本公開一般地涉及電子器件及其制造方法，以及涉及包括三維電容器的器件。

背景技術：

1、存在幾種電容器的類型。一種特別常見的電容器類型對應于所謂的mom電容器或金屬-氧化物-金屬電容器。這種電容器包括兩個導電層(優(yōu)選地由金屬制成)的堆疊，這兩個導電層通過絕緣層(優(yōu)選地由氧化物制成，例如硅氧化物)分離。

2、mom電容器可以例如是平面的，即堆疊覆蓋平面層。mom電容器也可以是三維的，即覆蓋非平面層，例如包括腔體。因此，對于相同的芯片表面積，三維電容器可以具有顯著高于平面電容器的電容的電容。

技術實現思路

1、實施例克服了已知電子器件的全部或部分缺點。

2、一實施例提供了一種電子器件，該電子器件包括至少兩個三維電容器，每個電容器被包括氣袋的溝槽圍繞。

3、另一實施例提供了一種制造電子器件的方法，該方法包括形成至少兩個三維電容器，每個電容器被包括氣袋的溝槽圍繞。

4、根據一實施例，電容器和溝槽在第一絕緣層中。

5、根據一實施例，每個電容器都位于第一層的第一區(qū)中，每個溝槽都位于第一層的第二區(qū)中，第二區(qū)通過第一層的第三區(qū)與第一區(qū)分離。

6、根據一實施例，每個第三區(qū)都不被導電材料覆蓋。

7、根據一實施例，每個電容器包括通過絕緣層分離的兩個導電層的第一堆疊，第一堆疊在第一層的第一區(qū)之上保形地延伸，第一區(qū)包括至少兩個第一腔體，第一堆疊填充第一腔體。

8、根據一實施例，每個溝槽包括與第一堆疊相同的層的第二堆疊，第二堆疊在第二腔體中保形地延伸，氣袋位于第二腔體中，由第二堆疊部分地界定。

9、根據一實施例，器件包括第二層，第二層封閉每個第二腔體，且部分地界定位于第二腔體中的氣袋。

10、根據一實施例，每個第一區(qū)覆蓋有由第二層的材料制成的第三層。

11、根據一實施例，第二層在第二腔體中延伸達第二腔體的高度的小于20％。

12、根據一實施例，每個氣袋延伸至第一腔體的高度的至少一半。

13、根據一實施例，圍繞至少兩個鄰近的電容器的溝槽包括公共部分。

14、根據一實施例，圍繞至少兩個鄰近的電容器的溝槽通過第一層的部分與彼此分離。

15、根據一實施例，器件包括濾波器，電容器形成濾波器的部分。

16、根據一實施例，方法包括：在第一層中形成第一腔體和第二腔體；以保形形式形成通過絕緣層分離的兩個導電層的第三堆疊，第一腔體被填滿而第二腔體不被填滿，形成封閉第二腔體的第四非保形層；蝕刻第三堆疊和第三區(qū)中的第四層以形成第一堆疊和第二堆疊以及第二層和第三層。

17、根據一實施例，第四層的形成通過物理氣相沉積方法或等離子體增強化學氣相沉積方法來執(zhí)行。

1.一種電子器件，包括：

2.根據權利要求1所述的器件，其中第一絕緣層包括第一多個腔體。

3.根據權利要求2所述的器件，其中每個電容器位于第一絕緣層的第一區(qū)中，每個溝槽位于第一絕緣層的第二區(qū)中，第一絕緣層的第二區(qū)通過第一絕緣層的第三區(qū)沿著第一方向與第一區(qū)分離。

4.根據權利要求3所述的器件，其中每個電容器包括通過第二絕緣層分離的兩個導電層的第一堆疊，第一堆疊在第一絕緣層的第一區(qū)之上延伸且填充所述第一多個腔體。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述多個溝槽中的每個溝槽包括具有與第一堆疊相同的層的第二堆疊，第二堆疊延伸到第二腔體中，氣袋位于第二腔體中。

6.根據權利要求5所述的器件，其中每個第一堆疊通過第一間隙沿第一方向與相應第二堆疊分離，每個第一間隙與相應第三區(qū)重疊。

7.根據權利要求5所述的器件，包括第二層，第二層封閉所述多個溝槽中的每個，并且部分地界定位于第二腔體中的氣袋。

8.根據權利要求7所述的器件，其中每個第一區(qū)被由第二層的材料制成的第三層覆蓋。

9.根據權利要求7所述的器件，其中第二層在第二腔體中沿著垂直于第一方向的第二方向延伸達第二腔體深度的小于20％。

10.根據權利要求6所述的器件，其中每個氣袋都沿著第二方向延伸達第一腔體深度的至少一半。

11.根據權利要求1所述的器件，其中圍繞所述至少兩個電容器的所述多個溝槽由所述至少兩個電容器共享。

12.根據權利要求1所述的器件，其中圍繞所述至少兩個電容器的所述多個溝槽通過第一絕緣層的多個部分與彼此分離。

13.根據權利要求1所述的器件，其中器件包括濾波器，該濾波器包括所述至少兩個電容器。

14.一種方法，包括：

15.根據權利要求14所述的方法，其中形成第二層通過物理氣相沉積方法或通過等離子體增強化學氣相沉積方法來執(zhí)行。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二多個腔體中的每一個都包括氣體填充的開口。

17.一種器件，包括：

18.根據權利要求17所述的器件，其中層的第一堆疊包括：

19.根據權利要求18所述的器件，還包括在所述在第二多個溝槽中的每個溝槽中的層的第二堆疊，層的第二堆疊沿著第二方向與層的第一堆疊分離。

20.根據權利要求19所述的器件，還包括在所述第二多個溝槽上的第一覆蓋層。