本公開涉及一種剝離裝置、剝離系統(tǒng)以及剝離方法。

背景技術(shù)：

1、近年，例如在半導體器件的制造工序中，硅晶圓、化合物半導體晶圓等半導體基板的大口徑化和薄型化取得進展。大口徑且薄的半導體基板在搬送時、研磨處理時存在產(chǎn)生翹曲、裂紋的風險。因此，在將支承基板貼合于半導體基板來進行強化之后進行搬送、研磨處理，然后進行將支承基板從半導體基板剝離的處理。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2015-207776號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開提供一種減少基板產(chǎn)生裂紋的技術(shù)。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一個方式的剝離裝置具備切入部、第一保持部、第二保持部、探測部以及控制部。切入部將鋒利構(gòu)件插入第一基板與第二基板接合而成的重合基板的側(cè)面中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的側(cè)面來進行切入。第一保持部對重合基板中的第一基板進行吸附保持，所述第一保持部包括起點側(cè)吸附部和起點側(cè)升降機構(gòu)。起點側(cè)吸附部對第一基板的外周部中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的外周部的周緣進行吸附。起點側(cè)升降機構(gòu)使起點側(cè)吸附部進行升降。第二保持部對重合基板中的第二基板進行吸附保持。探測部探測起點側(cè)吸附部對第一基板的吸附?？刂撇繄?zhí)行切入處理、吸附處理、第一移動處理、第二移動處理以及停止處理。在切入處理中，控制切入部來在重合基板的側(cè)面中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的側(cè)面進行切入。在切入處理后，在吸附處理中控制起點側(cè)升降機構(gòu)來使起點側(cè)吸附部下降并吸附于第一基板。在吸附處理中，在第一移動處理中控制起點側(cè)升降機構(gòu)來使起點側(cè)吸附部以第一速度從與第一基板分離的待機位置移動到與第一基板接觸之前的變速位置，所述變速位置比待機位置更靠近第一基板。在第一移動處理之后，在第二移動處理中控制起點側(cè)升降機構(gòu)以使起點側(cè)吸附部以比第一速度慢的第二速度從變速位置向靠近第一基板的方向移動。在停止處理中，當在第二移動處理中基于探測部的探測結(jié)果判定為第一基板被起點側(cè)吸附部吸附了的情況下，控制起點側(cè)升降機構(gòu)來使起點側(cè)吸附部停止移動。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)本公開，能夠減少基板的裂紋的產(chǎn)生。

技術(shù)特征：

1.一種剝離裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的剝離裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的剝離裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的剝離裝置，其中，

8.一種剝離系統(tǒng)，具備：

9.一種剝離方法，用于將第一基板與第二基板接合而成的重合基板剝離為所述第一基板和所述第二基板，所述剝離方法包括以下工序：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種剝離裝置、剝離系統(tǒng)以及剝離方法。剝離裝置具備：切入部，其將鋒利構(gòu)件插入第一基板與第二基板接合而成的重合基板的側(cè)面中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的側(cè)面來進行切入；第一保持部，其對第一基板進行吸附保持，包括對第一基板的外周部中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的外周部的周緣進行吸附的起點側(cè)吸附部和使起點側(cè)吸附部升降起點側(cè)升降機構(gòu)；第二保持部，其對第二基板進行吸附保持；探測部，其探測起點側(cè)吸附部對第一基板的吸附；以及控制部。在切入處理中，控制切入部來在重合基板的側(cè)面中的位于剝離的最開始的起點側(cè)的位置的側(cè)面進行切入。在吸附處理中，控制起點側(cè)升降機構(gòu)來使起點側(cè)吸附部下降并吸附于第一基板。

技術(shù)研發(fā)人員：坂元直人,坂上貴志,徐光佑
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6