各種發(fā)明構(gòu)思涉及一種包括測(cè)試圖案的半導(dǎo)體裝置以及一種包括重疊圖案和/或測(cè)試元件組的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、使用各種方法在錯(cuò)誤范圍內(nèi)對(duì)準(zhǔn)不同豎直水平的層之間的重疊。例如，還使用光學(xué)方法和使用掃描電子顯微鏡的方法。然而，隨著要在襯底上制造的圖案的尺寸變得更小，重疊一致性劣化。因此，需要即使圖案的尺寸減小也具有優(yōu)異或提高的重疊一致性的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、各種發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有提高的和/或增加的空間效率的半導(dǎo)體裝置。

2、此外，應(yīng)理解的是，本發(fā)明構(gòu)思不限于前述內(nèi)容，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)下面的描述進(jìn)行并清楚地理解本文未描述的各種改變和修改。

3、在一些示例實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體襯底；第一測(cè)試圖案，其在半導(dǎo)體襯底上；和第二測(cè)試圖案，其與第一測(cè)試圖案相鄰，其中，第一測(cè)試圖案包括重疊圖案，并且第二測(cè)試圖案包括測(cè)試元件組。

4、在一些示例實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體襯底，其包括單元內(nèi)區(qū)域和限定單元內(nèi)區(qū)域的劃道；第一測(cè)試圖案，其在半導(dǎo)體襯底上；以及第二測(cè)試圖案，其與第一測(cè)試圖案相鄰，其中，第一測(cè)試圖案包括第一重疊圖案，第一測(cè)試圖案包括位于不同豎直水平處的多個(gè)下標(biāo)記和多個(gè)上標(biāo)記，多個(gè)下標(biāo)記中的至少一個(gè)和多個(gè)上標(biāo)記中的至少一個(gè)在豎直方向上彼此重疊，并且多個(gè)下標(biāo)記中的每一個(gè)的間距與多個(gè)上標(biāo)記中的每一個(gè)的間距不同。

5、在一些示例實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體襯底，其包括單元內(nèi)區(qū)域和限定單元內(nèi)區(qū)域的劃道；第一重疊圖案，其在半導(dǎo)體襯底上；以及第二重疊圖案，其被第一重疊圖案圍繞，其中，第一重疊圖案包括位于不同豎直水平處的多個(gè)下標(biāo)記和多個(gè)上標(biāo)記，多個(gè)下標(biāo)記中的至少一個(gè)和多個(gè)上標(biāo)記中的至少一個(gè)在豎直方向上彼此重疊，多個(gè)下標(biāo)記中的每一個(gè)的間距與多個(gè)上標(biāo)記中的每一個(gè)的間距不同，第一重疊圖案包括顯影后檢查(adi)重疊圖案，并且第二重疊圖案包括清潔后檢查(aci)重疊圖案。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，所述第一測(cè)試圖案圍繞所述第二測(cè)試圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一測(cè)試圖案包括在第一水平方向上延伸的第一線和間隔圖案以及在第二水平方向上延伸的第二線和間隔圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一測(cè)試圖案包括基于圖像的重疊圖案和基于衍射的重疊圖案中的至少一種。

9.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二測(cè)試圖案包括第一子圖案和第二子圖案，所述第一子圖案和所述第二子圖案分別與在所述單元內(nèi)區(qū)域中位于不同豎直水平處的第一單元圖案和第二單元圖案相對(duì)應(yīng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二測(cè)試圖案包括用于測(cè)量臨界尺寸的多個(gè)標(biāo)記。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)下標(biāo)記和所述多個(gè)上標(biāo)記中的每一個(gè)的間距在300納米至900納米的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)下標(biāo)記中的每一個(gè)的長(zhǎng)度和所述多個(gè)上標(biāo)記中的每一個(gè)的長(zhǎng)度大于所述第二測(cè)試圖案的標(biāo)記的長(zhǎng)度。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)下標(biāo)記和所述多個(gè)上標(biāo)記以摩爾紋圖案布置。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

16.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一重疊圖案的水平面積大于所述第二重疊圖案的水平面積。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體襯底；第一測(cè)試圖案，其設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上；以及第二測(cè)試圖案，其與第一測(cè)試圖案相鄰。第一測(cè)試圖案包括重疊圖案，并且第二測(cè)試圖案包括測(cè)試元件組。

技術(shù)研發(fā)人員：白承惠,金正賢,姜鉉在,金一煥,金鐘壽,樸榮植,李武?,趙相浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2