1.一種包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，所述硅單晶襯底的尺寸包括但不限于直徑1英寸、2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸。
3.如權(quán)利要求2所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，所述氮化鎵單晶薄膜質(zhì)量提升層無裂紋且位錯密度不高于5×108cm-2。
4.如權(quán)利要求1所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，所述超薄多孔氧化鋁弱鍵合解耦合層的孔隙度為15-85％。
5.如權(quán)利要求1所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，其特征在于，所述氮化鋁單晶薄膜成核層模板層的位錯密度不高于1×108cm-2且表面粗糙度不高于1.0nm。
6.一種制備權(quán)利要求1-5任一項所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片的方法，其特征在于，包括以下步驟：
7.如權(quán)利要求6所述的制備所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片方法，其特征在于，所述步驟s5中，氫氣氣氛下高溫高真空退火的條件為：退火溫度700-900℃，氫氣氣氛壓力50-100pa，高溫高真空退火時間0.5-5.0小時。
8.如權(quán)利要求6所述的制備所述的大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片方法，其特征在于，所述步驟s6中，氨氣氣氛下高溫高真空退火的條件為：退火溫度900-1100℃，氨氣氣氛壓力5-50pa，高溫高真空退火時間1.0-10.0小時。
9.如權(quán)利要求6所述的制備所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片方法，其特征在于，所述超薄鋅鋁氧多晶薄膜層中的鋅組分的原子百分比濃度為15-85％。
10.如權(quán)利要求1-5任一項所述的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片，或者如權(quán)利要求6-9任一項所述方法制得的包含大失配應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)的硅襯底氮化鎵晶片應(yīng)用于制備氮化鎵功率電子器件、氮化鎵微波射頻器件、氮化鎵發(fā)光二極管器件、氮化鎵激光二極管器件、氮化鎵紫外探測器器件。