1.一種硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述硅單晶襯底的尺寸包括但不限于直徑1英寸、2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸。
3.如權(quán)利要求2所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述氮化鎵單晶薄膜質(zhì)量提升層無(wú)裂紋且位錯(cuò)密度不高于1×108cm-2。
4.如權(quán)利要求1所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述超薄多孔氮化鈦弱鍵合解耦合層的孔隙度為35-75％。
5.如權(quán)利要求1所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述氮化鋁單晶薄膜成核層模板層的位錯(cuò)密度不高于1×107cm-2且表面粗糙度不高于0.5nm。
6.一種制備權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片的方法，其特征在于，包括以下步驟：
7.如權(quán)利要求6所述的制備所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片的方法，其特征在于，所述步驟s5中，氫氣氣氛下高溫高真空退火條件為：氫氣氣氛壓力30-50pa，退火溫度650-850℃，高溫高真空退火時(shí)間1.0-3.0小時(shí)。
8.如權(quán)利要求6所述的制備所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片的方法，其特征在于，所述步驟s6中，氨氣氣氛下高溫高真空退火條件為：氨氣氣氛壓力50-100pa，退火溫度1000-1200℃，高溫高真空退火時(shí)間1.0-5.0小時(shí)。
9.如權(quán)利要求6所述的制備所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片的方法，其特征在于，所述超薄銦鈦氮單晶薄膜層中銦組分原子百分比濃度為35-75％。
10.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片，或者如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述方法制得的硅襯底氮化鎵半導(dǎo)體晶片可以應(yīng)用于研制生產(chǎn)氮化鎵基功率電子器件、氮化鎵基微波射頻器件、氮化鎵基發(fā)光二極管器件、氮化鎵基激光二極管器件、氮化鎵基紫外探測(cè)器件。