本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別是涉及一種半導(dǎo)體光電元件。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)今，半導(dǎo)體元件已廣泛地應(yīng)用于各種領(lǐng)域，而針對(duì)半導(dǎo)體材料與相關(guān)產(chǎn)品的研究也持續(xù)進(jìn)行中。舉例而言，包括三族及五族元素的iii-v族半導(dǎo)體材料(如)可應(yīng)用于各種半導(dǎo)體光電元件，像是半導(dǎo)體發(fā)光元件如發(fā)光二極管、激光二極管(laser?diode，ld)、光電偵測(cè)器或太陽(yáng)能電池(solar?cell)等，或者應(yīng)用于功率元件例如開(kāi)關(guān)元件或整流器等。此些半導(dǎo)體光電元件可以應(yīng)用于照明、醫(yī)療、顯示、通信、感測(cè)、電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。作為半導(dǎo)體發(fā)光元件之一的發(fā)光二極管在外部電場(chǎng)的作用下，發(fā)光二極管中的p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能提供空穴，n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能提供電子，而空穴與電子可進(jìn)行復(fù)合而發(fā)光。由于發(fā)光二極管具有耗電量低、反應(yīng)速度快、體積小、工作壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，因此大量被應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
提供一種半導(dǎo)體元件，包括外延結(jié)構(gòu)、第一接觸電極以及第二接觸電極。外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及活性區(qū)。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體接觸層。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第二半導(dǎo)體接觸層?；钚詤^(qū)介于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。第一接觸電極位于第二半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第一半導(dǎo)體接觸層。第二接觸電極位于第二半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第二半導(dǎo)體接觸層。第一半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為n型且包含第一iii-v族半導(dǎo)體材料。第二半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為p型且包含第二iii-v族半導(dǎo)體材料，且第二iii-v族半導(dǎo)體材料為含銦的磷化物。

2、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第二iii-v族半導(dǎo)體材料中的銦含量百分比在1％至30％的范圍內(nèi)。

3、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第一iii-v族半導(dǎo)體材料不同于第二iii-v族半導(dǎo)體材料。

4、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第一iii-v族半導(dǎo)體材料為二元iii-v族化合物半導(dǎo)體，且第二iii-v族半導(dǎo)體材料為三元iii-v族化合物半導(dǎo)體。

5、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第二iii-v族半導(dǎo)體材料為inxga1-xp，且0<x<1。

6、本發(fā)明內(nèi)容又提供一種半導(dǎo)體元件，包括外延結(jié)構(gòu)、第一接觸電極以及第二接觸電極。外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及活性區(qū)。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體接觸層。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第二半導(dǎo)體接觸層?；钚詤^(qū)介于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。第一接觸電極位于第一半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第一半導(dǎo)體接觸層。第二接觸電極位于第一半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第二半導(dǎo)體接觸層。第一半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為n型且包含第一iii-v族半導(dǎo)體材料。第二半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為p型且包含第二iii-v族半導(dǎo)體材料。第一iii-v族半導(dǎo)體材料為含銦的磷化物且為三元iii-v族化合物半導(dǎo)體。

7、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體接觸層具有多對(duì)交互堆疊的第一子層與第二子層，第一子層包含第一iii-v族半導(dǎo)體材料，第二子層包含不同于第一iii-v族半導(dǎo)體材料的第三iii-v族半導(dǎo)體材料。

8、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體接觸層具有2至500對(duì)交互堆疊的第一子層與第二子層。

9、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第一iii-v族半導(dǎo)體材料為alyin1-yp，且0<y<1。

10、根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實(shí)施例，第二iii-v族半導(dǎo)體材料為二元iii-v族化合物半導(dǎo)體。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二iii-v族半導(dǎo)體材料中的銦含量百分比在1％至30％的范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一iii-v族半導(dǎo)體材料不同于該第二iii-v族半導(dǎo)體材料。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一iii-v族半導(dǎo)體材料為二元iii-v族化合物半導(dǎo)體，且該第二iii-v族半導(dǎo)體材料為三元iii-v族化合物半導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二iii-v族半導(dǎo)體材料為inxga1-xp，且0<x<1。

6.一種半導(dǎo)體元件，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一半導(dǎo)體接觸層具有多對(duì)交互堆疊的第一子層與第二子層，該第一子層包含該第一iii-v族半導(dǎo)體材料，該第二子層包含不同于該第一iii-v族半導(dǎo)體材料的第三iii-v族半導(dǎo)體材料。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一半導(dǎo)體接觸層具有2至500對(duì)交互堆疊的該第一子層與該第二子層。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一iii-v族半導(dǎo)體材料為alyin1-yp，且0<y<1。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二iii-v族半導(dǎo)體材料為二元iii-v族化合物半導(dǎo)體。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體元件，包括外延結(jié)構(gòu)、第一接觸電極以及第二接觸電極。外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及活性區(qū)。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體接觸層。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第二半導(dǎo)體接觸層?；钚詤^(qū)介于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。第一接觸電極位于第二半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第一半導(dǎo)體接觸層。第二接觸電極位于第二半導(dǎo)體接觸層上且直接接觸第二半導(dǎo)體接觸層。第一半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為n型且包含第一III?V族半導(dǎo)體材料。第二半導(dǎo)體接觸層的導(dǎo)電型態(tài)為p型且包含第二III?V族半導(dǎo)體材料，且第二III?V族半導(dǎo)體材料為含銦的磷化物。

技術(shù)研發(fā)人員：林義杰,李世昌,廖偉筑,劉美君,馮輝慶,高振凱,任益華,謝明勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶元光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2