本公開的示例涉及一種碳化硅裝置，特別地涉及一種具有柵電極以及安放在碳化硅裝置的柵電極和碳化硅體之間的電絕緣體的碳化硅裝置并且涉及一種用于形成電絕緣體的對應(yīng)方法。

背景技術(shù)：

1、在晶體管中，柵電極通常與晶體管的源極區(qū)、主體區(qū)和漂移/漏極區(qū)電絕緣，并且被定位成與主體區(qū)相鄰。源極區(qū)通常連接到源極端子，并且漏極區(qū)通常連接到漏極端子。對于碳化硅裝置，可能期望的是，調(diào)整柵電極和碳化硅體之間的電絕緣體。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一種用于在碳化硅體上形成界面層的方法可包括：從碳化硅體的表面去除氧化物層以獲得碳化硅表面。碳化硅體可包括第一導(dǎo)電型的源極區(qū)和第二導(dǎo)電型的主體區(qū)。所述方法還可包括：在去除氧化物層之后，將界面層直接沉積在碳化硅表面上。界面層可具有小于或等于15nm的厚度。所述方法還可包括：在界面層之上形成電絕緣體；并且在電絕緣體之上形成柵電極。

2、一種碳化硅裝置可包括：形成在碳化硅體中的第一導(dǎo)電型的源極區(qū)、形成在碳化硅體中的第二導(dǎo)電型的主體區(qū)和漏極區(qū)。另外，碳化硅裝置可包括：柵電極，被配置為在源極區(qū)和漏極區(qū)之間切換電流。碳化硅裝置還可包括：界面層，被直接安放在碳化硅體上，并且被布置在碳化硅體和柵電極之間。界面層的厚度可小于或等于15nm。界面層可包括與碳化硅體接觸的第一表面和與第一表面相對的第二表面。界面層內(nèi)的碳的濃度可沿著從第一表面指向第二表面的方向從在界面層的第一表面的碳的第一濃度減小到在與界面層的第一表面相對的界面層的第二表面的碳的第二濃度。碳的濃度可在界面層的至少75％內(nèi)小于第一濃度的一半。碳化硅裝置還可包括：電絕緣體，被安放在界面層和柵電極之間。電絕緣體可被配置為按照電氣方式使柵電極與碳化硅體絕緣。

技術(shù)特征：

1.一種用于在碳化硅體上形成界面層的方法(300；400)，其中所述碳化硅體包括第一導(dǎo)電型的源極區(qū)(12)和第二導(dǎo)電型的主體區(qū)(13)，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法(300)，

3.如權(quán)利要求2所述的方法(300)，

4.如權(quán)利要求2所述的方法(300)，

5.如權(quán)利要求4所述的方法(300)，

6.如權(quán)利要求4所述的方法(300)，

7.如權(quán)利要求1所述的方法(400)，

8.如權(quán)利要求7所述的方法，

9.如權(quán)利要求7或8所述的方法(400)，

10.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

11.一種碳化硅裝置，包括：

12.如權(quán)利要求11所述的碳化硅裝置，

13.如權(quán)利要求11或12所述的碳化硅裝置，

14.如權(quán)利要求11所述的碳化硅裝置，

15.如權(quán)利要求11所述的碳化硅裝置，

16.如權(quán)利要求11所述的碳化硅裝置，

17.如權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的碳化硅裝置，

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及碳化硅裝置。一種用于在碳化硅體上形成界面層的方法包括：從碳化硅體的表面去除氧化物層以獲得碳化硅表面。碳化硅體包括第一導(dǎo)電型的源極區(qū)和第二導(dǎo)電型的主體區(qū)。所述方法還包括：在去除氧化物層之后，將界面層直接沉積在碳化硅表面上。界面層具有小于或等于15nm的厚度。所述方法還包括：在界面層之上形成電絕緣體；并且在電絕緣體之上形成柵電極。

技術(shù)研發(fā)人員：W·萊納特,F·雷辛格,T·艾興格,G·雷舍爾,F·J·桑托斯羅德里格斯,C·謝弗,A·蒂爾克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2