本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種轉(zhuǎn)接板的制備方法及轉(zhuǎn)接板。

背景技術(shù)：

1、隨著智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、汽車電子、人工智能等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，集成電路正向著多元化應(yīng)用方向發(fā)展，三維封裝技術(shù)逐漸成為實現(xiàn)電子產(chǎn)品小型化、輕質(zhì)化、多功能化的重要手段。

2、玻璃轉(zhuǎn)接板互連技術(shù)具有高頻電學(xué)特性優(yōu)異、成本低、工藝流程簡單、機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)等應(yīng)用優(yōu)勢，在射頻器件、微電機(jī)系統(tǒng)封裝、光電系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，然而，玻璃轉(zhuǎn)接板的制備仍面臨技術(shù)難題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題，本技術(shù)實施例提供了一種轉(zhuǎn)接板的制備方法及轉(zhuǎn)接板。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供一種轉(zhuǎn)接板的制備方法，包括：在載板的第一表面和第二表面分別鍵合第一基板和第二基板，第一表面和第二表面相對，第一基板包括至少一個第一通孔，第二基板包括至少一個第二通孔；在第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱且在第一基板背離載板一側(cè)形成一層第一金屬走線層，以及在第二通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱且在第二基板背離載板一側(cè)形成一層第二金屬走線層；將載板與第一基板和第二基板分離，用以形成至少一個轉(zhuǎn)接板。

3、結(jié)合第一方面，在將載板與第一基板和第二基板分離的步驟之后，方法還包括：在第一基板背離第一金屬走線層的一側(cè)形成一層第三金屬走線層，得到第一轉(zhuǎn)接板；和/或，在第二基板背離第二金屬走線層的一側(cè)形成一層第四金屬走線層，得到第二轉(zhuǎn)接板；優(yōu)選地，在第一基板背離第一金屬走線層的一側(cè)形成一層第三金屬走線層的步驟之后，方法還包括：在第三金屬走線層背離第一基板一側(cè)依次交替形成至少一層第三介質(zhì)層、第三互連結(jié)構(gòu)和至少一層第三金屬走線層，其中，第三互連結(jié)構(gòu)位于第三介質(zhì)層內(nèi)，第三互連結(jié)構(gòu)連接相鄰的兩層第三金屬走線層；優(yōu)選地，在第三金屬走線層背離第一基板一側(cè)依次交替形成至少一層第三介質(zhì)層、第三互連結(jié)構(gòu)和至少一層第三金屬走線層的步驟中，形成一層第三介質(zhì)層、第三互連結(jié)構(gòu)和一層第三金屬走線層的步驟，包括：在上一層第三金屬走線層背離第一基板一側(cè)制備第三介質(zhì)層，在第三介質(zhì)層中制備第三過孔；在第三過孔內(nèi)制備第三互連結(jié)構(gòu)且在第三介質(zhì)層背離第一基板的一側(cè)制備第三金屬走線層；優(yōu)選地，在第二基板背離第二金屬走線層的一側(cè)形成一層第四金屬走線層的步驟之后，方法還包括：在第四金屬走線層背離第二基板一側(cè)依次交替形成至少一層第四介質(zhì)層、第四互連結(jié)構(gòu)和至少一層第四金屬走線層，其中，第四互連結(jié)構(gòu)位于第四介質(zhì)層內(nèi)，第四互連結(jié)構(gòu)連接相鄰的兩層第四金屬走線層；優(yōu)選地，在第四金屬走線層背離第二基板一側(cè)依次交替形成至少一層第四介質(zhì)層、第四互連結(jié)構(gòu)和至少一層第四金屬走線層的步驟中，形成一層第四介質(zhì)層、第四互連結(jié)構(gòu)和一層第四金屬走線層的步驟，包括：在上一層第四金屬走線層背離第二基板一側(cè)制備第四介質(zhì)層，在第四介質(zhì)層中制備第四過孔；在第四過孔內(nèi)制備第四互連結(jié)構(gòu)且在第四介質(zhì)層背離第二基板的一側(cè)制備第四金屬走線層；優(yōu)選地，制備第三介質(zhì)層和第四介質(zhì)層的工藝包括涂布、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、壓合中的至少一種。

4、結(jié)合第一方面，第一通孔與第二通孔一一對應(yīng)；優(yōu)選地，第一通孔在載板上的正投影與第二通孔在載板上的正投影至少部分重疊；優(yōu)選地，第一通孔在載板上的正投影與第二通孔在載板上的正投影完全重疊；優(yōu)選地，在將載板與第一基板和第二基板分離之后，方法還包括：將第一基板背離第一金屬走線層的表面和第二基板背離第二金屬走線層的表面貼合，得到第三轉(zhuǎn)接板；優(yōu)選地，利用異質(zhì)鍵合工藝，將第一基板背離第一金屬走線層的表面和第二基板背離第二金屬走線層的表面貼合，得到第三轉(zhuǎn)接板；優(yōu)選地，在利用異質(zhì)鍵合工藝，將第一基板背離第一金屬走線層的表面和第二基板背離第二金屬走線層的表面貼合之前，該方法還包括：對第一基板背離第一金屬走線層的表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光；以及對第二基板背離第二金屬走線層的表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光。

5、結(jié)合第一方面，在第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱且在第一基板背離載板一側(cè)形成一層第一金屬走線層，以及在第二通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱且在第二基板背離載板一側(cè)形成一層第二金屬走線層，包括：在第一通孔內(nèi)和第一基板背離載板一側(cè)，和/或第二通孔內(nèi)和第二基板背離基板一側(cè)，制備種子層；在種子層背離載板一側(cè)涂覆光刻膠，并對光刻膠進(jìn)行圖案化處理；通過電鍍工藝在未覆蓋光刻膠的種子層上形成金屬層；去除光刻膠、刻蝕未覆蓋金屬層的種子層，得到第一金屬走線層和第一導(dǎo)電柱，和/或第二金屬走線層和第二導(dǎo)電柱；優(yōu)選地，種子層包括銅層或鈦銅復(fù)合層；優(yōu)選地，當(dāng)種子層為銅層時，銅層的厚度為0.2μm～2μm；優(yōu)選地，當(dāng)種子層為鈦銅復(fù)合層時，鈦層的厚度為0.1～0.5μm，銅層的厚度為0.3～2μm；優(yōu)選地，第一導(dǎo)電柱的材料和第一金屬走線層的材料相同，第二導(dǎo)電柱的材料和第二金屬走線層的材料相同；優(yōu)選地，第一導(dǎo)電柱和/或第一金屬走線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、錫、銀中的至少一種；優(yōu)選地，第二導(dǎo)電柱和/或第二金屬走線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、錫、銀中的至少一種；優(yōu)選地，在垂直于載板方向，第一金屬走線層的厚度為2～10μm，優(yōu)選為4～5μm；第二金屬走線層的厚度為2～10μm，優(yōu)選為4～5μm。

6、結(jié)合第一方面，在第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱且在第一基板背離載板一側(cè)形成一層第一金屬走線層，以及在第二通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱且在第二基板背離載板一側(cè)形成一層第二金屬走線層，包括：通過絲網(wǎng)印刷工藝，在第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱且在第一基板背離載板一側(cè)形成第一金屬走線層，以及在第二通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱且在第二基板背離載板一側(cè)形成第二金屬走線層；優(yōu)選地，第一導(dǎo)電柱的材料和第一金屬走線層的材料相同，第二導(dǎo)電柱的材料和第二金屬走線層的材料相同；優(yōu)選地，第一導(dǎo)電柱和第一金屬走線層的材料包括導(dǎo)電膠或?qū)щ姼嘀械闹辽僖环N，第二導(dǎo)電柱的材料和第二金屬走線層的材料包括導(dǎo)電膠或?qū)щ姼嘀械闹辽僖环N。

7、結(jié)合第一方面，在第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱且在第一基板背離載板一側(cè)形成一層第一金屬走線層，以及在第二通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱且在第二基板背離載板一側(cè)形成一層第二金屬走線層的步驟之后，該方法還包括：在第一金屬走線層背離第一基板一側(cè)依次交替形成至少一層第一介質(zhì)層、第一互連結(jié)構(gòu)和至少一層第一金屬走線層，其中，第一互連結(jié)構(gòu)位于第一介質(zhì)層內(nèi)，第一互連結(jié)構(gòu)連接相鄰的兩層第一金屬走線層；和/或，在第二金屬走線層背離第二基板一側(cè)依次交替形成至少一層第二介質(zhì)層、第二互連結(jié)構(gòu)和至少一層第二金屬走線層，其中，第二互連結(jié)構(gòu)位于第二介質(zhì)層內(nèi)，第二互連結(jié)構(gòu)連接相鄰的兩層第二金屬走線層；優(yōu)選地，在第一金屬走線層背離第一基板一側(cè)依次交替形成至少一層第一介質(zhì)層、第一互連結(jié)構(gòu)和至少一層第一金屬走線層的步驟中，形成一層第一介質(zhì)層、第一互連結(jié)構(gòu)和一層第一金屬走線層的步驟，包括：在第一金屬走線層背離第一基板一側(cè)制備第一介質(zhì)層，在第一介質(zhì)層中制備第一過孔；在第一過孔內(nèi)制備第一互連結(jié)構(gòu)和在第一介質(zhì)層背離第一基板一側(cè)制備第一金屬走線層；優(yōu)選地，在第二金屬走線層背離第二基板一側(cè)依次交替形成至少一層第二介質(zhì)層、第二互連結(jié)構(gòu)和至少一層第二金屬走線層的步驟中，形成一層第二介質(zhì)層、第二互連結(jié)構(gòu)和一層第二金屬走線層的步驟，包括：在第二金屬走線層背離第二基板一側(cè)制備第二介質(zhì)層，在第二介質(zhì)層中制備第二過孔；在第二過孔內(nèi)制備第二互連結(jié)構(gòu)和在第二介質(zhì)層背離第二基板一側(cè)制備第一金屬走線層；優(yōu)選地，制備第一介質(zhì)層和/或第二介質(zhì)層的工藝包括涂布、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、壓合中的至少一種；優(yōu)選為壓合；優(yōu)選地，第一金屬走線層的層數(shù)與第二金屬走線層的層數(shù)相同。

8、結(jié)合第一方面，在載板的第一表面和第二表面分別鍵合第一基板和第二基板，包括：在載板的第一表面和第二表面分別形成第一鍵合膠層和第二鍵合膠層；在第一鍵合膠層背離載板一側(cè)鍵合第一基板；在第二鍵合膠層背離載板一側(cè)鍵合第二基板；優(yōu)選地，載板的材料包括陶瓷、玻璃、金屬、覆銅層壓板芯的有機(jī)襯底中的至少一種；優(yōu)選地，第一鍵合膠層和/或第二鍵合膠層包括熱釋放膠、光釋放膠、溶劑釋放膠、力學(xué)釋放膠中的至少一種。

9、結(jié)合第一方面，在載板的第一表面和第二表面分別鍵合第一基板和第二基板之前，該方法還包括：在第一基板上形成第一通孔，和/或在第二基板上形成第二通孔；優(yōu)選地，第一基板和/或第二基板包括玻璃基板、硅基基板、陶瓷基板、聚合物基板中的至少一種；優(yōu)選地，形成第一通孔和/或第二通孔的方法包括激光誘導(dǎo)濕法刻蝕法、激光燒蝕法、聚焦放電法、等離子體刻蝕法、電化學(xué)放電加工法、噴砂法中的至少一種，優(yōu)選為激光誘導(dǎo)濕法刻蝕法。

10、結(jié)合第一方面，第一基板的厚度為100～1000μm，優(yōu)選為200～300μm，第二基板的厚度為100～1000μm，優(yōu)選為200～300μm；優(yōu)選地，第一基板的厚度和第二基板的厚度相同；優(yōu)選地，第一通孔的孔徑為10～200μm，優(yōu)選為40～50μm，第二通孔的孔徑為10～200μm，優(yōu)選為40～50μm；優(yōu)選地，第一通孔在載板上的正投影與第二通孔在載板上的正投影至少部分重疊；優(yōu)選地，第一通孔和第二通孔的孔徑相同；優(yōu)選地，第一通孔和第二通孔的數(shù)量相同。

11、第二方面，本技術(shù)實施例提供一種轉(zhuǎn)接板，該轉(zhuǎn)接板根據(jù)上述方法制備得到。

12、通過上述技術(shù)方案，將帶有通孔的第一基板和第二基板分別鍵合到載板的兩個表面，在對第一基板和第二基板的通孔填充導(dǎo)電材料時，采用“盲孔”填充工藝，降低了通孔的填充工藝難度。在載板的兩個表面分別鍵合第一基板和第二基板，即雙面鍵合，有利于降低載板的應(yīng)力，減少載板的翹曲。