本說明書涉及制造半導(dǎo)體器件。一個或多個實施例可以應(yīng)用于制造例如用于汽車應(yīng)用的集成電路(ic)半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、設(shè)置有所謂的四方扁平封裝(qfp)的半導(dǎo)體器件(例如，用于汽車或工業(yè)應(yīng)用)可具有相對較多數(shù)量的輸入/輸出(i/o)引腳(或引線)。

2、例如，在超高密度(shd)或超超高密度(sshd)器件的情況下，可能具有超過上百個引腳。

3、在此類基于引線框的封裝中，半導(dǎo)體芯片/管芯被布置在引線框的管芯焊盤上且電耦合到被設(shè)置在管芯焊盤周圍的多個引線。

4、導(dǎo)線通常用于在半導(dǎo)體管芯與引線之間提供期望的耦合。

5、還可使用導(dǎo)線來提供半導(dǎo)體管芯與管芯焊盤之間的電耦合，所述管芯焊盤時常用于為器件提供接地電平。

6、使用目前的處理技術(shù)(例如沖壓或蝕刻)，可以形成具有約150微米至180微米的最小節(jié)距的引線；由于相對較多的引線數(shù)量和減小的封裝尺寸，管芯焊盤和引線的近端之間的距離不能減小到超過最小值，從而導(dǎo)致將管芯耦合到引線的導(dǎo)線相對較長。

7、已觀察到更長的導(dǎo)線更易于出現(xiàn)與模制步驟相關(guān)的問題；事實上，半導(dǎo)體器件的當(dāng)前制造工藝包括模制步驟，其中將樹脂或環(huán)氧樹脂模制化合物(例如emc，環(huán)氧樹脂)模制到器件上以形成保護塑料體。在該過程中，模制槽腔中的樹脂流可導(dǎo)致導(dǎo)線“掃掠(sweep)”，即響應(yīng)于由流動的模制化合物施加的粘滯曳力而變形。

8、導(dǎo)線掃掠可能超過規(guī)范，或者在最壞的情況下，導(dǎo)致兩個相鄰的導(dǎo)線接觸，從而形成不希望的短路。

9、此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，在器件的處理(或僅僅是處理，例如)期間，長導(dǎo)線往往更容易損壞(失效)。

10、損壞或短路的線可能導(dǎo)致器件在處理中的故障，并因此而被廢棄(rejection)，不利地影響制造產(chǎn)量，并導(dǎo)致制造工藝的相對低的時間和成本效率。

11、本領(lǐng)域需要克服上述缺點的實施例。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一個或多個實施例涉及一種方法。

2、一個或多個實施例涉及相應(yīng)的半導(dǎo)體器件。

3、本文所述的解決方案有助于減小用于將半導(dǎo)體管芯電耦合到引線或管芯焊盤的導(dǎo)線的長度。

4、在如本文所述的解決方案中，提供期望耦合的導(dǎo)電路徑的一部分經(jīng)由導(dǎo)電材料(例如，諸如銅的金屬)的沉積/生長而形成。

5、本文所述的解決方案可利用激光直接成型(lds)來形成所需電耦合的一部分。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述導(dǎo)電路徑段和所述引線接合封裝在第二電絕緣封裝件中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中提供所述導(dǎo)電路徑段包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括將所述導(dǎo)電路徑段、所述另一導(dǎo)電路徑段、所述引線接合和所述另一引線接合封裝在第二電絕緣封裝件中。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中提供所述另一導(dǎo)電路徑段包括：

11.一種器件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，還包括封裝所述導(dǎo)電路徑段和所述引線接合的第二電絕緣封裝件。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中所述導(dǎo)電路徑段包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，進一步包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，還包括第二電絕緣封裝件，所述第二電絕緣封裝件封裝所述導(dǎo)電路徑段、所述另一導(dǎo)電路徑段、所述引線接合和所述另一引線接合。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述另一導(dǎo)電路徑段包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及制造半導(dǎo)體器件的方法和對應(yīng)的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體管芯安裝在具有導(dǎo)電襯底部分的襯底上。導(dǎo)電襯底部分包括管芯安裝位置和圍繞管芯安裝位置的導(dǎo)電引線。半導(dǎo)體管芯安裝在管芯安裝位置的第一表面上。襯底和半導(dǎo)體管芯被封裝在具有與第一表面相對的表面的電絕緣封裝件中。提供導(dǎo)電路徑以將半導(dǎo)體管芯電耦合到導(dǎo)電襯底部分之一。所述電氣導(dǎo)電路徑包括：第一路徑段，其在所述導(dǎo)電襯底部分與所述電絕緣封裝件的表面處的中間點之間延伸穿過所述電絕緣封裝件和/或在所述電絕緣封裝件上方延伸；以及第二路徑段，其經(jīng)由導(dǎo)線接合提供且在所述半導(dǎo)體管芯與所述電絕緣封裝件的表面處的中間點之間延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：P·馬格尼,A·阿里戈尼,G·米薩格利亞
受保護的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體國際公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9