本公開(kāi)涉及一種鉭電容器，更具體地，涉及一種具有改善的抗應(yīng)力可靠性和耐濕可靠性的鉭電容器。

背景技術(shù)：

1、鉭(ta)由于其機(jī)械特性和物理特性(諸如高熔點(diǎn)以及優(yōu)異的延展性和耐腐蝕性)而成為在包括電氣和電子、機(jī)械、化學(xué)工程、醫(yī)學(xué)、航天和軍事工業(yè)的整個(gè)行業(yè)中廣泛使用的金屬。

2、特別地，ta由于在所有金屬中其形成最穩(wěn)定的陽(yáng)極氧化膜的特性而目前廣泛用作小型電容器的陽(yáng)極材料。

3、此外，由于最近it行業(yè)(諸如，電子行業(yè)和信息通信行業(yè))的快速發(fā)展，鉭材料的使用每年都迅速增加。

4、鉭電容器使用利用內(nèi)部引線(xiàn)框架來(lái)連接鉭主體和電極的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，如果沒(méi)有確保內(nèi)部引線(xiàn)框架與模制單元之間的充分粘合，則可能出現(xiàn)界面缺陷，并且水分可能通過(guò)界面滲入。這使鉭電容器在高溫和高濕度環(huán)境下的特性劣化并影響可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一方面在于提供一種通過(guò)增強(qiáng)界面結(jié)合力和降低吸濕率而具有優(yōu)異可靠性的鉭電容器。

2、本公開(kāi)的一方面在于提供一種具有增強(qiáng)的耐應(yīng)力性的鉭電容器。

3、根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種鉭電容器包括：鉭主體，包括鉭體、導(dǎo)電聚合物層和鉭線(xiàn)，所述導(dǎo)電聚合物層設(shè)置在所述鉭體上，所述鉭線(xiàn)在第一方向上穿過(guò)所述鉭體和所述導(dǎo)電聚合物層中的每個(gè)的一部分；模制單元，圍繞所述鉭主體并包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面、在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面；陽(yáng)極引線(xiàn)框架，暴露于所述模制單元的所述第二表面并且連接到所述鉭線(xiàn)；陰極引線(xiàn)框架，與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架間隔開(kāi)并且暴露于所述模制單元的所述第二表面；以及第一涂層，設(shè)置在所述模制單元與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域以及所述模制單元與所述陰極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域中的至少一者的至少一部分中。

4、根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種鉭電容器包括：鉭主體，包括鉭體、導(dǎo)電聚合物層和鉭線(xiàn)，所述導(dǎo)電聚合物層設(shè)置在所述鉭體上，所述鉭線(xiàn)在第一方向上穿過(guò)所述鉭體和所述導(dǎo)電聚合物層中的每個(gè)的一部分；模制單元，圍繞所述鉭主體并且包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面、在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面；陽(yáng)極引線(xiàn)框架，暴露于所述模制單元的所述第二表面并且連接到所述鉭線(xiàn)；陰極引線(xiàn)框架，與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架間隔開(kāi)并且暴露于所述模制單元的所述第二表面；第一涂層，設(shè)置在所述模制單元與所述鉭主體之間的區(qū)域的至少一部分中；以及第二涂層，設(shè)置在所述模制單元的所述第一表面至所述第六表面上。

技術(shù)特征：

1.一種鉭電容器，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層包括有機(jī)硅化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層包括多官能性烷氧基硅烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層具有大于0μm且小于等于30μm的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層延伸到所述模制單元的所述第二表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層還設(shè)置在所述模制單元與所述鉭主體之間的區(qū)域中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層設(shè)置在所述鉭電容器的相對(duì)于所述模制單元的所述第五表面和所述第六表面中的所述第六表面更靠近所述第五表面的區(qū)域中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層設(shè)置在所述鉭電容器的相對(duì)于所述模制單元的所述第五表面和所述第六表面中的所述第五表面更靠近所述第六表面的區(qū)域中。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層設(shè)置在所述鉭電容器的相對(duì)于所述模制單元的所述第一表面和所述第二表面中的所述第一表面更靠近所述第二表面的區(qū)域中。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層不設(shè)置在所述鉭主體的面對(duì)所述模制單元的所述第一表面的上表面上。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，所述鉭電容器還包括第二涂層，所述第二涂層設(shè)置在所述模制單元的所述第一表面至所述第六表面上并且包括含氟化合物。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鉭電容器，其中，所述第二涂層暴露所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架和所述陰極引線(xiàn)框架。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭電容器，其中，

18.一種鉭電容器，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層包括有機(jī)硅化合物，并且所述第二涂層包括含氟化合物。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鉭電容器，其中，所述第一涂層還設(shè)置在所述模制單元與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域以及所述模制單元與所述陰極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域中的至少一者的至少一部分中。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種鉭電容器。所述鉭電容器包括：鉭主體，包括鉭體、導(dǎo)電聚合物層和鉭線(xiàn)，所述導(dǎo)電聚合物層設(shè)置在所述鉭體上，所述鉭線(xiàn)在第一方向上穿過(guò)所述鉭體和所述導(dǎo)電聚合物層中的每個(gè)的一部分；模制單元，圍繞所述鉭主體；陽(yáng)極引線(xiàn)框架，暴露于所述模制單元的一個(gè)表面并且連接到所述鉭線(xiàn)；陰極引線(xiàn)框架，與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架間隔開(kāi)并且暴露于所述模制單元的所述一個(gè)表面；以及第一涂層，設(shè)置在所述模制單元與所述陽(yáng)極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域以及所述模制單元與所述陰極引線(xiàn)框架之間的區(qū)域中的至少一者的至少一部分中。

技術(shù)研發(fā)人員：金范錫,金晉模,奉康昱,金眞永,樸成埈,安成庸,曺正熙,咸裕珍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6