裝置會大型化。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開是鑒于上述問題而完成的，其目的在于抑制特性的劣化并且實現(xiàn)小型化。

2、本公開的一個實施方式是半導體裝置，該半導體裝置具備：基板；第一單位fet，設于所述基板上，具備在第一方向延伸的第一源電極、在所述第一方向延伸的第一漏電極以及在所述第一方向延伸并且設于與所述第一方向交叉的第二方向上的所述第一源電極與所述第一漏電極之間的第一柵電極；第二單位fet，相對于所述第一單位fet設于所述第一方向上的所述基板上，具備在所述第一方向延伸的第二源電極、在所述第一方向延伸的第二漏電極以及在所述第一方向延伸并且設于所述第二方向上的所述第二源電極與所述第二漏電極之間的第二柵電極；第一源極布線，在所述第一方向延伸并且設于所述第一源電極上，與所述第一源電極電接觸；柵極母線，以在所述第一方向上使所述第一柵電極配置于所述柵極母線與所述第二柵電極之間的方式設置，并且所述柵極母線與所述第一柵電極電連接；以及柵極布線，以與所述第一源電極非接觸的方式設于所述第一源電極的上方，在所述第二方向上使所述第一源極布線配置于所述柵極布線與所述第一漏電極之間，所述柵極布線在所述第一方向延伸，將所述柵極母線與所述第二柵電極電連接，所述第一源極布線與所述第一源電極接觸的區(qū)域的所述第一方向上的最大寬度大于等于在從所述基板的厚度方向觀察時所述第一源極布線與所述第一源電極重疊的區(qū)域的所述第一方向上的最大寬度的1/2倍。

3、本公開的一個實施方式是半導體裝置的制造方法，該制造方法具備以下工序：在基板上形成第一單位fet和第二單位fet，其中，該第一單位fet具備在第一方向延伸的第一源電極、在所述第一方向延伸的第一漏電極以及在所述第一方向延伸并且設于與所述第一方向交叉的第二方向上的所述第一源電極與所述第一漏電極之間的第一柵電極，該第二單位fet相對于所述第一單位fet位于所述第一方向上，具備在所述第一方向延伸的第二源電極、在所述第一方向延伸的第二漏電極以及在所述第一方向延伸并且設于所述第二方向上的所述第二源電極與所述第二漏電極之間的第二柵電極；同時形成第一源極布線、第二源極布線以及第一漏極布線，其中，該第一源極布線在所述第一方向延伸并且設于所述第一源電極上，與所述第一源電極電接觸，該第二源極布線在所述第一方向延伸并且設于所述第二源電極上，與所述第二源電極電接觸，該第一漏極布線在所述第一方向延伸并且設于所述第一漏電極上，與所述第一漏電極電接觸；以及形成柵極布線，其中，該柵極布線以與所述第一源電極非接觸的方式設于所述第一源電極的上方，在所述第二方向上使所述第一源極布線配置于所述柵極布線與所述第一漏電極之間，所述柵極布線在所述第一方向延伸，將柵極母線與所述第二柵電極電連接。

4、發(fā)明效果

5、根據(jù)本公開，能抑制特性的劣化并且實現(xiàn)小型化。

技術特征：

1.一種半導體裝置，具備：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

5.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，具備：

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其中，

7.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

8.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置，其中，

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置，具備：

11.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，具備：

12.一種半導體裝置的制造方法，具備以下工序：

技術總結
本公開涉及半導體裝置及其制造方法。半導體裝置具備：基板；第一單位FET，設于基板上，具備第一源電極、第一漏電極以及第一柵電極；第二單位FET，相對于第一單位FET設于第一方向上的基板上，具備第二源電極、第二漏電極以及第二柵電極；第一源極布線，在第一方向延伸并且設于第一源電極上，與第一源電極電接觸；柵極母線，以在第一方向上使第一柵電極配置于柵極母線與第二柵電極之間的方式設置，并且柵極母線與第一柵電極電連接；以及柵極布線，以與第一源電極非接觸的方式設于第一源電極的上方，在第二方向上使第一源極布線配置于柵極布線與第一漏電極之間，柵極布線在第一方向延伸，將柵極母線與第二柵電極電連接。

技術研發(fā)人員：堤優(yōu)也
受保護的技術使用者：住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2