本公開(kāi)涉及光電子制造，特別涉及一種改善電極松脫的發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(英文：light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱(chēng)：led)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長(zhǎng)、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號(hào)燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。

2、相關(guān)技術(shù)中，發(fā)光二極管包括：外延層、透明導(dǎo)電層、焊盤(pán)和手指條，透明導(dǎo)電層位于外延層的表面上，透明導(dǎo)電層具有通孔。手指條的一端與焊盤(pán)相連，焊盤(pán)位于通孔內(nèi)且與外延層電性連接，手指條位于透明導(dǎo)電層上，焊盤(pán)用于與外部電源連接，并通過(guò)手指條向外延層各處區(qū)域傳輸電流。

3、由于焊盤(pán)多為金屬材料，因此焊盤(pán)會(huì)吸收光線(xiàn)。為避免焊盤(pán)吸光，通常會(huì)在焊盤(pán)和外延層之間設(shè)置鈍化層，鈍化層多為氧化硅層，而鈍化層和外延層的折射率不同，以使得入射到鈍化層的光線(xiàn)路徑會(huì)發(fā)生改變，讓部分光折射，從而避免光線(xiàn)被焊盤(pán)吸收。然而焊盤(pán)與鈍化層直接連接，容易導(dǎo)致焊盤(pán)松脫的問(wèn)題，造成電極打線(xiàn)失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種改善電極松脫的發(fā)光二極管及其制備方法，能改善電極打線(xiàn)失效的問(wèn)題。所述技術(shù)方案如下：

2、一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括外延層、透明導(dǎo)電層、鈍化層和焊盤(pán)，所述透明導(dǎo)電層位于所述外延層的表面上，所述鈍化層位于所述外延層的表面上，且覆蓋所述透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層具有露出所述外延層的第一通孔，和/或所述鈍化層具有露出所述外延層的第二通孔；所述第一通孔和/或所述第二通孔內(nèi)設(shè)置有阻擋層，所述阻擋層具有鏤空，所述焊盤(pán)位于所述阻擋層的遠(yuǎn)離所述外延層的表面上，且通過(guò)所述鏤空與所述外延層電性連接。

3、可選地，所述阻擋層包括：阻擋塊和阻擋環(huán)，所述阻擋塊位于所述阻擋環(huán)內(nèi)，且所述阻擋塊與所述阻擋環(huán)同心排布，所述阻擋塊與所述阻擋環(huán)之間的環(huán)形間隙為所述鏤空。

4、可選地，所述焊盤(pán)和所述阻擋塊在所述外延層的表面上的正投影為圓形，所述阻擋塊的投影直徑小于所述焊盤(pán)的投影直徑的0.75倍。

5、可選地，所述焊盤(pán)在所述外延層的表面上的正投影為圓形，所述阻擋環(huán)在所述外延層的表面上的正投影為圓環(huán)；所述阻擋環(huán)投影的內(nèi)徑大于所述焊盤(pán)投影的直徑的0.8倍，且所述阻擋環(huán)投影的內(nèi)徑小于所述焊盤(pán)投影的直徑的0.9倍；所述阻擋環(huán)投影的外徑大于所述焊盤(pán)投影的直徑，且所述阻擋環(huán)投影的外徑小于所述焊盤(pán)投影的直徑的1.1倍。

6、可選地，所述阻擋層包括多個(gè)阻擋塊，多個(gè)所述阻擋塊間隔排布在所述第一通孔和/或所述第二通孔內(nèi)。

7、可選地，所述焊盤(pán)在所述外延層的表面上的正投影為圓形，多個(gè)所述阻擋塊在所述外延層的表面上的正投影，以所述焊盤(pán)的圓心為圓心，環(huán)形陣列排布。

8、可選地，所述阻擋塊在所述外延層表面上的正投影為圓形，所述阻擋塊投影的直徑大于或者等于(d-14)/7，且所述阻擋塊投影的直徑小于或者等于(d-4)/3，所述焊盤(pán)投影的直徑為d，單位為微米。

9、可選地，所述阻擋塊在所述第一通孔和/或所述第二通孔的邊緣區(qū)域的分布密度小于所述阻擋塊在所述第一通孔的中心區(qū)域的分布密度。

10、可選地，所述阻擋塊在所述第一通孔的靠近所述第二通孔的區(qū)域的分布密度，大于所述阻擋塊在所述第一通孔的遠(yuǎn)離所述第二通孔的區(qū)域的分布密度。

11、另一方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括：形成外延層；在所述外延層的表面形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層具有露出所述外延層的第一通孔；在所述透明導(dǎo)電層和所述外延層的表面形成鈍化層，所述鈍化層的表面具有露出所述第一通孔的過(guò)孔，和/或所述鈍化層具有露出所述外延層的第二通孔；在所述第一通孔和/或所述第二通孔內(nèi)形成阻擋層，所述阻擋層具有鏤空；在所述阻擋層的遠(yuǎn)離所述外延層的表面上形成焊盤(pán)，使所述焊盤(pán)通過(guò)所述鏤空與所述外延層電性連接。

12、本公開(kāi)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

13、本公開(kāi)實(shí)施例提供的發(fā)光二極管中透明導(dǎo)電層位于外延層的表面上，且透明導(dǎo)電層具有露出外延層的第一通孔，在第一通孔內(nèi)設(shè)置有阻擋層，阻擋層具有鏤空，焊盤(pán)設(shè)置在阻擋層的遠(yuǎn)離外延層的表面上，且通過(guò)鏤空和外延層電性連接。這樣在阻擋層的表面設(shè)置鏤空，讓焊盤(pán)能夠嵌入鏤空內(nèi)，并與外延層電性連接，這樣既滿(mǎn)足焊盤(pán)與外延層的電性連接需求，又使得焊盤(pán)與阻擋層采用凹凸結(jié)構(gòu)的嵌入式配合，從而有效提升焊盤(pán)和阻擋層的連接可靠性，防止焊盤(pán)輕易從外延層上松脫，改善電極打線(xiàn)失效的問(wèn)題。

14、并且，在外延層和焊盤(pán)之間設(shè)置阻擋層，還能增大焊盤(pán)與阻擋層的接觸面積，這樣能形成良好反射率的全方向反射鏡，減少光線(xiàn)被焊盤(pán)吸收，以提升出光率。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括外延層(20)、透明導(dǎo)電層(30)、鈍化層(42)和焊盤(pán)(51)，所述透明導(dǎo)電層(30)位于所述外延層(20)的表面上，所述鈍化層(42)位于所述外延層(20)的表面上，且覆蓋所述透明導(dǎo)電層(30)，所述透明導(dǎo)電層(30)具有露出所述外延層(20)的第一通孔(31)，和/或所述鈍化層(42)具有露出所述外延層(20)的第二通孔(32)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述阻擋層(41)包括：阻擋塊(411)和阻擋環(huán)(412)，所述阻擋塊(411)位于所述阻擋環(huán)(412)內(nèi)，且所述阻擋塊(411)與所述阻擋環(huán)(412)同心排布，所述阻擋塊(411)與所述阻擋環(huán)(412)之間的環(huán)形間隙為所述鏤空(410)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述焊盤(pán)(51)和所述阻擋塊(411)在所述外延層(20)的表面上的正投影為圓形，所述阻擋塊(411)的投影直徑小于所述焊盤(pán)(51)的投影直徑的0.75倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述焊盤(pán)(51)在所述外延層(20)的表面上的正投影為圓形，所述阻擋環(huán)(412)在所述外延層(20)的表面上的正投影為圓環(huán)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述阻擋層(41)包括多個(gè)阻擋塊(411)，多個(gè)所述阻擋塊(411)間隔排布在所述第一通孔(31)和/或所述第二通孔(32)內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述焊盤(pán)(51)在所述外延層(20)的表面上的正投影為圓形，多個(gè)所述阻擋塊(411)在所述外延層(20)的表面上的正投影，以所述焊盤(pán)(51)的圓心為圓心，環(huán)形陣列排布。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述阻擋塊(411)在所述外延層(20)表面上的正投影為圓形，所述阻擋塊(411)投影的直徑大于或者等于(d-14)/7，且所述阻擋塊(411)投影的直徑小于或者等于(d-4)/3，所述焊盤(pán)(51)投影的直徑為d，單位為微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述阻擋塊(411)在所述第一通孔(31)和/或所述第二通孔(32)的邊緣區(qū)域的分布密度小于所述阻擋塊(411)在所述第一通孔(31)的中心區(qū)域的分布密度。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述阻擋塊(411)在所述第一通孔(31)的靠近所述第二通孔(32)的區(qū)域的分布密度，大于所述阻擋塊(411)在所述第一通孔(31)的遠(yuǎn)離所述第二通孔(32)的區(qū)域的分布密度。

10.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種改善電極松脫的發(fā)光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管包括外延層、透明導(dǎo)電層、鈍化層和焊盤(pán)，所述透明導(dǎo)電層位于所述外延層的表面上，所述鈍化層位于所述外延層的表面上，且覆蓋所述透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層具有露出所述外延層的第一通孔，和/或所述鈍化層具有露出所述外延層的第二通孔；所述第一通孔和/或所述第二通孔內(nèi)設(shè)置有阻擋層，所述阻擋層具有鏤空，所述焊盤(pán)位于所述阻擋層的遠(yuǎn)離所述外延層的表面上，且通過(guò)所述鏤空與所述外延層電性連接。本公開(kāi)實(shí)施例能改善電極打線(xiàn)失效的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：韓藝蕃,魏柏林,張旭東,郝亞磊,石躍航,王繪凝,王江波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方華燦光電（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30