公開的示例實(shí)施例涉及圖像傳感器，并且更具體地，涉及包括深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器是將光學(xué)圖像信號轉(zhuǎn)換為電信號的裝置。圖像傳感器包括多個像素，并且多個像素中的每個包括光電二極管區(qū)域和像素電路，光電二極管區(qū)域接收入射光并且將接收的光轉(zhuǎn)換為電信號，像素電路通過使用由光電二極管區(qū)域生成的電荷來輸出像素信號。隨著圖像傳感器的集成度增大，每個像素的尺寸被減小，由此，存在難以減小或防止暗電流的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、公開的示例實(shí)施例提供可減小暗電流并且可減少或防止光學(xué)串?dāng)_的圖像傳感器。

2、根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面，一種圖像傳感器包括：半導(dǎo)體基底，包括第一表面和與第一表面背對的第二表面，半導(dǎo)體基底還包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；傳輸柵極，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上；掩埋絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上以覆蓋傳輸柵極；以及像素隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在像素隔離溝槽中，像素隔離溝槽從半導(dǎo)體基底的第一表面朝向半導(dǎo)體基底的第二表面延伸，像素隔離溝槽穿過掩埋絕緣層，像素隔離結(jié)構(gòu)限定半導(dǎo)體基底中的多個像素，像素隔離結(jié)構(gòu)的一部分被掩埋絕緣層覆蓋。

3、根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面，一種圖像傳感器包括：半導(dǎo)體基底，包括第一表面和與第一表面背對的第二表面，半導(dǎo)體基底還包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；傳輸柵極，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上；蝕刻停止層，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上以覆蓋傳輸柵極；以及像素隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在像素隔離溝槽中，像素隔離溝槽從半導(dǎo)體基底的第一表面朝向半導(dǎo)體基底的第二表面延伸，像素隔離結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層，導(dǎo)電層包括反射金屬材料，其中，蝕刻停止層的端部設(shè)置在導(dǎo)電層上，并且像素隔離結(jié)構(gòu)和蝕刻停止層彼此不垂直疊置。

4、根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面，一種圖像傳感器包括：半導(dǎo)體基底，包括第一表面和與第一表面背對的第二表面，半導(dǎo)體基底還包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；傳輸柵極，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上；以及像素隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在像素隔離溝槽中，像素隔離溝槽從半導(dǎo)體基底的第一表面延伸直到半導(dǎo)體基底的第二表面，其中，像素隔離結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層、阻擋導(dǎo)電層、像素隔離絕緣層和絕緣襯里，導(dǎo)電層設(shè)置在像素隔離溝槽中，導(dǎo)電層在與半導(dǎo)體基底的第一表面垂直的垂直方向上延伸，阻擋導(dǎo)電層在像素隔離溝槽中設(shè)置在導(dǎo)電層的側(cè)壁上，像素隔離絕緣層在像素隔離溝槽中設(shè)置在導(dǎo)電層和阻擋導(dǎo)電層上，絕緣襯里在像素隔離溝槽的內(nèi)壁上沿垂直方向延伸，絕緣襯里覆蓋像素隔離絕緣層的側(cè)壁和阻擋導(dǎo)電層的側(cè)壁，并且像素隔離絕緣層的上表面設(shè)置在比半導(dǎo)體基底的第一表面高的水平處。

技術(shù)特征：

1.一種圖像傳感器，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，像素隔離結(jié)構(gòu)包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，像素隔離溝槽包括穿過半導(dǎo)體基底的第一部分和穿過掩埋絕緣層的第二部分，并且絕緣襯里設(shè)置在像素隔離溝槽的第一部分和第二部分中的每個的內(nèi)壁上，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，像素隔離結(jié)構(gòu)的上表面設(shè)置在與掩埋絕緣層的上表面相同的水平處。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層包括反射金屬材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層包括鋁、銅、銀、鈷、鎢、鉑、金、鉻、鈦、鎳、鉬、鐵、鎂、銥、鈀和釕中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層的上表面設(shè)置在比器件隔離層的底表面低的水平處。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層的上表面設(shè)置在比器件隔離層的底表面高且比器件隔離層的上表面低的水平處。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層的上表面設(shè)置在比器件隔離層的上表面高的水平處。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，像素隔離絕緣層包括在像素隔離絕緣層中的空隙。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的圖像傳感器，其中，半導(dǎo)體基底在垂直方向上具有第一高度，并且

13.一種圖像傳感器，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其中，像素隔離結(jié)構(gòu)還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，還包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其中，蝕刻停止層的端部與器件隔離層的側(cè)壁對齊，并且

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖像傳感器，其中，絕緣襯里設(shè)置在像素隔離溝槽的整個內(nèi)壁上，并且

18.根據(jù)權(quán)利要求13至17中的任一項(xiàng)所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電層包括鋁、銅、銀、鈷、鎢、鉑、金、鉻、鈦、鎳、鉬、鐵、鎂、銥、鈀和釕中的至少一種。

19.一種圖像傳感器，包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像傳感器，還包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了圖像傳感器。所述圖像傳感器包括：半導(dǎo)體基底，包括第一表面和與第一表面背對的第二表面，半導(dǎo)體基底還包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)域；傳輸柵極，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上；掩埋絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體基底的第一表面上以覆蓋傳輸柵極；以及像素隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在像素隔離溝槽中，像素隔離溝槽從半導(dǎo)體基底的第一表面朝向半導(dǎo)體基底的第二表面延伸，像素隔離溝槽穿過掩埋絕緣層，像素隔離結(jié)構(gòu)限定半導(dǎo)體基底中的多個像素，像素隔離結(jié)構(gòu)的一部分被掩埋絕緣層覆蓋。

技術(shù)研發(fā)人員：柳制亨,林夏珍,全宅洙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2