本發(fā)明關(guān)于一種磁性元件，尤指一種可有效增加漏感的磁性元件。

背景技術(shù)：

1、配置有多相跨電感器(multi-phase?trans-inductor)的電路架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速動態(tài)響應(yīng)。由于多相跨電感器的漏感(leakage?inductance)不足，多相跨電感器需要串聯(lián)一個額外的電感器，以增加漏感。然而，額外的電感器會增加制造成本，且會占用主機(jī)板上額外的空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種可有效增加漏感的磁性元件，以解決上述問題。

2、根據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明的磁性元件包含一磁芯、一第一繞組、一第二繞組以及至少一磁性填料。磁芯包含一內(nèi)柱。第一繞組設(shè)置于磁芯中且纏繞于內(nèi)柱。第二繞組設(shè)置于磁芯中且環(huán)繞第一繞組。第一繞組與第二繞組之間形成有至少一填充區(qū)以及至少一非填充區(qū)。至少一磁性填料填充于至少一填充區(qū)的至少一部分。

3、在一實(shí)施例中，至少一填充區(qū)的間隙大于至少一非填充區(qū)的間隙。

4、在一實(shí)施例中，至少一填充區(qū)的間隙大于或等于至少一非填充區(qū)的間隙的三倍。

5、在一實(shí)施例中，至少一填充區(qū)的間隙大于或等于0.5毫米。

6、在一實(shí)施例中，磁芯包含一第一芯體以及一第二芯體，第一繞組與第二繞組位于第一芯體與第二芯體之間，且至少一磁性填料不同時接觸第一芯體與第二芯體。

7、在一實(shí)施例中，至少一磁性填料由磁膠制成。

8、在一實(shí)施例中，至少一磁性填料為磁塊。

9、在一實(shí)施例中，至少一磁性填料與磁芯一體成型。

10、在一實(shí)施例中，磁芯包含一第一芯體以及一第二芯體，第一繞組與第二繞組位于第一芯體與第二芯體之間，至少一磁性填料包含彼此相對的一第一突出件以及一第二突出件，第一突出件自第一芯體突出，且第二突出件自第二芯體突出。

11、在一實(shí)施例中，磁芯包含至少一氣隙，磁性元件另包含至少一氣隙填料，且至少一氣隙填料填充于至少一氣隙。

12、在一實(shí)施例中，至少一氣隙填料由磁性材料制成。

13、在一實(shí)施例中，至少一氣隙填料由非磁性材料制成。

14、在一實(shí)施例中，第一繞組包含一第一頂部以及二第一側(cè)部，第一頂部連接于二第一側(cè)部之間，第二繞組包含一第二頂部以及二第二側(cè)部，第二頂部連接于二第二側(cè)部之間，第一頂部對應(yīng)第二頂部，且二第一側(cè)部對應(yīng)二第二側(cè)部。

15、在一實(shí)施例中，至少一填充區(qū)位于第一頂部與第二頂部之間，且至少一非填充區(qū)位于二第一側(cè)部與二第二側(cè)部之間。

16、在一實(shí)施例中，至少一填充區(qū)位于二第一側(cè)部與二第二側(cè)部之間，且至少一非填充區(qū)位于第一頂部與第二頂部之間。

17、在一實(shí)施例中，第一繞組與第二繞組定義至少一填充區(qū)的邊界。

18、在一實(shí)施例中，至少一磁性填料填充至至少一填充區(qū)的邊界。

19、在一實(shí)施例中，至少一磁性填料接觸第一繞組與第二繞組。

20、綜上所述，本發(fā)明將磁性填料填充于第一繞組與第二繞組之間的填充區(qū)，無需過度增加磁性元件的高度即可有效增加磁性元件的漏感。借此，磁性元件即可應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器(dc-to-dc?converter)中，以提供足夠的漏感，而無需串聯(lián)額外的電感器。因此，可以降低制造成本，并且不會因?yàn)轭~外的電感器而占用主機(jī)板上的空間。

21、關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以借由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

技術(shù)特征：

1.一種磁性元件，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該至少一填充區(qū)的間隙大于該至少一非填充區(qū)的間隙。

3.如權(quán)利要求2所述的磁性元件，其中該至少一填充區(qū)的間隙大于或等于該至少一非填充區(qū)的間隙的三倍。

4.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該至少一填充區(qū)的間隙大于或等于0.5毫米。

5.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該磁芯包含一第一芯體以及一第二芯體，該第一繞組與該第二繞組位于該第一芯體與該第二芯體之間，且該至少一磁性填料不同時接觸該第一芯體與該第二芯體。

6.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該至少一磁性填料由磁膠制成。

7.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該至少一磁性填料為磁塊。

8.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該至少一磁性填料與該磁芯一體成型。

9.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該磁芯包含一第一芯體以及一第二芯體，該第一繞組與該第二繞組位于該第一芯體與該第二芯體之間，該至少一磁性填料包含彼此相對的一第一突出件以及一第二突出件，該第一突出件自該第一芯體突出，且該第二突出件自該第二芯體突出。

10.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該磁芯包含至少一氣隙，該磁性元件另包含至少一氣隙填料，且該至少一氣隙填料填充于該至少一氣隙。

11.如權(quán)利要求10所述的磁性元件，其中該至少一氣隙填料由磁性材料制成。

12.如權(quán)利要求10所述的磁性元件，其中該至少一氣隙填料由非磁性材料制成。

13.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該第一繞組包含一第一頂部以及二個第一側(cè)部，該第一頂部連接于該二個第一側(cè)部之間，該第二繞組包含一第二頂部以及二個第二側(cè)部，該第二頂部連接于該二個第二側(cè)部之間，該第一頂部對應(yīng)該第二頂部，且該二個第一側(cè)部對應(yīng)該二個第二側(cè)部。

14.如權(quán)利要求13所述的磁性元件，其中該至少一填充區(qū)位于該第一頂部與該第二頂部之間，且該至少一非填充區(qū)位于該二個第一側(cè)部與該二個第二側(cè)部之間。

15.如權(quán)利要求13所述的磁性元件，其中該至少一填充區(qū)位于該二個第一側(cè)部與該二個第二側(cè)部之間，且該至少一非填充區(qū)位于該第一頂部與該第二頂部之間。

16.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中該第一繞組與該第二繞組定義該至少一填充區(qū)的邊界。

17.如權(quán)利要求16所述的磁性元件，其中該至少一磁性填料填充至該至少一填充區(qū)的邊界。

18.如權(quán)利要求17所述的磁性元件，其中該至少一磁性填料接觸該第一繞組與該第二繞組。

技術(shù)總結(jié)
一種磁性元件，包含一磁芯、一第一繞組、一第二繞組以及至少一磁性填料。磁芯包含一內(nèi)柱。第一繞組設(shè)置于磁芯中且纏繞于內(nèi)柱。第二繞組設(shè)置于磁芯中且環(huán)繞第一繞組。第一繞組與第二繞組之間形成有至少一填充區(qū)以及至少一非填充區(qū)。至少一磁性填料填充于至少一填充區(qū)的至少一部分。

技術(shù)研發(fā)人員：謝其軒,周佳行
受保護(hù)的技術(shù)使用者：乾坤科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30